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晶片
閱讀�28151�(shí)間:2010-12-10 12:00:12

  晶片又稱芯片,英文叫做CHIP,它是制�LED LAMP� DISPLAY� BACKLIGHT LED LED 的主要材料,由磷化鎵(GaP�,鎵鋁砷(GaAlAs),或砷化鎵(GaAs),氮化 鎵(GaN)等材質(zhì)組成,其�(nèi)部結(jié)�(gòu)為一�(gè) PN �(jié),具有單�?qū)щ娦浴?FONT face=Verdana>晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的發(fā)光部�,LED最核心的部分,晶片的好壞將直接決定LED的性能�

�(jié)�(gòu)

  1.電極的材�(zhì):鋁或金

  2.焊單線晶片上面電極外形:

  3.焊單線晶片下面電極的外�

  4.晶片的顏色:紅色不透明,紅色透明,暗紅色,黑�,白色透明 �

  5.晶片尺寸定義:以晶片底部尺寸較大的那條邊尺寸為準(zhǔn)

  6.焊單線晶片電極特性:正極性晶片及反極性晶�

  7.晶片電極的連接及對(duì)�(fā)光的影響

  (1) 上面電極用來焊接金線或鋁線,電極太大�(huì)影響�(fā)光效率,電極太小使電� 不能流到晶片全體,同樣也�(huì)影響�(fā)光效率�

  (2) 下面電極通過銀膠與支架� PCB 接觸,它是用來使電流均勻流到晶片�(nèi),下 面電極有圓形,格子狀或全面電�,全面電極導(dǎo)電性好,但�(duì)光的吸收要太 于前兩種形狀�

主要參數(shù)

  1.伏安特�

晶片的伏安特性

  2.順向電壓(VF):施加在晶片兩�,使晶片正向?qū)ǖ碾�?。此電壓與晶� 本身有關(guān),與�(cè)試電流也有關(guān)。順向電壓過�,會(huì)使晶片被擊穿。單位:V

  3.順向電流(IF):晶片在施加一定電壓后,所�(chǎn)生的正向?qū)娏鳌?順向電流的大�,與順向電壓的大小有�(guān)。晶片的工作電流� 10-20mA 左右。單 位:mA

  4.反向電壓(VR):施加在晶片上的,晶片保持截止?fàn)顟B(tài)的電��

  5.反向電流(IR):指的是晶片施加反向電壓所�(chǎn)生的電流,此電流越小越好� 此電流過大容易造成反向擊穿�

  6.亮度(IV):指的是光源的明亮程度� 單位換算�1cd=1000mcd 1mcd=1000cd 7.波長(zhǎng)(HUE):反映晶片�(fā)光顏�。單位:nm 波長(zhǎng)不同晶片,其�(fā)光顏色不��

  8.不同波�(zhǎng)光的定義

  �1)波�(zhǎng)大于 0.1mm 電波

 ?�?�760 nm �0.1mm 紅外�

 ?�?�380 nm -760nm 可見�

 ?�?�10 nm-380 nm 紫外�

檢測(cè)

  1、來料資料有無規(guī)格書(沒有規(guī)格書不建議盲目的去實(shí)�(yàn)��

  2、來料的芯片參數(shù)(亮�、電�、波�(zhǎng)等)是否符合�(guī)格要�,外觀(電極位置)是否與規(guī)格書上相��

  3、尺寸測(cè)量:需要采用精確的高倍顯微鏡�(jìn)行測(cè)�,實(shí)際尺寸是否符合要求;包括芯片的長(zhǎng)、寬、高、電極大小等

  4、電性檢�(cè):VF、IV、WL、IR、極性等�(shí)際測(cè)試是否符合要�。此�(xiàng)有很多廠商沒有條件測(cè)�,建議在試做過程中去做成成品�(cè)試(但極性先�(jìn)行確�(rèn)��

材料及制作方�

晶片材料及制作方法

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

已收錄詞�162542�(gè)