VCXO�壓控晶體振蕩��是通過(guò)施加外部 控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩�。在典型的VCXO�,通常是通過(guò)�(diào)諧電壓改變變?nèi)荻O管的電容量來(lái)“牽引”石英晶體振子頻率的�VCXO允許頻率控制范圍比較�,實(shí)際的牽引度范圍約為�200ppm甚至更大�
首先,要弄清楚具體應(yīng)用場(chǎng)合是需要VCXO,還是一般的振蕩�。當(dāng)�(shè)�(jì)人員希望通過(guò)外加控制電壓�(lái)�(duì)振蕩器的頻率作小范圍的調(diào)諧時(shí),就�(yīng)選用VCXO器件。我們把這種振蕩器調(diào)諧稱為牽引度(pullability)。牽引度�10�6�(shù)量級(jí)表示。VCXO牽引度的典型值為±50×10�6~�200×10�6,要得到這種范圍的牽引度,VCXO�(chǎn)品一般采用標(biāo)�(zhǔn)圓形石英晶體。為了滿足牽引度范圍大的要求,設(shè)�(jì)上須用大尺寸晶體(直�0.25英寸�0.35英寸�。此外,如果要得到大范圍的牽引度,VCXO�(chǎn)品的晶體�(yīng)是基模晶��
VCXO還對(duì)�(duì)稱�、邏輯電�、上升時(shí)�、下降時(shí)間等波形參數(shù)作了�(guī)�?,F(xiàn)有VCXO�(chǎn)品可滿足TTL、ECL、CMOS等集成電路的波形參數(shù)要求。對(duì)上升�(shí)�、下降時(shí)間和�(duì)稱性要求十分嚴(yán)格時(shí),要特別注意�(fù)載的大小和基�(zhǔn)電平的高�,以免對(duì)廠商給出的參�(shù)值造成誤解
一切振蕩器都有一些振幅調(diào)制噪聲和相位�(diào)制噪�。VCXO的相位噪聲要受振蕩器電路�(jié)�(gòu)和石英晶體的影響。VCXO電源的瞬�(tài)�(guò)程或波紋�(chǎn)生的�(diào)制還�(huì)使它的相位噪聲性能惡化。相位噪聲的均方根值是由相位噪聲頻譜在給定帶寬�(nèi)求積分而推算出�(lái)的。相位噪聲是根據(jù)頻率相對(duì)于中心頻率的偏移量來(lái)界定�,用單位dBc/Hz表示。鎖相環(huán)電路使用的大多數(shù)VCXO器件必須具有良好的相位噪聲特�。如果應(yīng)用上�(duì)相應(yīng)噪聲有嚴(yán)格要�,選用VCXO�(shí)就一定要�(guī)定相位噪聲允許的范圍�
VCXO采用基模晶體�(lái)獲得要求的牽引度值。對(duì)�30MHz以下頻率,VCXO�(yùn)用標(biāo)�(zhǔn)圓形晶體�(shè)�(jì)。頻率超�(guò)30MHz后,�(biāo)�(zhǔn)基模晶體就很難制�。隨著頻率的增加,晶體變得越�(lái)越薄,制造過(guò)程中的操作也更加困難。在30MHz以上的頻率基模工作就需采用反向�(tái)面晶�。反向臺(tái)面晶體制造技�(shù)是一種較新的技�(shù),比傳統(tǒng)的標(biāo)�(zhǔn)晶體加工技�(shù)�(fù)雜。因�,高頻率�(chǎn)品的加工往往損耗也較大。一般來(lái)�(shuō),采用反向臺(tái)面晶體的高頻VCXO�(chǎn)品比使用�(biāo)�(zhǔn)圓形晶體的低頻VCXO�(chǎn)品價(jià)格貴�30MHz以上的VCXO�(chǎn)品價(jià)格較高也就不難理解了�
維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��
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