2SC3356-R25硅超高頻低噪�功率�是一種基于N型外延層�晶體�,因為該型號放大倍數(shù)�125-250檔的命名為R25,并且塑封體本體上印字為R25,所以簡稱為R25三極��
該三極管具有高功率增�、低噪聲特性、大動態(tài)范圍和理想的電流特�。主要應(yīng)用于超高頻低噪聲功率管主要應(yīng)用于VHF,UHF,CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產(chǎn)于NEC公司,現(xiàn)在國�(nèi)也有生產(chǎn)。北京鼎霖電子在該公司已有的軍用微波相控�?yán)走_(dá)功率放大器件生產(chǎn)技�(shù)的基�(chǔ)�,為民用市場研制開發(fā)了系列高頻微波三極管,包�2SC3356,2SC3357,BFQ591,2SC4226,BFR540,BFR520�,其性能指標(biāo)同NEC、philips同類�(chǎn)品相同�
擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
直流放大系數(shù)hFE:40�250 @VCE=3V,IC=7mA
集電�-基極截止電流ICBO:100nA(�)
�(fā)射極-基極截止電流IEBO:100nA(�)
特征頻率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA
集電極允許電流IC�0.1(A�
集電極允許耗散功率PT�0.2(W�
插入功率增益∣S21∣:9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
噪聲系數(shù)NF�1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
反饋電容Cre�0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz�
貯存溫度Tstg:-65~150�
封裝形式:SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
功率特性:中功�
極性:NPN�
�(jié)�(gòu):擴(kuò)散型
材料:硅(Si)
封裝材料:塑料封�
維庫電子�,電子知識,一查百��
已收錄詞�168184�