P溝MOS晶體管是一種使用了金屬氧化物半�(dǎo)體(MOS)結(jié)�(gòu)的場效應(yīng)晶體�,是CMOS電路中的�(guān)鍵元件之一。它由一個P型的襯底、一個N型的漏極、一個由氧化物分隔的柵極和兩條由源區(qū)�(kuò)散的N型槽道組成�
P溝MOS晶體管是一種場效應(yīng)晶體�,其中P型襯底被用作ngate的基�,而兩個N型區(qū)域作為與柵極接觸的導(dǎo)電電極和源極�
P溝MOS晶體管的特點(diǎn)包括低功�、高輸入阻抗、封裝緊�、可靠性高、噪聲低、面積小等優(yōu)�(diǎn)。它也易于集成到大規(guī)模集成電路(LSI)和超大�(guī)模集成電路(VLSI)系�(tǒng)中,是數(shù)字集成電路技�(shù)的重要組成部��
�(dāng)電源電壓被施加到P溝MOS晶體管的柵極上時,它會形成一個電�,該電場將在兩個N型區(qū)域中形成一條導(dǎo)電通道。這個導(dǎo)電通道可以連接兩個N型區(qū)�,并且可以通過改變柵電壓來控制�(dǎo)電通道的電阻�