国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

無觸點開�(guān)
閱讀�14693時間�2010-12-29 21:13:06

  無觸�開關(guān),是一種由微控制器和電力電子器件組成的新型開關(guān)器件,依靠改變電路阻抗值,階躍地改變負荷電�,從而完成電的路通斷。無�點開�(guān)的主要特點是沒有可運動的觸頭部件,導通和�(guān)斷時不出�(xiàn)電弧或火�,動作迅�,壽命長,可靠性高,適合防�、防�、防潮等特殊�(huán)境使��

概述

  無觸點開�(guān)分為磁放大器式無觸點開關(guān),電子管、離子管式無觸點開關(guān)和半導體無觸點開�(guān)。各種無觸點開關(guān)的內(nèi)部結(jié)�(gòu)不同,開�(guān)特性也有所不同,詳細了解每種類型的�(nèi)部開�(guān)原理以及開關(guān)特性,有利于開�(fā)人員根據(jù)控制系統(tǒng)的要求選擇合適的無觸點開�(guān)。磁放大器式無觸點開�(guān)體積與重量較大且電流�(zhuǎn)換速度慢,已較少采�;電子管、離子管式無觸點開關(guān)由于電子�、離子管的功率不能做得很大,在實際應用中受到了很大的限制,也已較少使��

  半導體無觸點開關(guān)是借電路中半導體器件的可控導通性來實現(xiàn)電路通斷的一種開�(guān)電器。它�20世紀50年代后發(fā)展起來的一種開�(guān),可用晶體管或晶閘管組成,由于晶體管受到功率的限制,大都采用晶閘管及其控制電路組�。半導體無觸點開�(guān)的優(yōu)點是:電流可以做得較大,耐反壓值高,控制門極功耗小,導通和�(guān)斷時間短,工作壽命長,環(huán)境適應性好,工作效率高�� 例如,對有觸點的接觸�,操作頻率高�36�/h以上時就很困難了,但對半導體式無觸點開關(guān)則操作頻率每小時可達�(shù)萬次至數(shù)十萬次以��

�(yōu)�

  無觸點開�(guān)在電磁兼容性、可靠�、安全性等方面的優(yōu)越性是觸點開關(guān)無法比擬的。無觸點開關(guān)是用可控硅來控制�,因此它是在PN�(jié)�(nèi)部完成導通和截流�,不會有火花,彌補了觸點開關(guān)復合時有火花的不�,避免因電流過大出現(xiàn)火花或在高電壓電路中擊穿空氣,造成誤動�。無觸點開關(guān)的耐高壓性也很好,如一些大型電機在起動�,由于轉(zhuǎn)子由靜止�?yōu)檗D(zhuǎn)動的慣性非常大,造成起動電流超大(基本相當短路電流),停機時由于慣性繼�(xù)運轉(zhuǎn),會造成非常高的電壓,無觸點開關(guān)便可應用于此�

常見類型

  1.以三端穩(wěn)壓器實現(xiàn)的無觸點開關(guān)

  三端�(wěn)壓器是設計者十分熟悉的常用廉價器件之一,圖1是利用三端穩(wěn)壓器設計的開�(guān)電路。從控制端加入的信號決定是否將三端穩(wěn)壓器與地導�,若導通則輸出端上電,否則輸出端相當于斷開。此電路十分簡單,也容易�(diào)�,且有多種電壓的�(wěn)壓器供選用,適用于直流負載的控制。缺點是�(wěn)壓器的管壓降使輸出電壓有所降低,不適合電池供電的設備。選用低壓差三端�(wěn)壓器可有所改善�

圖1

  2.基于可控硅器件的無觸點開�(guān)

  目前有很多這類的器件供選擇,如意法半導體公司(ST)的ACS系列�(chǎn)品。該�(chǎn)品可以直接用來控制風�、洗衣機、電機泵等設�,隔離電壓可達到500V-1000V以上。圖2是其典型應用電路。此類器件價格低廉,但只能用于交流負載的開關(guān)控制�

圖2

  3.基于光耦三極管和達林頓管的無觸點開�(guān)

  基于光電三極管的無觸點開�(guān)被稱為光電耦合器(photocoupler�,其工作原理如圖3所示。當輸入端加正向電壓時發(fā)光二極管(LED)點�,光敏三極管會產(chǎn)生光電流從集電極供給負載;當輸入端加反向電壓時,LED不發(fā)�,使光敏三極管處于截止狀�(tài),相當于負載開路。該器件的工作速度比較高,一般在微秒級或者更�。從工作原理�,這類器件主要應用于直流負�,也可用來傳輸電流方向不變的脈動信號。該器件的工作速度比較高,一般在微秒級或者更��

圖3

  達林頓管是兩個雙極性晶體管的復�。達林頓管的�(yōu)點就是實�(xiàn)電流的多級放�,如�4所�;缺點是飽和管壓降較大。由于兩個晶體管共集電極,整個達林頓管的飽和電壓等于晶體管Q2的正向偏置電壓與晶體管Q1的飽和電壓之和,而正向偏置電壓比飽和電壓高得�,這樣整個達林頓管的飽和電壓就特別的�,因此達林頓管導通時的功耗較高�

圖4

  仙童半導體(fairchild)的達林頓光耦合器采用隔離達林頓輸出配置,將輸入光電二極� 和初級增益與輸出晶體管分隔開來,以實�(xiàn)較傳�(tǒng)達林頓光電晶體管光耦合器更低的輸出飽和電壓 (0.1 V) 和更高的運作速度。該公司推出5種產(chǎn)�,采用單及雙溝道配置,提�3.3V�5V工作電壓的低功耗特性。雙溝道HCPL0730� HCPL0731光耦合器提�5 V電壓操作和SOIC8封裝,能實現(xiàn)的安裝密度。單溝道FOD070L、FOD270L及雙溝道FOD 073L器件的工作電壓為3.3V,比較傳�(tǒng)�5V部件,其功耗進一步減�33%。NEC公司的芯片PS2802.1/4,PS27021,PS25021/2/4,PS25621/2 等也屬于達林頓光耦合��

  4.基于MOS或IGBT的無觸點開關(guān)

  基于MOS場效應管的無觸點開關(guān)由于耦合方式不同有很多類,例如采用光電耦合方式的稱為光耦合MOS場效應管(OCMOS FET),原理如圖5所�,虛線框�(nèi)為OCMOS FET的內(nèi)部原理圖�

圖5

  電路�(nèi)部包括光生電壓單�,當�(fā)光二極管點亮�,該單元給場效應管的柵極電容充電,這樣就增大柵極與源極間的電壓,使MOS場效應管導通,開關(guān)閉合。當�(fā)光二極管熄滅�,光生電壓單元不再給柵極電容充電,而且�(nèi)部放電開�(guān)自動閉合,強制柵極放�,因此柵源電 壓迅速下�,場效應管截�,開�(guān)斷開。OCMOS FET有兩種類型:一種是導通型(maketype�,常�(tài)下為斷開;另一種是斷開型(breaktype�,常�(tài)下為導通。此處所指的是導通型。光耦合MOS場效應管是交直流通用�,工作速度沒有光電耦合器快,為毫秒�,它的輸出導通特性與輸入電流參數(shù)無關(guān)。OCMOS FET 可以以弱控強,以毫安級的輸入電流�(qū)動安級的電流。由于場效應管可以雙�?qū)�?、導通電阻低的特�,它主要用于中斷交流信號,如�5所�,因此OCMOS FET又被稱為固態(tài)繼電器(SSR��

  基于MOS場效應管的無觸點開關(guān)器件很多,如日本電氣公司(NEC)的 PS7200系列、Toshi ba TLP351系列、松下Nais AQV系列均屬于此類。通常低導通電阻型適用于負載電流較大的場合,例如NEC PS710B1A:導通電阻Ron = 0.1Ω(),負載電流IL=2.5 A(),導通時間Ton=5 ms。低CR積型的光MOS FET適用于需要切換高速信號的場合,如測量儀表的測試端等。所謂CR積指的是輸出級MOS FET的輸出電容與接通電阻的乘積,他是評價MOS FET特性的一個參�(shù)指標。如NECPS7200H1A:導通電阻Ron=2.2 Ω,CR積為9.2 pF·Ω,導通時間Ton=0.5 ms,負載電流IL =160 mA�

  絕緣柵雙極晶體管IGBT的結(jié)�(gòu)如圖6所�。這種�(jié)�(gòu)使IGBT既有MOS FET可以獲得較大直流電流的優(yōu)點,又具有雙極型晶體管較大電流處理能�、高阻塞電壓的優(yōu)�。這種器件可以連接在開�(guān)電路中,就像NPN型的雙極型晶體管,兩者顯著的區(qū)別在于IGBT不需要通過門極電流來維持導通�

圖6

無觸點開�(guān)相關(guān)資訊 更多>>

維庫電子�,電子知�,一查百��

已收錄詞�168746