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閃存芯片
閱讀�25210時間�2010-12-17 14:43:03

  閃存芯片是快�存儲�(閃存)的主要部�,主要分為NOR型和NAND型兩大類� 在一般的U�和手機之類的�(chǎn)品中都可以見到它,而mp3、MP4中的閃存芯片則為SLC與MLC的居��

性能參數(shù)

  ●采�3. 3V電源;

  ●芯片內(nèi)部的存儲單元陣列�(256M +8. 192M) bit ×8bit , �(shù)�(jù)寄存器和緩沖存儲器均�(2k + 64) bit ×8bit ;

  ●具有指�/ 地址/ �(shù)�(jù)�(fù)用的I/ O �;

  ●在電源�(zhuǎn)換過程中, 其編程和擦除指令均可暫停;

  ●由于采用可靠的CMOS 移動門技�(shù), 使得芯片可實�(xiàn)100kB 編程/ 擦除循環(huán),該技�(shù)可以保證�(shù)�(jù)保存10 年而不丟失�

引腳說明

  I/ O0~I(xiàn)/ O7 :�(shù)�(jù)輸入輸出�, I/ O 口常用于指令和地址的輸入以及數(shù)�(jù)的輸�/ 輸出,其中�(shù)�(jù)�

  讀的過程中輸入。當(dāng)芯片沒有被選中或不能輸出�, I/ O 口處于高阻態(tài)�

  CLE:指令鎖存�,用于激活指令到指令寄存器的路徑, 并在WE上升沿且CLE 為高電平時將指令鎖存�

  ALE: 地址鎖存�, 用于激活地址到內(nèi)部地址寄存器的路徑,并在WE 上升沿且ALE 為高電平�,地址鎖存�

  CE: 片選�, 用于控制�(shè)備的選擇。當(dāng)�(shè)備忙�, CE 為高電平而被忽略, 此時�(shè)備不能回到備用狀�(tài)�

  RE: 讀使能�,用于控制�(shù)�(jù)的連續(xù)輸出,并將�(shù)�(jù)送到I/ O 總線。只有在RE的下降沿�,輸出�(shù)�(jù)才有�, 同時, 它還可以對內(nèi)部數(shù)�(jù)地址�(jìn)行累加�

  WE: 寫使能控制端, 用于控制I/ O 口的指令寫入,同時,通過該端口可以在WE脈沖的上升沿將指�、地址和數(shù)�(jù)�(jìn)行鎖��

  WP: 寫保�(hù)�, 通過WP 端可在電源變換中�(jìn)行寫保護(hù)。當(dāng)WP 為低電平�,其內(nèi)部高電平�(fā)生器將復(fù)位�

  R/ B : 就緒/ 忙輸�, R/ B 的輸出能夠顯示設(shè)備的操作狀�(tài)。R/ B 處于低電平時,表示有編程、擦除或隨機讀操作正在�(jìn)�。操作完成后, R/ B 會自動返回高電平。由于該端是漏極開路輸出, 所以即使當(dāng)芯片沒有被選中或輸出被禁止時, 它也不會處于高阻�(tài)�

  PRE:通電讀操作,用于控制通電時的自動讀操作,PRE 端接到VCC可實�(xiàn)通電自動讀操作�

  ●VCC :芯片電源��

  ●VSS :芯片接地��

  ●NC:懸空�

工作狀�(tài)

  1 按頁讀操作

  閃存芯片的默�(rèn)狀�(tài)為讀狀�(tài)。讀操作是以通過4 個地址周期�00h 地址寫到指令寄存器為開始指令,一旦該指令被鎖�,就不能在下頁中寫入讀操作��

  可以通過寫入隨機�(shù)�(jù)輸出指令來從一頁中隨機地輸出數(shù)�(jù)。數(shù)�(jù)地址可以從將要輸出的�(shù)�(jù)地址中通過隨機輸出指令自動找到下一個地址。隨機數(shù)�(jù)輸出操作可以多次使用�

  2 頁編�

  閃存芯片的編程是按頁�(jìn)行的, 但它在單頁編程周期中支持多個部分頁編程, 而部分頁的連續(xù)字節(jié)�(shù)�2112。寫入頁編程確認(rèn)指令(10h) 即可開始編程操作,但寫入指�(10h) 前還必須輸入連續(xù)�(shù)�(jù)�

  連續(xù)裝載�(shù)�(jù)在寫入連續(xù)�(shù)�(jù)輸入指令(80h)�,將開�4 個周期的地址輸入和數(shù)�(jù)裝載,而字卻不同于編程的數(shù)�(jù), 它不需要裝�。芯片支持在頁中隨機輸入�(shù)�(jù),并可根據(jù)隨機�(shù)�(jù)輸入指令(85h)自動變換地址。隨機數(shù)�(jù)輸入也可以多次使��

  3 緩存編程

  緩存編程是頁編程的一�, 可以�2112 字節(jié)的數(shù)�(jù)寄存器執(zhí)�, 并只在一個塊中有效。因為閃存芯片有一頁緩�, 所以當(dāng)�(shù)�(jù)寄存器被編入記憶單元中時它便可以�(zhí)行連續(xù)�(shù)�(jù)輸入。緩存編程只有在未完成的編程周期�(jié)束且�(shù)�(jù)寄存器從緩存中傳�(shù)后才能開始。通過R/ B 腳可以判斷內(nèi)部編程是否完�。如果系�(tǒng)只用R/ B 來監(jiān)控程序的�(jìn)�,那么,一頁目�(biāo)程序的次序則必須由當(dāng)前頁編程指令來安��

  4 存儲單元�(fù)�

  該功能可以快速有效地改寫一頁中的數(shù)�(jù)而不需要訪問外部存儲器。因為消耗在連續(xù)訪問和重新裝載上的時間被縮短, 因而系�(tǒng)的執(zhí)行能力會提高。尤其當(dāng)塊的一部分被升級而剩下的部分需要復(fù)制到新的塊中去時, 它的�(yōu)勢就明顯顯示出來�。該操作是一個連續(xù)�(zhí)行的讀指令, 但不用連續(xù)地到目的地址訪問和復(fù)制程序。一個原始頁地址指令為�35h" 的讀操作, 就可以把整�2112 字節(jié)的數(shù)�(jù)�(zhuǎn)移到�(nèi)部數(shù)�(jù)緩沖器中。當(dāng)芯片返回就緒狀�(tài)�,帶有目的地址循環(huán)的頁�(fù)制數(shù)�(jù)輸入指令就會寫入。而該操作中的錯誤程序會由“通過/ 失敗”狀�(tài)給出。但�,如果該操作的運行時間過長,將會由于�(shù)�(jù)丟失而引起位操作錯誤,從而導(dǎo)致外部錯誤“檢�/ 糾正”設(shè)備檢查失�。由于這個原�, 該操作應(yīng)使用兩位錯誤糾正�

  5 塊擦�

  閃存芯片的擦除操作是以塊為基�(chǔ)�(jìn)行的。塊地址裝載將從一個塊擦除指令開始, 并在兩個循�(huán)�(nèi)完成。實際上, �(dāng)?shù)刂肪€A12~A17 懸空�,只有地址線A18~A28 可用。裝入擦除確�(rèn)指令和塊地址即可開始擦除。該操作必須按此順序�(jìn)�, 以免存儲器中的內(nèi)容受到外部噪聲的影響而出�(xiàn)擦除錯誤�

  6 讀狀�(tài)

  閃存芯片�(nèi)的狀�(tài)寄存器可以確�(rèn)編程和擦除操作是否成功完�。在寫入指令(70h) 到指令寄存器�, 讀循環(huán)會把狀�(tài)寄存器的�(nèi)容在CE或RE 的下降沿輸出到I/ O。而在新的指令到達(dá)�, 指令寄存器將保持讀狀�(tài), 因此如果狀�(tài)寄存器在一個隨機讀循環(huán)中處于讀狀�(tài), 那么在讀循環(huán)開始前應(yīng)給出一個讀指令�

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