氧化�半導(dǎo)�是一�(lèi)具有半導(dǎo)體特性的氧化�。它的電�(xué)性質(zhì)與環(huán)境氣氛有�(guān)。氧化物半導(dǎo)體有以下幾種分類(lèi):導(dǎo)電率隨氧化氣氛而增加稱(chēng)為氧化型半導(dǎo)體,是p型半�(dǎo)�;電�(dǎo)率隨還原氣氛而增加稱(chēng)為還原型半導(dǎo)�,是n型半�(dǎo)�;導(dǎo)電類(lèi)型隨氣氛中氧分壓的大小而成p型或n型半�(dǎo)體稱(chēng)為兩性半�(dǎo)��
氧化物半�(dǎo)體是由金屬與氧形成的化合物半�(dǎo)體材料。它與元素半�(dǎo)體材料相�,結(jié)�(gòu)上多為離子晶�,禁帶寬度一般都較大,遷移率較小,化�(xué)性質(zhì)也比較復(fù)�,可因化�(xué)�(jì)量比的微小偏�,在晶體中造成施主和受�,而這種化學(xué)�(jì)量比的偏差對(duì)氣氛和溫度是敏感��
氧化物半�(dǎo)體材料的平衡組成因氧的壓力改變而改�,氧原子濃度決定其導(dǎo)電的�(lèi)�。由于金屬和氧之間的�(fù)電性差別較�,化�(xué)鍵離子性成分較�(qiáng),破壞這樣一�(gè)離子鍵要比共�(jià)鍵容�,使它含有的�(diǎn)缺陷濃度較大,所以化�(xué)�(jì)量比偏離�(duì)材料的電�(xué)性質(zhì)影響也大。如化學(xué)�(jì)量比偏離缺氧�(shí)(或金屬過(guò)剩時(shí)),則此氧化物半導(dǎo)體材料即呈現(xiàn)n�,此�(shí)氧空位或間隙金屬離子形成施主能級(jí)而提供電�,屬于此�(lèi)半導(dǎo)體材料的有ZnO、CdO、TiO2、Al2O3、SnO:等。例如:ZnO化學(xué)�(jì)量比偏離缺氧�(shí):與上相反則呈p型半�(dǎo)�,此�(shí)金屬空位將形成能�(jí)而提供空�,屬于此�(lèi)半導(dǎo)體材料的有:C u2O、NiO 、CoO、FeO、Cr2O3。等。例如:Ni()化學(xué)�(jì)量比偏離多氧�(shí)� 由此可見(jiàn),氧化物半導(dǎo)體材料的�(dǎo)電類(lèi)型受�?chē)鷼夥?氧化性氣體或還原性氣�)而明顯改�,利用這種特性使用氧化物半導(dǎo)體材料來(lái)制備氣敏半導(dǎo)體器件�
1、透明率高
2、帶隙大
3、載流子遷移率高
4、特性不均現(xiàn)象少
5、材料和工藝成本降低
6、工藝溫度低
7、可利用涂布工藝
氧化物半�(dǎo)體廣泛的�(yīng)用于超高清液晶顯示器、有�(jī)EL顯示�、電子紙、柔性顯示器、柔性IC、透明顯示�、透明IC、透明太陽(yáng)能電�、透明LED等產(chǎn)品中�
非單晶氧化物可用純金屬高溫下直接氧化或通過(guò)低溫化學(xué)反應(yīng)(如金屬氯化物與水的復(fù)分解反應(yīng))�(lái)制備。氧化物單晶的制備有焰熔�、熔體生�(zhǎng)法和氣相反應(yīng)生長(zhǎng)法。氧化物半導(dǎo)體znO、CdO、SnO2等常用于制造氣敏元件,F(xiàn)e2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造濕敏元�;SnO2膜用于制做透明電極��
作為“新一代電子的基礎(chǔ)材料”而備受全球顯示器技�(shù)人員�(guān)注的就是氧化物半�(dǎo)體TFT。因?yàn)檠趸锇�?dǎo)體TFT是驅(qū)�(dòng)超高精細(xì)液晶面板、有�(jī)EL面板以及電子紙等新一代顯示器的TFT材料候選之一。預(yù)�(jì)最早將�2012�2013年開(kāi)始實(shí)用化,將�(lái)或許還會(huì)成為具備“柔性”和“透明”等特點(diǎn)的電子元件的�(shí)�(xiàn)手段�
�(jìn)一步擴(kuò)大氧化物半導(dǎo)體的用途時(shí)碰到的課題是如何�(shí)�(xiàn)p型半�(dǎo)體。如果能�(shí)�(xiàn)高質(zhì)量的pn�(jié),就有望�(yīng)用于柔性透明的集成電�、LED以及太陽(yáng)能電池等用��
維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��
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