用雙極型晶體管構(gòu)成的隨機(jī)存儲(chǔ)�。它在半�(dǎo)體存�(chǔ)器中是最先研制成功的,用作�(jì)算機(jī)的緩沖存�(chǔ)�,使運(yùn)算速度顯著提高。雙極型隨機(jī)存儲(chǔ)器的速度比磁芯存�(chǔ)器速度約快 3�(gè)�(shù)量級(jí),而且與雙極型邏輯電路型式相同,使接口大為�(jiǎn)化。雙極型隨機(jī)存儲(chǔ)器的制造工藝比 NMOS(見(jiàn)N溝道金屬-氧化�-半導(dǎo)體集成電路)�(fù)�,密度不� MOS金屬-氧化�-半導(dǎo)體動(dòng)�(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)�。在半導(dǎo)體存�(chǔ)器中,雙極型隨�(jī)存儲(chǔ)器發(fā)展速度最�,在計(jì)算機(jī)高速緩沖存�(chǔ)�、控制存�(chǔ)�、超高速大型計(jì)算機(jī)主存�(chǔ)器等方面仍獲得廣泛應(yīng)用。超高速發(fā)射極耦合邏輯電路隨機(jī)存儲(chǔ)器和高集成密度集成注入邏輯電路隨�(jī)存儲(chǔ)器已有新的發(fā)��
�1和圖2是雙極型隨機(jī)存儲(chǔ)器典型單元線路圖和剖面結(jié)�(gòu),其基本�(jié)�(gòu)是觸�(fā)器。圖3是典型的雙極型靜�(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器框圖。每�(gè)單元有一根字�,二根位�。單元的電流(或電壓)由字線控制,信息的寫入和讀出由位線控制。單元有二種狀�(tài),即選中狀�(tài)和等待狀�(tài)(又稱維持狀�(tài))。為減少功�,等待狀�(tài)的維持電流越小越好。選中時(shí),�(yīng)用足夠的讀寫電�,避免誤讀。圖1的單元采用電阻和二極管并�(lián)作為�(fù)載,采用浮動(dòng)電壓方式工作;等待時(shí),電壓低,二極管截止,電流受大電阻RC�20�40千歐)所�,約�15�40微安之間,選中時(shí),電壓上�,二極管通導(dǎo),位線電流可達(dá)400�500微安,不致誤讀。這種單元�(jié)�(gòu)雖然�8�(gè)元件,�(yùn)用設(shè)�(jì)技巧可使所占用的硅片面積不致過(guò)�,僅略大于一�(gè)雙發(fā)射極晶體�。當(dāng)集成度�(jìn)一步提高到 16k位時(shí),�1單元的等待狀�(tài)電流�(guò)�,可采用�2單元。等待狀�(tài)的電流可� 15微安下降�3微安,這種單元電路�(shí)際上是由二只可控硅構(gòu)成的觸發(fā)器組成,采用浮動(dòng)字線電壓工作方式。等待狀�(tài)電流約為3微安;選中狀�(tài)�(shí),電壓提高,信息電流約達(dá)1毫安�