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LED芯片
閱讀�32150時間�2010-09-07 16:49:25

  LED Light Emitting Diode(�(fā)光二極管)的縮�。是一種固�(tài)的半�(dǎo)體器件LED芯片,它可以直接把電�(zhuǎn)化為光。LED的心臟是一個半�(dǎo)體的晶片,晶片的一端附在一個支架上,一端是�(fù)�,另一端連接電源的正極,使整個晶片被�(huán)氧樹脂封裝起�。半�(dǎo)體晶片由兩部分組成,一部分是P型半�(dǎo)�,在它里面空穴占主導(dǎo)地位,另一端是N型半�(dǎo)�,在這邊主要是電�。但這兩種半�(dǎo)體連接起來的時候,它們之間就形成一個P-N�(jié)。當(dāng)電流通過�(dǎo)線作用于這個晶片的時�,電子就會被推向P區(qū),在P區(qū)里電子跟空穴�(fù)�,然后就會以光子的形式發(fā)出能�,這就是LED�(fā)光的原理。而光的波長也就是光的顏色,是由形成P-N�(jié)的材料決定的

分類

  按用途來分類:可根據(jù)用途分為大功率led芯片、小功率led芯片兩種�

  按顏色來分:主要分為三種:紅�、綠色、藍(lán)色(制作白光的原料)�

  按形狀分類:一般分為方�、圓片兩��

  按大小分類:小功率的芯片一般分�8mil�9mil�12mil�14mil�

制作工藝

  LED的制作流程全過程包括13�,具體如下:

  1.LED芯片檢驗

  鏡檢:材料表面是否有�(jī)械損傷及麻點麻坑(lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完�

  2.LED�(kuò)�

  由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(�0.1mm),不利于后工序的操作。我們采用擴(kuò)片機(jī)對黏�(jié)芯片的膜�(jìn)行擴(kuò)�,是LED芯片的間距拉伸到�0.6mm。也可以采用手工�(kuò)�,但很容易造成芯片掉落浪費等不良問題�

  3.LED點膠

  在LED支架的相�(yīng)位置點上銀膠或絕緣��(對于GaAs、SiC�(dǎo)電襯�,具有背面電極的紅光、黃�、黃綠芯�,采用銀�。對于藍(lán)寶石絕緣襯底的藍(lán)光、綠光LED芯片,采用絕緣膠來固定芯片�)

  工藝難點在于點膠量的控制,在膠體高度、點膠位置均有詳�(xì)的工藝要求�

  由于銀膠和絕緣膠在貯存和使用均有嚴(yán)格的要求,銀膠的醒料、攪�、使用時間都是工藝上必須注意的事��

  4.LED備膠

  和點膠相�,備膠是用備膠機(jī)先把銀膠涂在LED背面電極�,然后把背部帶銀膠的LED安裝在LED支架上。備膠的效率�(yuǎn)高于點膠,但不是所有產(chǎn)品均適用備膠工藝�

  5.LED手工刺片

  將擴(kuò)張后LED芯片(備膠或未備膠)安置在刺片臺的夾具上,LED支架放在夾具底下,在顯微鏡下用針將LED芯片一個一個刺到相�(yīng)的位置上。手工刺片和自動裝架相比有一個好�,便于隨時更換不同的芯片,適用于需要安裝多種芯片的�(chǎn)��

  6.LED自動裝架

  自動裝架其實是結(jié)合了沾膠(點膠)和安裝芯片兩大步�,先在LED支架上點上銀�(絕緣�),然后用真空吸嘴將LED芯片吸起移動位置,再安置在相�(yīng)的支架位置上。自動裝架在工藝上主要要熟悉�(shè)備操作編�,同時對�(shè)備的沾膠及安裝精度�(jìn)行調(diào)�。在吸嘴的選用上盡量選用膠木吸嘴,防止對LED芯片表面的損�,特別是�(lán)、綠色芯片必須用膠木的。因為鋼嘴會劃傷芯片表面的電流擴(kuò)散層�

  7.LED燒結(jié)

  燒結(jié)的目的是使銀膠固�,燒�(jié)要求對溫度�(jìn)行監(jiān)�,防止批次性不�。銀膠燒�(jié)的溫度一般控制在150�,燒�(jié)時間2小時。根�(jù)實際情況可以�(diào)整到170℃,1小時。絕緣膠一�150℃,1小時�

  銀膠燒�(jié)烘箱的必須按工藝要求�2小時(�1小時)打開更換燒結(jié)的產(chǎn)�,中間不得隨意打�。燒�(jié)烘箱不得再其他用�,防止污染�

  8.

  壓焊的目的將電極引到LED芯片�,完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接工作�

  LED的壓焊工藝有金絲球焊和鋁絲壓焊兩�。右圖是鋁絲壓焊的過�,先在LED芯片電極上壓上點,再將鋁絲拉到相�(yīng)的支架上�,壓上第二點后扯斷鋁�。金絲球焊過程則在壓點前先燒個球,其余過程類��

  壓焊是LED封裝技�(shù)中的�(guān)鍵環(huán)節(jié),工藝上主要需要監(jiān)控的是壓焊金�(鋁絲)拱絲形狀,焊點形狀,拉��

  9.LED封膠

  LED的封裝主要有點膠、灌�、模壓三�?;旧瞎に嚳刂频碾y點是氣泡、多缺料、黑�。設(shè)計上主要是對材料的選�,選用結(jié)合良好的�(huán)氧和支架�(一般的LED無法通過氣密性試�)

  9.1LED點膠�

  TOP-LED和Side-LED適用點膠封裝。手動點膠封裝對操作水平要求很高(特別是白光LED),主要難點是對點膠量的控�,因為環(huán)氧在使用過程中會變稠。白光LED的點膠還存在熒光粉沉淀�(dǎo)致出光色差的問題�

  9.2LED灌膠封裝

  Lamp-LED的封裝采用灌封的形式。灌封的過程是先在LED成型模腔�(nèi)注入液態(tài)�(huán)�,然后插入壓焊好的LED支架,放入烘箱讓�(huán)氧固化后,將LED從模腔中脫出即成��

  9.3LED模壓封裝

  將壓焊好的LED支架放入模具�,將上下兩副模具用液壓機(jī)合模并抽真空,將固態(tài)�(huán)氧放入注膠道的入口加熱用液壓頂桿壓入模具膠道�,環(huán)氧順著膠道�(jìn)入各個LED成型槽中并固��

  10.LED固化與后固化

  固化是指封裝�(huán)氧的固化,一般環(huán)氧固化條件在135℃,1小時。模壓封裝一般在150��4分鐘。后固化是為了讓�(huán)氧充分固化,同時對LED�(jìn)行熱老化。后固化對于提高�(huán)氧與支架(PCB)的粘接強(qiáng)度非常重�。一般條件為120��4小時�

  11.LED切筋和劃�

  由于LED在生�(chǎn)中是連在一起的(不是單�),Lamp封裝LED采用切筋切斷LED支架的連筋。SMD-LED則是在一片PCB板上,需要劃片機(jī)來完成分離工��

  12.LED測試

  測試LED的光電參�(shù)、檢驗外形尺�,同時根�(jù)客戶要求對LED�(chǎn)品�(jìn)行分��

技�(shù)�(fā)�?fàn)顩r

  對于�(biāo)�(zhǔn)管芯�200-350μm2�,日本日亞公司報道的研究水平,紫光(400 nm�22 mW,其外量子效率為35.5[%],藍(lán)�(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率為34.9[%]。美國Cree公司可以提供功率大于15 mW 的藍(lán)色發(fā)光芯�(455�475 nm)和功率為21 mW的紫光發(fā)光芯片(395�410 nm),8 mW 綠光�505�525 nm)發(fā)光芯�。臺灣現(xiàn)在可以向市場提供6 mW左右的藍(lán)光和4 mW左右的紫光芯片,其實驗室水平可以�(dá)到藍(lán)�10 mW和紫�7�8 mW的水�。國�(nèi)的公司可以向市場提供3�4mW的藍(lán)光芯�,研究單位的水平為藍(lán)�6 mW左右,綠�1�2 mW,紫�1�2 mW�   隨著外延生長技�(shù)和多量子阱結(jié)�(gòu)的發(fā)展,超高亮度�(fā)光二極管的內(nèi)量子效率己有了非常大的改�,如波長625 nm AlGaInP基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率可達(dá)�100[%],已接近極限�

  lGaInN基材料內(nèi)存在的晶格和熱失配所致的缺陷、應(yīng)力和電場等使得AlGaInN基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率比較�,但也在35�50[%]之間,半�(dǎo)體材料本身的光電�(zhuǎn)換效率己�(yuǎn)高過其它�(fā)光光�,因此提高芯片的外量子效率是提高�(fā)光效率的�(guān)�。這在很大程度上要求設(shè)計新的芯片結(jié)�(gòu)來改善芯片出光效率,�(jìn)而達(dá)到提升發(fā)光效�(或外量子效率)的目�,大功率芯片技�(shù)也就專注于如何提升出光效率來提升芯片的發(fā)光效率,主要技�(shù)途徑和發(fā)�?fàn)顩r闡述如下�

  1)改變芯片外形的技�(shù)

  �(dāng)�(fā)射點處于球的中心處時,球形芯片可以獲得的出光效率。改變芯片幾何形狀來提升出光效率的想法早在60年代就用于二極管芯片,但由于成本原因一直無法實�。在實際�(yīng)用中,往往是制作特殊形狀的芯片來提高�(cè)向出光的利用效率,也可以在發(fā)光區(qū)底部(正面出光)或者外延層材料(背面出光)�(jìn)行特殊的幾何�(guī)格設(shè)�,并在適�(dāng)?shù)膮^(qū)域涂覆高防反射層薄膜,來提高芯片的側(cè)向出光利用率�

  1999年HP公司開發(fā)了倒金字塔形AlInGaP芯片并達(dá)到商用的目標(biāo),TIP�(jié)�(gòu)減少了光在晶體內(nèi)傳輸距離、減少了�(nèi)反射和吸收(有源區(qū)吸收和自由截流子吸收等)引起的光損�、芯片特性大幅度改善,發(fā)光效率達(dá)100流明/瓦(100 mA�610 nm�,外量子效率更達(dá)�55[%]�650 nm�,而面朝下的倒裝�(jié)�(gòu)使P-N�(jié)更接近熱�,改善了散熱特�,提高了芯片壽命�

  2)鍵合技�(shù)

  AlGaInP和AlGaInN基二極管外延片所用的襯底分別為GaAs和藍(lán)寶石,它們的�(dǎo)熱性能都較�。為了更有效的散熱和降低�(jié)�,可通過減薄襯底或去掉原來用于生長外延層的襯底,然后將外延層鍵合�(zhuǎn)移倒導(dǎo)電和�(dǎo)熱性能良好熱導(dǎo)率大的襯底上,如�、鋁、金錫合�、氮化鋁�。鍵合可用合金焊料如AuSn、PbSn、In等來完成。Si的熱�(dǎo)率比GaAs和藍(lán)寶石都好,而且易于加工,價格便宜,是功率型芯片的材��

  2001年,Cree推出的新一代XBTM系列背面出光的功率型芯片,其尺寸�0.9mm x 0.9mm,頂部引線鍵合墊處于中央位置,采�"�"字形電極使注入電流能夠較為均勻的�(kuò)�,底部采用AuSn合金將芯片倒裝焊接在管殼底盤上,具有較低的熱阻,工作電�400 mA�,波�405�470 nm的輸出光功率分別�250 mW�150 mW�

  3)倒裝芯片技�(shù)

  AlGaInN基二極管外延片一般是生長在絕緣的�(lán)寶石襯底�,歐姆接觸的P電極和N電極只能制備在外延表面的同一�(cè),正面射出的光部分將被接觸電極所吸收和鍵合引線遮擋。造成光吸收更主要的因素是P型GaN層電�(dǎo)率較�,為滿足電流�(kuò)展的要求,覆蓋于外延層表面大部分的半透明NiAu歐姆接觸層的厚度�(yīng)大于5-10 nm,但是要使光吸收最小,則NiAu歐姆接觸層的厚度必須非常�,這樣在透光率和�(kuò)展電阻率二者之間則要給以適�(dāng)?shù)恼壑?,折衷設(shè)計的�(jié)果必定使其功率轉(zhuǎn)換的提高受到了限��

  倒裝芯片技�(shù)可增大輸出功�、降低熱�,使�(fā)光的pn�(jié)靠近熱沉,提高器件可靠��2001年Lumileds報道了倒裝焊技�(shù)在大功率AlInGaN基芯片上的應(yīng)�,避免了電極焊點和引線對出光效率的影�,改善了電流�(kuò)散性和散熱�,背反射膜的制備將傳向下方的光反射回出光的藍(lán)寶石一�,�(jìn)一步提升出光效�,外量子效率�(dá)21[%],功率換效率�(dá)20[%]�200 mA�435 nm),功率�(dá)�400 mW(驅(qū)動電�1A�435 nm,芯片尺�1mm x 1mm�,其總體�(fā)光效率比正裝增加1.6��

中國對發(fā)展規(guī)�

  近年�,我國LED芯片技�(shù)快速發(fā)�。在過去的一年里,我國LED芯片企業(yè)�(shù)量快速增�,海外芯片企業(yè)加速�(jìn)入中國市�,我國LED芯片企業(yè)�(chǎn)能擴(kuò)�,LED芯片�(yè)正在�(jìn)入群雄逐鹿的戰(zhàn)國時�。在這種情況�,�(yīng)如何�(fā)展自己的核心技�(shù),如何在市場中立足、崛�,中國LED芯片�(yè)面臨考驗�

  目前我國�(lán)寶石襯底白光LED有很大突�,有報道顯�,光效已達(dá)�90lm/W-100lm/W。同�,具有自主技�(shù)�(chǎn)�(quán)的硅襯底白光LED也已�(jīng)�(dá)�90lm/W-96lm/W。中國LED芯片�(yè)正在加速發(fā)�。與此同�,海外芯片廠商也正在加速�(jìn)入中國市�,科銳(Cree)在惠州建�(shè)芯片�、旭明在廣東省建�(shè)LED芯片廠等�,都讓我們感�,中國LED芯片�(yè)未來山雨欲來�(fēng)滿樓的競爭態(tài)��

  一� 國內(nèi)�(xiàn)狀

  國產(chǎn)芯:�(guī)模小 檔次�

  雖然中國的LED�(chǎn)�(yè)越來越強(qiáng),但其高亮度產(chǎn)品的性能仍然落后于世界的水平。和海外制造商相比,中國公司是小�(guī)模的,在產(chǎn)品質(zhì)量上還存在著巨大的差�。國�(chǎn)LED芯片的大多數(shù)�(yīng)用在中低端的�(chǎn)品中,企業(yè)在技�(shù)上的突破偏少,特別是在電光�(zhuǎn)換效率上所做的工作偏少,未來�(yīng)該在這方面有所突破??傮w來講,LED�(yè)還是有些浮躁,基礎(chǔ)方面的研究不�。而功率型芯片與國外相比還有一定的差距,85[[%]]的大功率芯片還得依靠�(jìn)��

  “外芯”來�

  去年下半年以�,國際LED芯片大廠加快了向我國�(jìn)行投資布局的步�??其J、旭明的加速�(jìn)�,讓我國LED芯片�(chǎn)�(yè)感受到空前的緊迫感和競爭的壓�。蘇州納晶光電公司董事長、中科院蘇州納米所研究員梁秉文博士�(rèn)�,國際LED廠商在中國設(shè)廠是早晚的事,是時間問�。他們看好中國市場和相對低廉的智�,所以會逐漸將成熟的技�(shù)�(chǎn)品拿到中國來做。再加上中國的芯片企�(yè)競爭力弱,而中國對于芯片的需求又特別�,這些廠商�(jìn)入中國就好像“�(jìn)入無人之地��

  從另一個角度看,這些廠商的�(jìn)入也�(biāo)志著LED芯片技�(shù)已經(jīng)開始�(jìn)入成熟階�。當(dāng)然激烈的競爭也在往后的日子里等著我��

  二、發(fā)展之�

  師夷長技

  南昌欣磊光電科技有限公司副總�(jīng)理周力認(rèn)�,由于LED�(chǎn)�(yè)的特殊�,每個企�(yè)都面臨高技�(shù)、高投入、高�(fēng)險的壓力和挑�(zhàn),特別是在核心技�(shù)的掌�,人才、技�(shù)的引�(jìn),資金籌措與資本運�,�(xiàn)代企�(yè)管理,�(tuán)隊建�(shè)方面都存在許多實際困�,誰都想做大做�(qiáng)自己的企�(yè),但現(xiàn)實并非從事LED�(chǎn)�(yè)的每一個企�(yè)都能一帆風(fēng)順地解決上述問題�

  因此,�(xué)�(xí)和借鑒國外的先�(jìn)技�(shù)和經(jīng)驗特別是知名企業(yè)的做�,這對每個企�(yè)來說無疑會有很大幫助�

  目前來看,我國在小芯片上的差距不大,但功率型芯片與國外相比還有一定的差距。企�(yè)在技�(shù)上的突破偏少,特別是在電光�(zhuǎn)換效率上所做的工作偏少,未來�(yīng)該在這方面有所突破�

  我國LED芯片�(chǎn)�(yè)雖然比美�、日本和德國起步晚一�,技�(shù)水平也有相當(dāng)?shù)牟罹?但是隨著國內(nèi)對高端產(chǎn)品需求的增長,研發(fā)投入的加�,特別是海外高層次人才的引�(jìn),近一年來我國的技�(shù)�(jìn)步較�,比如浪潮華光10×23mil的藍(lán)光芯�,封裝成白光后,光效已經(jīng)�(dá)到了110lm/W以上,功率型WB紅光芯片的光效也�(dá)到了50lm/W,正在向量�(chǎn)的國際水平靠攏�

  �(shù)有專�

  在中�,舊的芯片廠商�(kuò)�(chǎn)與新的芯片廠的建立是因為大家看好LED市場�(fā)展的前景。在這個過程中,希望大家能夠吸取前段時間LED芯片�(chǎn)�(yè)�(fā)展過程中的經(jīng)驗與教訓(xùn)??辞迤駷橹筁ED芯片�(chǎn)�(yè)沒有做得足夠好的問題的根源所�。否�,盲目�(kuò)�(chǎn)或者投資新廠是一件非常危險的事。因�,一個企�(yè)快速成長的時�,也是容易死得最快的時�。這里有很大的管理和市場風(fēng)險。特別是,有些企業(yè)還沒有自己的核心技�(shù)和知識產(chǎn)�(quán),或沒有核心技�(shù)�(tuán)�,在這種情況�,大規(guī)模擴(kuò)�(chǎn)的風(fēng)險是巨大��

  國內(nèi)方面,廈門三安、大連路明等國內(nèi)LED芯片企業(yè)也在�(kuò)�(chǎn)、建�(shè)新廠,同時新的LED芯片企業(yè)�(shù)量也在不斷增�,有人�(rèn)�,中國LED芯片正在�(jìn)入戰(zhàn)國時�,對此說法,南昌欣磊光電科技有限公司副總�(jīng)理周力并不贊�。他�(rèn)�,LED芯片�(jìn)入戰(zhàn)國時�,這種說法不恰�(dāng)。周力認(rèn)�,�(dāng)前國�(nèi)LED芯片�(lǐng)域擴(kuò)�(chǎn)、新�、新增企�(yè)很正�,LED�(chǎn)�(yè)�(fā)展前景是明擺著的�,大家都在爭相投資�(fā)�,這是市場�(jīng)�(jì)的規(guī)律所在。廈門三安、大連路�、杭州士蘭明芯、山東浪潮華�、江西晶能光電等新興企業(yè)的崛起和壯大就是�(yīng)運LED�(chǎn)�(yè)�(fā)展而生的。每個企�(yè)都有自己的特�,都有自己的戰(zhàn)略及�(fā)展規(guī)�,�(chǎn)品結(jié)�(gòu)的不�,�(cè)重點的不�,�(jīng)營策略和工作方針的不同等,這對推動我國LED�(chǎn)�(yè)�(fā)�,促�(jìn)市場繁榮將產(chǎn)生重大的意義和深�(yuǎn)的影��

  以人為本 以“核”為�

  國際廠商的�(jìn)�,對于人才的競爭就更加不可避免,晶能光電(江西)有限公司常務(wù)副總裁王敏認(rèn)�,海外LED芯片廠商的大舉�(jìn)�,短期來看一定會使產(chǎn)�(yè)人才更加緊張,但從長期來看�(yīng)該會對我國LED�(chǎn)�(yè)人才培養(yǎng)起到積極的作用�

  目前中國LED芯片廠的、最急迫的任�(wù)是組建一支真正屬于自己的核心管理和技�(shù)�(tuán)隊。他們能與企�(yè)一起成長和�(fā)�。因為隨著新公司的建立和已有公司的擴(kuò)�(chǎn),再加上LED外延芯片人才還沒有正式的、系�(tǒng)的、大批量的培�(yǎng)�(jī)�(gòu),這些都會使得LED�(chǎn)�(yè)面臨人才�(yán)重短缺的問題。很多公司將采取各種手段找人、挖�,如果不能建立一個有效的人才激勵機(jī)�,有些公司的人才流失將變得不可避免�

  國家�(diào)� 科學(xué)�(fā)�

  從國家層面來�,我國LED�(chǎn)�(yè)正處在百花齊�、百花爭妍、加速發(fā)展的�(guān)鍵時�,針對這一特點,國家�(yīng)加強(qiáng)宏觀�(diào)�,分類指導(dǎo)各省、市在發(fā)展地方經(jīng)�(jì)的同時搞好科�(xué)�(guī)�、有序發(fā)�,避免熱門一擁而上,重復(fù)投資、重�(fù)建設(shè),重蹈浪費資金,浪費人力、物力的覆轍。同時轉(zhuǎn)變思路,�(zhuǎn)變觀�,科學(xué)�(fā)�,既有分工又有合作�(yīng)�(dāng)成為LED�(chǎn)�(yè)�(fā)展的共識與模�,在此大前提下各企�(yè)根據(jù)自身的特�,�(xié)�(diào)分工、科�(xué)�(guī)劃、科�(xué)管理、有序競�,走符合自我發(fā)展的道路,�(jìn)而共同推�(jìn)LED芯片制造業(yè)做大做強(qiáng)�

  總結(jié):十指合一 劍指“中國芯�

  中國的LED芯片廠家要想異軍突起,必須繼續(xù)以龍頭企�(yè)為主,加大研發(fā)投入和力�,掌握自主知識�(chǎn)�(quán)�

  我國擁有大量廉價的人力、物力和資源市場,加之國家政策的引�(dǎo)、扶�,已引起世界各國的高度�(guān)�。國際大公司都看到了中國未來�(fā)展走�,�(dāng)然不會放過這一商機(jī),紛紛加速擠�(jìn)中國的LED市場,這將加劇我國LED芯片�(chǎn)�(yè)的競�,而且�(yù)計這種競爭將非常慘�。但從另一個層面講競爭是必然的,落后就必須淘�,�(guān)鍵是作為民族工業(yè)的產(chǎn)�(yè)我�?nèi)绾螒?yīng)�,在學(xué)�(xí)、借鑒別人先�(jìn)技�(shù)的同時如何保�(hù)我們的民族工業(yè),�(fā)展自己的核心技�(shù),加強(qiáng)自身的創(chuàng)新能�,提升技�(shù)含量和技�(shù)水平、發(fā)展后�,最終站�(wěn)腳跟與國外知名企�(yè)抗衡�

  一場危�(jī)已經(jīng)悄悄臨近了我國的LED芯片廠。我國芯片廠�(yīng)該迅速地�(jìn)行上下游整合,明確自己的市場定�,選擇從一個應(yīng)用領(lǐng)域打開局�,才可能有生存和發(fā)展的希望。市場給中國芯片廠的時間已經(jīng)不多��

廠商介紹

  臺灣LED芯片廠商

  晶元光電(Epistar)簡稱:ES、(�(lián)�、元�,連勇,國�(lián)�,廣鎵光電(Huga),新世紀(jì)(Genesis Photonics�,華上(Arima Optoelectronics)簡稱:AOC,泰谷光電(Tekcore�,奇�,鉅新,光宏,晶�(fā),視�(chuàng),洲磊,�(lián)勝(HPO�,漢光(HL�,光磊(ED�,鼎元(Tyntek)簡稱:TK,曜富洲技TC,燦圓(Formosa Epitaxy),國�,聯(lián)鼎,全新光電(VPEC)等�

  華興(Ledtech Electronics)、東貝(Unity Opto Technology�、光鼎(Para Light Electronics�、億光(Everlight Electronics)、佰鴻(Bright LED Electronics�、今臺(Kingbright)、菱生精密(Lingsen Precision Industries�、立基(Ligitek Electronics)、光寶(Lite-On Technology�、宏�(HARVATEK)等�

  大陸LED芯片廠商

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