FET即Field Effect Transistor,譯為場效應(yīng)晶體管,也叫場效�(yīng)�,是一種電壓控制器�(晶體�是電流控制器�)。有很高的輸入阻�,較大的功率增�,由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根�(jù)三極�的原理開�(fā)出的新一代放大元�,有3�(gè)極�,柵�,漏�,源��
�(xiàn)在越來越多的電子電路都在使用場效�(yīng)�, 特別是在音響�(lǐng)域更是如�, 場效�(yīng)管與晶體管不�, 它是一種電壓控制器�(晶體管是電流控制器件) , 其特性更象電子管, 它具有很高的輸入阻抗, 較大的功率增�, 由于是電壓控制器件所以噪聲小, 其結(jié)�(gòu)簡圖如圖 C-a.
場效�(yīng)管是一種單極型晶體�, 它只有一�(gè) P-N �(jié), 在零偏壓的狀�(tài)�, 它是�(dǎo)通的, 如果在其柵極(G) 和源�(S) 之間加上一�(gè)反向偏壓(稱柵極偏�) 在反向電場作用下 P-N 變厚 (稱耗盡區(qū)) 溝道變窄, 其漏極電流將變小, (如圖 C1-b) , 反向偏壓�(dá)到一定時(shí), 耗盡區(qū)將完全溝�"夾斷", 此時(shí), 場效�(yīng)管�(jìn)入截�?fàn)顟B(tài)如圖 C-c, 此時(shí)的反向偏壓我們稱之為夾斷電壓, 用Vpo 表示, 它與柵極電壓Vgs 和漏源電壓Vds 之間可近以表示為Vpo=Vps+| Vgs| , 這里| Vgs| � Vgs 的�.
下圖是FET簡單的的�(jié)�(gòu)示意圖(P溝FET是P型半導(dǎo)體部分與N型半導(dǎo)體部分互換)�
雙極晶體管的基極�(fā)射極間以及基極集電極間分別是兩�(gè)PN�(jié),就是說存在著二極管。JFET的柵極與溝道(把輸出電路流過漏極源極間的部分稱為溝道)間有PN�(jié),所以認(rèn)為存在著二極管(由于有PN結(jié),所以稱為結(jié)型FET��
如圖所示,FET按照結(jié)�(gòu)可以分為�(jié)型FET(JFET:JunctionFET)和絕緣柵FET(MOSFET:MetalOxideSemiconductorFET)�
按照電學(xué)特�,MOSFET又可以分為耗盡型(deletion)與增強(qiáng)型(enhancement)兩類。它們又可以�(jìn)一步分為N溝型(與雙極晶體管的NPN型相當(dāng))和P溝型(與雙極晶體管的PNP型相�(dāng)��
從實(shí)際FET的型�(hào)中完全看不出JFET與MOSFET、耗盡型與增強(qiáng)型的區(qū)�。僅僅是N溝器件為2SK×××(也有雙柵的3SK×××),P溝器件為2SJ××�,以區(qū)別N溝和P溝器件�
將萬用表置于R 1K �, 用黑表筆接觸假定為的柵極G 管腳, 然后用紅表筆分別接觸另外兩�(gè)管腳, 若阻值均比較 Jj� (� 5�10Q) , 再將紅黑表筆交挾�(cè)量一次. 如阻值大(O) , 說明都是反向電阻(PN �(jié)反向) , � N 溝道�, 且黑表筆接觸的管為柵� C, 并說明原先假定是正確�� 再次�(cè)量的阻值均很小, 說明是正向電�, 屬于 P 溝道場效�(yīng)�, 黑表筆所接觸的也是柵� C� 若不出現(xiàn)上述情況, 可以�(diào)換紅黑表�, 按上述方法�(jìn)�(cè)�, 直至判斷柵極為止� 一般結(jié)型效�(yīng)管的源極與漏極在 制造時(shí)是對(duì)稱的, 所�, �(dāng)柵極 G 確定以后, �(duì)于源� S 漏極 D 不一定要判斷, �?yàn)檫@兩�(gè)極可以互換使�, 因此沒有必要去判別. 源極與漏極之間的電阻約為幾千歐�
維庫電子�,電子知�(shí),一查百��
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