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10nm芯片
閱讀�4712�(shí)間:2018-04-02 14:45:53

10nm芯片是指采用10nm制程的一種芯片�1995年起,芯片制造工藝從0.5μm�0.35μm�0.25μm�0.18μm�0.15μm�0.13μm,發(fā)展到90nm�65nm�45nm�32nm�22nm�16nm�14nm,再到即將到來的10nm,芯片的制程工藝不斷�(fā)�,集成度不斷提高,這一趨勢(shì)還將持續(xù)下去�

�(chǎn)品代�

  手機(jī)處理�
  高通方面表�,由于采用全新的10納米制程工藝,驍�835處理器將具備更低的功耗以及更高性能,從而提升移�(dòng)�(shè)備的用戶體驗(yàn)。借助10納米工藝制程,高通驍�835處理器具備更小的SoC尺寸,讓OEM廠商可以�(jìn)一步優(yōu)化移�(dòng)�(shè)備的�(jī)身內(nèi)部結(jié)�(gòu),比如增加電池或是實(shí)�(xiàn)更輕薄的�(shè)�(jì)等等。此�,制程工藝的提升也會(huì)改善電池�(xù)航能力�
  服務(wù)器處理器
  高通于12月初宣布�10奈米服務(wù)器芯片開始送樣。QualcommCentriq2400系列處理器,為QualcommCentriq系列的首款產(chǎn)�,采用的10nm鰭式制�(FinFET)技�(shù),可配置48顆核�。高通還演示了在QualcommCentriq2400處理器上�(yùn)行基于Linux和Java的ApacheSpark和Hadoop。QualcommCentriq2400處理器系列目前已�(jīng)向主要的潛在客戶提供樣品,并�(yù)�(jì)�2017年下半年�(shí)�(xiàn)商用�

技�(shù)突破

  新材料的�(yīng)�
  目前,制造芯片的原材料以硅為�。不�,硅的物理特性限制了芯片的發(fā)展空��2015�4月,英特爾宣�,在�(dá)�7nm工藝之后將不再使用硅材料�
  III-V族化合物、石墨烯等新材料為突破硅基芯片的瓶頸提供了可�,成為眾多芯片企�(yè)研究的焦�(diǎn),尤其是石墨��
  相比硅基芯片,石墨烯芯片擁有極高的載流子速度、優(yōu)異的等比縮小特性等�(yōu)�(shì)。IBM表示,石墨烯中的電子遷移速度是硅材料�10�,石墨烯芯片的主頻在理論上可�(dá)300GHz,而散熱量和功耗卻�(yuǎn)低于硅基芯片。麻省理工學(xué)院的研究�(fā)�(xiàn),石墨烯可使芯片的運(yùn)行速率提升百萬��
  制約石墨烯芯片的因素是石墨烯的成本問題,不過隨著制作工藝已逐漸成熟,石墨烯的成本呈下降趨勢(shì),石墨烯芯片量產(chǎn)的日子也不會(huì)太遠(yuǎn)�2011年底,寧波墨西科技建成年產(chǎn)300噸的石墨烯生�(chǎn)線,每克石墨烯銷售價(jià)格只�1��2016�4�,華訊方舟做出了石墨烯太赫茲芯片�
  新技�(shù)的應(yīng)�
  除了FinFIT技�(shù)�,三�、英特爾等芯片廠商近些年紛紛投入到FD-SOI(全耗盡絕緣體硅)工�、硅光子技�(shù)�3D堆疊技�(shù)等的研究�,以求突破FinFET的制造極限,擁有更多的主�(dòng)�(quán)。各種新技�(shù)�,猶�3D堆疊技�(shù)為研究重�(diǎn)�
  3D堆疊技�(shù)通過在存�(chǔ)層上疊加邏輯層,將芯片的�(jié)�(gòu)由平面型升級(jí)成立體型,大大縮短互連線長度,使得數(shù)�(jù)傳輸更快,所受干擾更小�

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