MOS控制晶閘管(MOS-controlled thyristor,簡稱MCT)是一種功率半導體器件,結合了金屬-氧化�-半導體場效應管(MOSFET)和雙極型晶閘管的優(yōu)點,具有潛在的高�、高電壓、低功�、高集成度和低阻抗等特點。MCT器件結構與晶閘管相似,但采用多個PN結設�,在控制極上添加MOS柵極,并引入耐壓注入技�,使得該元件能夠?qū)崿F(xiàn)由MOS柵極控制開關的功��
MOS控制晶閘管主要由四個PN結組成,分別是P+,N?,N+,P?。當P+區(qū)施加正向電壓且P?區(qū)施加負向電壓時,形成PNP結構。當N+區(qū)施加正向電壓且N?區(qū)施加負向電壓�,形成NPN結構。而MOS柵極通過控制P+區(qū)的耗盡層深度來控制NPN結和PNP結之間的開關�(zhuǎn)�,從而實�(xiàn)器件的導通與截止�
1. 采用耐壓注入技�,具有高壓承受能��
2. 由于MOS柵極的電容很�,可以實�(xiàn)低功率控��
3. 由于MCT的加深結構,比同等電流下的晶閘管開關速度更快�
4. 可以在短時間�(nèi)切換大電流;
5. 具有自我保護功能,可以避免熱失效或電擊使得器件損��
MOS控制晶閘管可以廣泛應用于各種電力和電子控制領�,如交流變頻�(diào)�、電動車輛驅(qū)�、UPS、電源逆變、氣體放電燈控制、高壓直流輸電和變換器等。其�,MCT已成為“下一代電力半導體”之一�
維庫電子�,電子知識,一查百��
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