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高溫晶振
閱讀�3683時間�2016-12-17 15:46:23

技�(shù)參數(shù)

  總頻差: 20PPM(MHz�
  溫度頻差� 20PPM(MHz�
  輸出阻抗� 0(kΩ�
  �(diào)整頻差: 20PPM(MHz�
  基準溫度� -20+70(℃�
  激勵電平: 0(mW�
  插入損耗: 0(dB�
  負載諧振電阻� 30(Ω)
  標稱頻率� 32.768KHZ(MHz�
  種類� 晶振
  加工定制� �
  負載電容� 12.5(pF�
  輸入阻抗� 0(kΩ�
  型號� 32.768KHZ
  阻帶衰減� 0(dB�

基本描述

  頻率準確� 在標稱電源電�、標稱負載阻�、基準溫度(252℃)以及其他條件保持不變,晶體振蕩器的頻率相對與其規(guī)定標稱值的允許偏差,即(fmax-fmin�/f0;
  溫度�(wěn)定度 其他條件保持不變,在�(guī)定溫度范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率的變化量相對于溫度范圍�(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏�,即(fmax-fmin�/(fmax+fmin��
  頻率�(diào)節(jié)范圍 通過�(diào)節(jié)晶振的某可變元件改變輸出頻率的范圍�
  �(diào)頻(壓控)特� 包括�(diào)頻頻�、調(diào)頻靈敏度、調(diào)頻線性度�   ①調(diào)頻頻偏:壓控晶體振蕩器控制電壓由標稱的值變化到最小值時輸出頻率差�   ②調(diào)頻靈敏度:壓控晶體振蕩器變化單位外加控制電壓所引起的輸出頻率的變化��   ③調(diào)頻線性度:是一種與理想直線(最小二乘法)相比較的調(diào)制系�(tǒng)傳輸特性的量度�
  負載特� 其他條件保持不變,負載在�(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱負載下的輸出頻率的允許頻偏�
  電壓特� 其他條件保持不變,電源電壓在�(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱電源電壓下的輸出頻率的允許頻��
  雜波 輸出信號中與主頻無諧波(副諧波除外)�(guān)系的離散頻譜分量與主頻的功率比,用dBc表示�
  諧波 諧波分量功率Pi與載波功率P0之比,用dBc表示�
  頻率老化 在規(guī)定的�(huán)境條件下,由于元件(主要是石英諧振器)老化而引起的輸出頻率隨時間的系統(tǒng)漂移過程。通常用某一時間間隔�(nèi)的頻差來量度。對于高�(wěn)定晶�,由于輸出頻率在較長的工作時間內(nèi)呈近似線性的單方向漂�,往往用老化率(單位時間�(nèi)的相對頻率變化)來量��
  日波� 指振蕩器�(jīng)過規(guī)定的�(yù)熱時間后,每隔一小時測量一�,連續(xù)測量24小時,將測試�(shù)�(jù)按S=(fmax-fmin�/f0式計�,得到日波動�
  開機特� 在規(guī)定的�(yù)熱時間內(nèi),振蕩器頻率值的變化,用V=(fmax-fmin�/f0表示�
  相位噪聲 短期�(wěn)定度的頻域量度。用單邊帶噪聲與載波噪聲之比£(f)表��£(f)與噪聲起伏的頻譜密度Sφ(f)和頻率起伏的頻譜密度Sy(f)直接相�(guān),由下式表示�   f2S(f�=f02Sy(f�=2f2£(f�   f-傅立葉頻率或偏離載波頻率;f0-載波頻率�

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