半橋電路包括用于驅(qū)動(dòng)各個(gè)下部晶體管(T1)和上部晶體管(T2)的低端驅(qū)動(dòng)模塊(110)和高端驅(qū)動(dòng)模塊(210)。每個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊(110,210)是電荷俘獲電路,其中低端驅(qū)動(dòng)模塊(110)用電容性負(fù)載(C)上的電荷驅(qū)動(dòng)低端晶體管(T1),以及高端驅(qū)動(dòng)模塊(210)在它被高電壓源驅(qū)動(dòng)時(shí)交替地重新充電該電容性負(fù)載(C)。每個(gè)電荷俘獲電路(110,210)還包括二極管(D1,D2),它阻止在被驅(qū)動(dòng)的晶體管(T1,T2)的柵極上電荷的非故意損失,以及包括齊納二極管(Z1,Z2),它把柵極電壓箝位在安全電平。這樣,半橋電路被有效地驅(qū)動(dòng),而不需要輔助電源。
上部晶體管(T2)
其具有一源極被連接到輸出端(120),以及具有一漏極被連接到軌(130)用于施加高直流電壓;
下部晶體管(T1)
其具有一源極被連接到軌(140)用于施加低直流電壓,以及具有一漏極被連接到輸出端(120);
上部晶體管控制電路(HS),用于通過把一個(gè)信號(hào)施加到上部晶體管(T1)的控制端而驅(qū)動(dòng)該上部晶體管(T2);以及下部晶體管控制電路(110),用于通過把一個(gè)信號(hào)施加到下部晶體管(T1)的控制端而驅(qū)動(dòng)下部晶體管(T1),該下部晶體管控制電路 (110)包括:第三晶體管(T3),其具有一漏極被連接到輸出端(120),以及其具有一源極被連接到二極管(D1)的陽極,該二極管(D1)的陰極被連接到下部晶體管(T1)的控制端;以及第四晶體管(T4),其具有一漏極被連接到下部晶體管(T1)的控制端,以及其具有一源極被連接到用于施加低直流電壓的軌(140)。
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