瞬態(tài)抑制二極�是一種能把瞬�(tài)電壓抑制在被保護(hù)元件能承受的安全水平的高效能保護(hù)器件。瞬�(tài)電壓�交流電路上電流與電壓的一種瞬�(shí)�(tài)的畸�,會(huì)�(duì)微電�半導(dǎo)�芯片造成損壞。雖然有些微電子半導(dǎo)體芯片受到瞬�(tài)電壓侵襲�,它的性能沒有明顯的下�,但是多次累積的侵襲�(huì)給芯片器件造成�(nèi)傷而形成隱患。瞬�(tài)抑制二極管能夠有效地保護(hù)電子�路中的精密元器件,免受各種浪涌脈沖的損壞�
瞬態(tài)電壓是交流電路上電流與電壓的一種瞬�(shí)�(tài)的畸�。浪涌、諧波為主要的表�(xiàn)形式。超高壓是指通常的瞬�(tài)電壓尖峰,高出正常電路電壓幅值的好幾�。瞬�(shí)�(tài)是指瞬態(tài)電壓持續(xù)的時(shí)間非常之短,它可以在�(shù)億分之一秒內(nèi)完成迸發(fā)到消失的過程。高頻次是指瞬態(tài)電壓的活�(dòng)十分頻繁,可以說無時(shí)不有、無處不�。瞬�(tài)電壓是會(huì)�(duì)微電子半�(dǎo)體芯片造成損壞�。雖然有些微電子半導(dǎo)體芯片受到瞬�(tài)電壓侵襲�,它的性能沒有明顯的下�,但是多次累積的侵襲�(huì)給芯片器件造成�(nèi)傷而形成隱患。瞬�(tài)電壓�(duì)芯片器件造成的損傷難以與其它原因造成的損傷加以區(qū)�, 從而不自覺地掩蓋了失效的真正原�。由于微電子半導(dǎo)體芯片的�、細(xì)、結(jié)�(gòu), 如要替換或修理需要使用高度精密儀�,是非常費(fèi)�(cái)?shù)?。為一的有效方法就是把瞬態(tài)電壓抑制在被保護(hù)元件能承受的安全水平。瞬�(tài)抑制二極管就是這樣一種保�(hù)元件�
Vrwm可承受的反向電壓:在此階段瞬�(tài)電壓抑制二極管為不導(dǎo)通之狀�(tài)。Vrwm必需大於電路的正常工作電�, 否則瞬態(tài)電壓抑制二極管會(huì)不斷截止回路電壓。但Vrwm需要盡量與被保�(hù)回路的正常工作電壓接�,這樣才不�(huì)在瞬�(tài)電壓抑制二極管工作以前使整�(gè)迥路面對(duì)過壓威脅�
Vbr反向崩潰電壓:當(dāng)瞬態(tài)電壓超過Vbr,瞬態(tài)電壓抑制二極管便�(chǎn)生崩潰把瞬態(tài)電壓抑制在某�(gè)水平,提供瞬態(tài)電流一�(gè)超低電阻通路,讓瞬�(tài)電流透過瞬態(tài)電壓抑制二極管被引開,避開被保�(hù)元件�
Ir反向漏電電流:瞬�(tài)電壓抑制二極管是以反向電流的方式連接在線路上,一般都�(huì)�10-100A的反向漏電電��
Vc瞬態(tài)電壓抑制二極管的抑制電壓:Vc是在瞬態(tài)電壓沖擊�(shí),例如靜電,在截�?fàn)顟B(tài)所提供的電�。Vc也是用來�(cè)定瞬�(tài)電壓抑制二極管在抑制瞬態(tài)電壓�(shí)的性能。Vc不能大於被保�(hù)迥路的可承受極限電壓,否則元件面臨被損�。Vc通常都是越小越好�
TVS瞬態(tài)電壓抑制二極管的值:�(duì)於數(shù)�(jù)/ 訊號(hào)頻率越高的回�,瞬態(tài)電壓抑制二極管的電容值對(duì)電路的干擾越大。這會(huì)形成噪音或衰減訊�(hào)�(qiáng)�。高頻迥路或高傳輸如USB2.0,1394,需要選擇低電容值瞬�(tài)電壓抑制二極�,電容值不大於10pF。而對(duì)電容值要求不高的回路,電容值可高於100pF�
1、確定被保護(hù)電路的最大直流或連續(xù)工作電壓、電路的額定�(biāo)�(zhǔn)電壓和“高端”容��
2、TVS額定反向�(guān)斷VWM�(yīng)大于或等于被保護(hù)電路的最大工作電�。若選用的VWM太低,器件可能�(jìn)入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作。串行連接分電�,并行連接分電流�
3、TVS的最大箝位電壓VC�(yīng)小于被保�(hù)電路的損壞電��
4、在�(guī)定的脈沖持續(xù)�(shí)間內(nèi),TVS的最大峰值脈沖功耗PM必須大于被保�(hù)電路�(nèi)可能出現(xiàn)的峰值脈沖功�。在確定最大箝位電壓后,其峰值脈沖電流應(yīng)大于瞬態(tài)浪涌電流�
5、對(duì)于數(shù)�(jù)電路的保�(hù),還必須注意選取具有合適電容C的TVS器件�
6、根�(jù)用途選用TVS的極性及封裝�(jié)�(gòu)。交流電路選用雙極性TVS較為合理;多線保�(hù)選用TVS陣列更為有利�
7、溫度考慮。可以在�55~+150℃之間工�。如果需要TVS在一�(gè)變化的溫度工作,由于其反向漏電流ID是隨增加而增�;功耗隨TVS�(jié)溫增加而下降,�+25℃到+175�,大約線性下�50%雨擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數(shù)增加。因�,必須查閱有�(guān)�(chǎn)品資�,考慮溫度變化�(duì)其特性的影響�
維庫電子通,電子知識(shí),一查百��
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