N溝道MOSFET有三�(gè)電極,分別是源極S、漏極D和柵極G。當(dāng)VGS=0�(shí),漏、源極之間無(wú)原始�(dǎo)電溝道,ID=0;當(dāng)VGS>0但是比較小時(shí),漏、源極之間也�(wú)�(dǎo)電溝道。當(dāng)VGS>VGS(th)� 在D和S之間加正電壓,就�(huì)�(chǎn)生漏極電流ID,ID將隨VGS的增加而增大�
用MOSFET作為�(kāi)�(guān)�(yīng)用時(shí),可以用�1中的模型�(lái)分析,當(dāng)G、S極電壓為零時(shí),D、S不導(dǎo)�,相�(dāng)于開(kāi)�。當(dāng)柵極電壓�10V,源極電壓為0V�(shí),就有電流ID流過(guò)漏、源�,漏極和源極之間處于�(dǎo)通狀�(tài)。MOSFET�(nèi)部漏�、源極之間有一�(gè)寄生的反向二極管。該二極管在電路圖中常常未被�(biāo)�,當(dāng)MOSFET處于�(guān)斷狀�(tài),如漏源極有�(fù)向電壓時(shí),二極管可能�(huì)�(dǎo)�,在�(shè)�(jì)�(shí)要注意這一�(diǎn)�
維庫(kù)電子通,電子知識(shí),一查百��
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