移動(dòng)電話射頻�(shè)�(jì)目前最�(qiáng)大的趨勢是推�(dòng)可配�/免頻帶的無線�天線�(shè)�(jì)。使RF元件可以�(shù)位化重新配置的優(yōu)�(diǎn)與需求逐漸增加,因此能夠精確且�(shù)位化地控制頻率和阻抗�,并持續(xù)對系�(tǒng)性能�(jìn)行化�
如果一款移�(dòng)電話�(shè)�(jì)要能�(shí)�(xiàn)未來用戶所期望的各�(xiàng)廣泛服務(wù),創(chuàng)造性思維是不可或缺的;而許多產(chǎn)�(yè)觀察者認(rèn)為,微機(jī)電系�(tǒng)(MEMS)將是�(shí)�(xiàn)這種�(shè)�(jì)的下一波技�(shù)�
MEMS元件的推出已證實(shí)了其在大量消�(fèi)性市場應(yīng)用中的實(shí)用性,例如麥克�(fēng)和游戲機(jī)�。我們似乎可以歸納出一�(gè)�(jié)論:未能整合MEMS功能的系�(tǒng)就不算完�。因�,MEMS遂成為每一系統(tǒng)在實(shí)�(xiàn)其功�、彈性以及與外界互連時(shí)不可或缺的新類比元件�
雖然摩爾定律描述了電晶體密度和運(yùn)算能力的�(jìn)�,但MEMS的整合將以較其更多倍的速度�(jìn)�,并將許多原先需要混合建置的功能直接整合在晶片上�
射頻(RF)�(shè)�(jì)目前最�(qiáng)大的趨勢是推�(dòng)可配�/免頻帶的無線和天線設(shè)�(jì)。使RF元件可以�(shù)位化重新配置的優(yōu)�(diǎn)與需求逐漸增加,因此能夠精確且�(shù)位化地控制頻率和阻抗�,并持續(xù)對系�(tǒng)性能�(jìn)行化。這種可配置的前端可在瞬間�(shí)�(xiàn)頻率和通訊�(biāo)�(zhǔn)的切�,同�(shí)重復(fù)使用相同的信號路��
WiSpry公司藉由�(jié)合MEMS技�(shù)和主流半�(dǎo)體制程技�(shù),打造出一款具有即�(shí)�(shù)位可�(diào)且具成本效益的低損耗RF電容�,實(shí)�(xiàn)了動(dòng)�(tài)RF技�(shù)──真正的軟體定義無線電,其RF前端可透過基頻�(jìn)行數(shù)位化控制,且所有特殊標(biāo)�(zhǔn)功能都以�(shù)位信號處�(DSP)編程方式載入。一旦前端成為數(shù)位可�(diào)�,大多數(shù)的RF工程作業(yè)就可以轉(zhuǎn)向軟體部�,因而大幅減少硬體設(shè)�(jì)/再設(shè)�(jì)的數(shù)量和成本,并縮短手動(dòng)�(diào)整電路所花的�(shí)��
可編程前端RF可在多�(gè)平臺上使�,且由于新的響應(yīng)可被載入到平臺的韌體中,因此它甚至可以提供一些‘未來驗(yàn)證標(biāo)�(zhǔn)��
目前,大多數(shù)無線�(biāo)�(zhǔn)在頻譜分配方案規(guī)定的頻段�(nèi),采用兩種頻率光罩來�(jìn)行數(shù)�(jù)的傳送和接收──也稱為頻率雙�。由于頻譜分配存在地區(qū)性差�,加上全球彼此競爭的無線通訊�(biāo)�(zhǔn)�(shù)量龐大且快速革新,使得全球移動(dòng)電話平臺必須支援的頻率數(shù)量倍增。盡可能有效地利用無線頻�,以及使用從前未用到的頻譜來支援新服�(wù),也在在引領(lǐng)頻率雙工的趨勢發(fā)��
然而,為了能夠接取到無線網(wǎng)�,各�(gè)裝置必須�(shí)�(xiàn)的技�(shù)需求始終如一。事�(shí)上,用于RF前端的高性能硬體方案必須能夠提供必要的選擇�、線性度和隔�,同�(shí)對電路的插入損耗和功耗要求最小化�
如果采用可調(diào)式的RF前端元件,那麼上述所有問題都可以避免,特別是針對目前所使用的通道可�(jìn)行單鏈路��
單鏈路方案的好處正獲得廣泛的�(rèn)�,但在其建置過程依舊面臨挑戰(zhàn)�
可調(diào)式前端元件的研究已發(fā)展了�(shù)十年,但這項(xiàng)必備的技�(shù)直到目前才逐漸成熟。傳�(tǒng)的問題主要出在尺�、成�、可重復(fù)性、可靠性和性能方面,各�(gè)問題在早期也都獲得部份的解決;然而WiSpry公司首度為市場帶來完整的解決方案,并適用于低成本的量�(chǎn)市場�
WiSpry公司率先將高Q�(high-Q)MEMS電容器元件整合到主流RF CMOS制程技�(shù)�,實(shí)�(xiàn)了大量生�(chǎn)、低成本制程以及高性能RF MEMS技�(shù)的優(yōu)��
�(gè)別的電容器元件以具有�(shù)位可變氣隙的微小平行排列電容整合在晶片上。�(gè)別旁路或串列元件整合為電容值單�,接著形成可包含任一�(dú)立單元組合的陣列,最終形成了具有良好電器特性的�(shù)位化電容�;其電容值比(/最�)超過10且Q值在1GHz�(shí)超過200以上�