改動?xùn)艍嚎梢愿膭訙系乐械碾娮用芏�，從而改動溝道�?a href="http://www.06jpkg.cn/17.html" target="_blank">電阻，這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。
正常工作時，P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應(yīng)為負(fù)值，以保證兩個P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時為了在襯底頂表面左近構(gòu)成導(dǎo)電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應(yīng)為負(fù)。
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