国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

異質(zhì)�(jié)雙極晶體�
閱讀�12763時間�2011-03-01 17:35:01

  異質(zhì)�(jié)雙極晶體管(Heterojunction bipolar transistor,HBT)是在雙極結(jié)�晶體�(Bipolar Junction Transistor,BJT)的基�(chǔ)上,只是把發(fā)射區(qū)改用寬帶隙的半導(dǎo)�材料,即同質(zhì)的發(fā)射結(jié)采用了異�(zhì)�(jié)來代�。W.B.肖克萊于1951年提出這種晶體管的概念。它是由�(fā)射區(qū)、基區(qū)和收集區(qū)由禁帶寬度不同的材料制成的晶體管。它最初稱為“寬�(fā)射區(qū)”晶體管,直�70年代中期,這種晶體管才得到較快的發(fā)��

�(fā)�

  1951�,Shockley針對普通雙極晶體管較難做到超高頻、超高速的問題,提出了寬帶隙發(fā)射區(qū)的概��1957�,Kroemer根據(jù)擴散模型分析了寬帶隙�(fā)射區(qū)對提高電流放大系�(shù)的作�。上世紀(jì)70年代中期,隨著MBE和MOCVD技�(shù)的發(fā)�,制作出了性能良好的AlGaAs/GaAs異質(zhì)�(jié)雙極型晶體管。目�,HBT在低相位噪聲振蕩器、高效率功率放大�、寬帶放大器中都有廣泛的�(yīng)��

分類

  異質(zhì)�(jié)雙極晶體管類型很�,主要有以下幾種:

  1、SiGe異質(zhì)�(jié)雙極晶體�

  2、GaAlAs/GaAs異質(zhì)�(jié)晶體�

  3、NPN型InGaAsP/InP異質(zhì)�(jié)雙極晶體�

  4、NPN AlGaN/GaN異質(zhì)�(jié)雙極晶體管等�

特點

  1、基區(qū)可以高摻� (可高�1020/cm3),則基區(qū)不易穿通,從而基區(qū)厚度可以很小 (則不限制器件尺寸的縮�)�

  2、因為基區(qū)高摻�,則基區(qū)電阻很小,振蕩頻率fmax得以提高�

  3、基區(qū)電導(dǎo)�(diào)制不明顯,則大電流密度時的增益下降不��

  4、基區(qū)電荷對C�(jié)電壓不敏�,則Early電壓得以提高�

  5、發(fā)射區(qū)可以低摻� ( �1017/cm3),則�(fā)射結(jié)勢壘電容降低,晶體管的特征頻率fT提高�

  6、可以做成基區(qū)組分緩變的器件,則基區(qū)中有�(nèi)建電�,從而載流子渡越基區(qū)的時間τB得以減短�

�(jié)�(gòu)性能

  異質(zhì)�(jié)雙極性二極管(HBT)的能帶間隙在一定范圍內(nèi)可以任意�(shè)�,從這器件各區(qū)帶隙寬度變化角度出發(fā),可以考慮如下幾種情況�
 ?�?)寬帶隙�(fā)射區(qū)�(jié)�(gòu) �2)緩變基區(qū)�(jié)�(gòu) �3)寬帶隙集電區(qū)�(jié)�(gòu) �4)緩變集電區(qū)�(jié)�(gòu)
  從器件高速性能�(shè)計角度考慮,HBT有代表性的四種�(jié)�(gòu)為:
  �1)突變發(fā)射結(jié)�(jié)�(gòu)�2)緩變發(fā)射結(jié)�(jié)�(gòu)�3)緩變發(fā)射結(jié)、緩變基區(qū)�(jié)�(gòu)�4)突變發(fā)射結(jié)、緩變基區(qū)�(jié)�(gòu)

�(jié)�(gòu)分析

  異質(zhì)�(jié)雙極晶體管的主要特點是發(fā)射區(qū)材料的禁帶寬度EgB大于基區(qū)材料的禁帶寬度EgE(圖1�。圖� N代表能帶寬的區(qū)�。從�(fā)射區(qū)向基區(qū)注入的電子流 Ip和反向注入的空穴流Ip所克服的位壘高度是不同�,二者之差為墹Eg=EgE-EgB,因而空穴的注入受到極大抑制。發(fā)射極效率主要由禁帶寬度差墹Eg決定,幾乎不受摻雜比的限制。這就大大地增加了晶體管設(shè)計的靈活��

異質(zhì)結(jié)雙極晶體管

  �2為典型的NPN臺面型GaAlAs/GaAs異質(zhì)�(jié)晶體管的�(jié)�(gòu)和雜�(zhì)剖面圖。這種“反?!钡碾s�(zhì)剖面能大幅度地減小發(fā)射結(jié)電容(低�(fā)射區(qū)濃度)和基區(qū)電阻(高基區(qū)濃度)。最上方的N+-GaAs頂層用來減小接觸電阻。這種晶體管的主要電參�(shù)水平已達到:電流增益hfe1000,擊穿電壓BV120伏,特征頻率fT15吉赫。它的另一些優(yōu)點是開關(guān)速度�、工作溫度范圍寬(-269�+350)�

異質(zhì)結(jié)雙極晶體管

  除了NPN型GaAs寬發(fā)射區(qū)管外,還有雙異質(zhì)�(jié)NPN型GaAs�、以金屬做收集區(qū)的NPM型GaAs和PNP型GaAs管等。另一類重要的異質(zhì)�(jié)晶體管是 NPN型InGaAsP/InP�。InGaAsP具有比GaAs更高的電子遷移率,并且在光纖通信中有重要�(yīng)用。異�(zhì)�(jié)晶體管適于作微波晶體�、高速開�(guān)管和光電晶體�。已試制出相�(yīng)的高速數(shù)字電�(I2L)和單片光電集成電��

維庫電子�,電子知�,一查百通!

已收錄詞�168949