CMOS電平是指基于互補(bǔ)金屬氧化�半導(dǎo)�(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,簡稱CMOS)技�(shù)所�(shí)�(xiàn)的電子設(shè)備中采用的電壓信�(hào)水平。CMOS電平具有低功耗、高噪聲容限和廣泛的�(yīng)用等特點(diǎn),在�(shù)�集成電路、模擬電路以及通訊電路等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)��
在CMOS電子�(shè)備中,CMOS電平被定義為邏輯�0”和�1”的電壓門�。它們可以通過連接p型或n型場效應(yīng)管組成的電壓分壓器網(wǎng)�(luò)來實(shí)�(xiàn),這些場效�(yīng)管通常�(huì)在靜�(tài)工作區(qū)域能夠提供極低電��
在某些情況下,CMOS電路可能�(huì)出現(xiàn)鎖定�(xiàn)�。在CMOS電路中,由于不完美匹配和工藝變異等因�,可能存在門限電壓產(chǎn)生微小的差異,導(dǎo)致邏輯電平無法穩(wěn)定地切換�
這種�(xiàn)象被稱為鎖定效應(yīng),它�(huì)�(dǎo)致電路處于一種穩(wěn)定的狀�(tài),并阻止邏輯電平的變�。要解決這�(gè)問題,可以采用多種方法,例如使用加強(qiáng)型場效應(yīng)�、匹配門限電壓或增加電容等措施�
CMOS電路中通常使用的兩種CMOS電平�(biāo)�(zhǔn)分別� TTL(Transistor–Transistor Logic)和CMOS�
TTL�(biāo)�(zhǔn)�(guī)定了邏輯�0”和�1”的電平分別�0V�5V。而CMOS�(biāo)�(zhǔn)則規(guī)定邏輯�0”和�1”的電平分別�0V和高電平,一般在0.7V~1.5V之間�
由于CMOS電平�(biāo)�(zhǔn)具有低功耗、高噪聲容限等特�(diǎn),因此在�(shù)字集成電路和模擬電路中得到了廣泛的應(yīng)��