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�(nèi)�
閱讀�28869�(shí)間:2010-10-21 11:50:23

  �(nèi)存的正式叫法是內(nèi)存儲(chǔ)�,以此來與外存儲(chǔ)器區(qū)分開。物理上它安裝在�(jì)算機(jī)�(nèi)�,通常安裝在主板上,所以稱為內(nèi)�。它的作用是供暫�(shí)存儲(chǔ)處理�需要處理的�(shù)�(jù)或處理后的結(jié)果,可見�(nèi)存是�(jì)算機(jī)處理器的工作空間。它是處理器�(yùn)行的程序和數(shù)�(jù)必須駐留于其中的一�(gè)臨時(shí)存儲(chǔ)區(qū)�,是�(jì)算機(jī)十分重要的部��

物理概念

  1.只讀存儲(chǔ)器(ROM�

  ROM表示只讀存儲(chǔ)器(Read Only Memory�,在制造ROM的時(shí)�,信息(�(shù)�(jù)或程序)就被存入并保�。這些信息只能讀�,不能寫�,而且即使�(jī)器掉�,數(shù)�(jù)也不�(huì)丟失�

  2.隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM�

  RAM表示隨機(jī)存儲(chǔ)器(Random Access Memory�,我們既可以從RAM中讀取數(shù)�(jù),也可以寫入�(shù)�(jù)。當(dāng)�(jī)器電源關(guān)閉時(shí),RAM中的�(shù)�(jù)就會(huì)丟失。我們通常購買或升�(jí)的內(nèi)存條就是將RAM集成塊集中在一起的一塊小電路板。它插在主板的內(nèi)存插槽上,以減少RAM集成塊占用的空間,目前市�(chǎng)上常見內(nèi)存條�64M�128M�256M�

  3.高速緩沖存�(chǔ)器(Cache�

  Cache位于CPU與內(nèi)存之�,是一�(gè)讀寫速度比內(nèi)存更快的存儲(chǔ)�。當(dāng)CPU向內(nèi)存中寫入或讀取數(shù)�(jù)的時(shí)�,這些�(shù)�(jù)也會(huì)被存�(chǔ)�(jìn)高速緩存中,當(dāng)CPU再次需要這些�(shù)�(jù)的時(shí)�,CPU就從高速緩存中讀取數(shù)�(jù),而不�(huì)訪問�(nèi)�,這樣就會(huì)提高速度�

�(jié)�(gòu)

  �(nèi)存條的結(jié)�(gòu)

  �(nèi)存條由內(nèi)存芯�、SPD(系列參�(shù)�(yù)置檢�(cè))芯片、少量電阻等輔助元件以及印刷電路板(PCB)組��

  1.�(nèi)存芯�

  �(nèi)存芯片俗稱內(nèi)存顆�,內(nèi)存芯片是�(nèi)存條的關(guān)鍵元�,它的性能決定了內(nèi)存條的性能�

  芯片類型

  芯片類型取決于內(nèi)存芯片的工作方式,常用的�(nèi)存芯片類型有以下幾種�

  類是EDO DRAM(數(shù)�(jù)�(kuò)展輸出DRAM)芯�,用此類芯片組裝的內(nèi)存條使用5V工作電壓,存取速度也比較慢。它們一般應(yīng)用在486以及型號(hào)較老的586或服�(wù)器電腦中,現(xiàn)在生�(chǎn)的電腦主板已�(jīng)不再使用��

  第二類是SDRAM(同步DRAM)芯片,使用3.3V的工作電�。特�(diǎn)是工作時(shí)鐘與CPU外頻同步,因此數(shù)�(jù)存取速度較快。目前電腦中使用最多的就是SDRAM�(nèi)存條(見�1��

  第三類是RDRAM(Rambus DRAM,使�2.5V工作電壓)和VCM(虛擬通道模式DRAM�,這兩類內(nèi)存芯片雖然存取速度比較快,但由于價(jià)格偏�、支持的主板少等原因一直沒有得到廣泛應(yīng)��

  還有一類是最近開�(fā)的DDR SDRAM芯片,使�2.5V的工作電壓。其特點(diǎn)是利用工作時(shí)鐘脈沖的�、下沿同�(shí)傳送數(shù)�(jù),因此將傳輸速率在SDRAM芯片的基�(chǔ)上提高了一�。如果今后能在價(jià)格上為廣大用戶所接受,那么它將是今后的電腦主流內(nèi)��

  品牌和型�(hào)

  芯片在封裝后采用激光等方式�(biāo)記上品牌、型�(hào)和產(chǎn)品序�(hào)�,其中型�(hào)反映芯片的容�、工作時(shí)鐘頻率等指標(biāo),所以理論上我們可以根�(jù)�(nèi)存條所使用的芯片品牌和型號(hào)來判斷具體內(nèi)存條的實(shí)際容量和工作頻率等指�(biāo)。但由于各芯片生�(chǎn)廠家的型�(hào)�(biāo)記形式不�(tǒng)一,因此即使是�(jīng)�(yàn)豐富的電腦愛好者也需在查找相�(guān)資料后才能做到這一�(diǎn)�

  2.SPD芯片

  SPD(系列參數(shù)�(yù)置檢�(cè))芯片是一塊EEPROM(電擦寫編程ROM�,其中保存由生產(chǎn)廠家�(yù)置的�(nèi)存工作參�(shù),這些�(shù)�(jù)基本上代表了芯片的實(shí)際性能和質(zhì)量�

  3.印刷電路板和安裝接口

  電路板的層數(shù)

  �(nèi)存條電路板一般都采用多層電路板布線后再壓制成一塊的方法,這是為避免內(nèi)存條電路中信�(hào)和電源等線路�*�(chǎn)生相互干擾。所以內(nèi)存條的電路板一般都�4層至6層左�。各種內(nèi)存條的技�(shù)�(guī)范也�(duì)電路板的具體層數(shù)作了�(guī)��

  電路板上的芯片預(yù)留位

  只要我們稍微留心就可以�(fā)�(xiàn)絕大多數(shù)�(nèi)存條上的芯片�(shù)量都是偶�(shù),這是�?yàn)�?nèi)存是�32位(72線)�64位數(shù)�(jù)總線來設(shè)�(jì)、安裝芯�。一般情況下電路板安�4��8片或16片芯片,但如果內(nèi)存條在ECC校驗(yàn)�(shí)還將需要一片內(nèi)存芯�,這樣�(nèi)存條就必須安�5片�9片芯�,廠家在�(shè)�(jì)�(nèi)存條電路板時(shí)也考慮到這點(diǎn),所以芯片數(shù)量是偶數(shù)的內(nèi)存電路板上總空有一�(gè)芯片安裝�。內(nèi)存條是否具有ECC校驗(yàn)不能只看芯片�(shù)�,而應(yīng)該通過電腦BIOS自檢判斷�

  ECC是中文為“錯(cuò)誤檢查和糾正”的英文縮寫。ECC工作原理�(jiǎn)單的說就是:在電腦向�(nèi)存中寫數(shù)�(jù)�(shí)�(huì)�(chǎn)生一組代碼(保存在增加的存儲(chǔ)芯片�(nèi)�,當(dāng)電腦從內(nèi)存中讀�(shù)�(jù)�(shí)�(huì)與原先保存的代碼和新�(chǎn)生的代碼�(jìn)行比�,因此能通過代碼誤差�(fā)�(xiàn)�(cuò)誤并能通過代碼糾正�(shù)�(jù)�(cuò)��

性能因素

  1、速度

  �(nèi)存的速度通常以ns納秒表示,而處理器速度總是用MHz(兆赫茲)或GHz(吉赫茲)表�。芯片和系統(tǒng)的速度一直用兆赫茲來表示,即每秒百萬�(gè)周期。下表給出了納秒和兆赫茲之間的關(guān)�

兆赫茲與納秒的換算

  由此看出,隨著始終速度的提高,周期�(shí)間也相應(yīng)的下��

  2、DRAM芯片類型

  a、快速頁模式DRAM

  �(biāo)�(zhǔn)的DRAM是通過分頁技�(shù)來�(jìn)行訪問的。正常的�(nèi)存訪問需要選擇一�(gè)行地址和一�(gè)列地址,會(huì)耗費(fèi)�(shí)間。內(nèi)存分頁是一種改善內(nèi)存性能的簡(jiǎn)單機(jī)�,為了�(jìn)一步提高內(nèi)存訪問速度,系�(tǒng)已經(jīng)�(fā)展成允許�(duì)DRAM�(jìn)行更快的訪問�

  b、EDO RAM

  EDO RAM是奔騰系�(tǒng)里出�(xiàn)的新型RAM,是FPM�(nèi)存的改�(jìn)形式,也被稱為超頁模�。一般是72針的SIMM形式

  c、SDRAM

  SDRAM即同步DRAM,是一種與�(nèi)存總線時(shí)鐘同步運(yùn)行的DRAM,它的高速定�(shí)接口可以極高速度的突�(fā)傳輸信息,消除了大部分延�,信�(hào)與主板時(shí)鐘同�

DDR2與DDR3介紹與比�

  DDR2

  DDR2(Double Data Rate 2� SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))�(jìn)行開�(fā)的新生代�(nèi)存技�(shù)�(biāo)�(zhǔn),它與上一代DDR�(nèi)存技�(shù)�(biāo)�(zhǔn)的不同就�,雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同�(shí)�(jìn)行數(shù)�(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2�(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR�(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit�(shù)�(jù)讀�(yù)?�?。換句話�,DDR2�(nèi)存每�(gè)�(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)�(jù),并且能夠以�(nèi)部控制總�4倍的速度�(yùn)行�

  此外,由于DDR2�(biāo)�(zhǔn)�(guī)定所有DDR2�(nèi)存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛�(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式,F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱�,為DDR2�(nèi)存的�(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了�(jiān)�(shí)的基�(chǔ)。回想起DDR的發(fā)展歷�,從代應(yīng)用到�(gè)人電腦的DDR200�(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技�(shù),代DDR的發(fā)展也走到了技�(shù)的極限,已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高�(nèi)存的工作速度;隨著Intel處理器技�(shù)的發(fā)展,前端總線�(duì)�(nèi)存帶寬的要求是越來越�,擁有更高更�(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2�(nèi)存將是大�(shì)所趨�

  DDR3

  DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓� 從DDR2�1.8V降落�1.5V,性能更好更為省電;DDR2�4bit�(yù)讀升級(jí)�8bit�(yù)讀。DDR3目前能夠�(dá)�2000Mhz的速度,盡管目前最為快速的DDR2�(nèi)存速度已經(jīng)提升�800Mhz/1066Mhz的速度,但是DDR3�(nèi)存模組仍�(huì)�1066Mhz起跳�

  DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型�(shè)�(jì)�

  1�8bit�(yù)取設(shè)�(jì),而DDR2�4bit�(yù)取,這樣DRAM�(nèi)核的頻率只有接口頻率�1/8,DDR3-800的核心工作頻率只�100MHz�

  2.采用點(diǎn)�(duì)�(diǎn)的拓樸架�(gòu),以減輕地址/命令與控制總線的�(fù)�(dān)�

  3.采�100nm以下的生�(chǎn)工藝,將工作電壓�1.8V降至1.5V,增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能

  DDR3與DDR2幾�(gè)主要的不同之�

  1.突發(fā)�(zhǎng)度(Burst Length,BL�   由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突�(fā)傳輸周期(Burst Length,BL)也固定�8,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),BL=4也是常用�,DDR3為此增加了一�(gè)4bit Burst Chop(突�(fā)突變)模�,即由一�(gè)BL=4的讀取操作加上一�(gè)BL=4的寫入操作來合成一�(gè)BL=8的數(shù)�(jù)突發(fā)傳輸,屆�(shí)可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的�,任何突�(fā)中斷操作都將在DDR3�(nèi)存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突�(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))�

  2.尋址�(shí)序(Timing�   就像DDR2從DDR�(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一�,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2�5之間,而DDR3則在5�11之間,且附加延遲(AL)的�(shè)�(jì)也有所變化。DDR2�(shí)AL的范圍是0�4,而DDR3�(shí)AL有三種選�(xiàng),分別是0、CL-1和CL-2。另�,DDR3還新增加了一�(gè)�(shí)序參�(shù)——寫入延遲(CWD�,這一參數(shù)將根�(jù)具體的工作頻率而定�

  3.DDR3新增的重置(Reset)功�   重置是DDR3新增的一�(xiàng)重要功能,并為此專門�(zhǔn)備了一�(gè)引腳。DRAM�(yè)界很早以前就要求增加這一功能,如今終于在DDR3上實(shí)�(xiàn)�。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得�(jiǎn)�。當(dāng)Reset命令有效�(shí),DDR3�(nèi)存將停止所有操�,并切換至最少量活動(dòng)狀�(tài),以節(jié)約電��

  在Reset期間,DDR3�(nèi)存將�(guān)閉內(nèi)在的大部分功�,所有數(shù)�(jù)接收與發(fā)送器都將�(guān)�,所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位,DLL(延遲鎖相環(huán)路)與時(shí)鐘電路將停止工作,而且不理睬數(shù)�(jù)總線上的任何�(dòng)�。這樣一�,將使DDR3�(dá)到最節(jié)省電力的目的�

  4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能   ZQ也是一�(gè)新增的腳,在這�(gè)引腳上接有一�(gè)240歐姆的低公差參考電�。這�(gè)引腳通過一�(gè)命令�,通過片上校準(zhǔn)引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)來自動(dòng)校驗(yàn)�(shù)�(jù)輸出�(qū)�(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終�(jié)電阻�。當(dāng)系統(tǒng)�(fā)出這一指令后,將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期(在加電與初始化之后用512�(gè)�(shí)鐘周�,在退出自刷新操作后用256�(gè)�(shí)鐘周期、在其他情況下用64�(gè)�(shí)鐘周期)�(duì)�(dǎo)通電阻和ODT電阻�(jìn)行重新校�(zhǔn)�

  5.參考電壓分成兩�(gè)   在DDR3系統(tǒng)中,�(duì)于內(nèi)存系�(tǒng)工作非常重要的參考電壓信�(hào)VREF將分為兩�(gè)信號(hào),即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為�(shù)�(jù)總線服務(wù)的VREFDQ,這將有效地提高系�(tǒng)�(shù)�(jù)總線的信噪等�(jí)�

  6.�(diǎn)�(duì)�(diǎn)連接(Point-to-Point,P2P�   這是為了提高系統(tǒng)性能而�(jìn)行的重要改動(dòng),也是DDR3與DDR2的一�(gè)�(guān)鍵區(qū)�。在DDR3系統(tǒng)�,一�(gè)�(nèi)存控制器只與一�(gè)�(nèi)存通道打交�,而且這�(gè)�(nèi)存通道只能有一�(gè)插槽,因�,內(nèi)存控制器與DDR3�(nèi)存模組之間是�(diǎn)�(duì)�(diǎn)(P2P)的�(guān)系(單物理Bank的模組),或者是�(diǎn)�(duì)雙點(diǎn)(Point-to-two-Point,P22P)的�(guān)系(雙物理Bank的模組),從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)�(jù)總線的負(fù)�。而在�(nèi)存模組方�,與DDR2的類別相類似,也有標(biāo)�(zhǔn)DIMM(臺(tái)式PC�、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆記本電腦�、FB-DIMM2(服�(wù)器)之分,其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2(內(nèi)存緩沖器��

廠商

  目前比較的內(nèi)存廠商有金士�,威剛,十銓,現(xiàn)�,勝�(chuàng)、宇瞻等�

維庫電子�,電子知�(shí),一查百��

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