多晶硅是熔融的單�(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶�,如這些晶核長成晶面取向不同�晶粒,則這些晶粒�(jié)合起來的�(jié)�,是單質(zhì)硅的一種形�(tài)。多晶硅是生�(chǎn)單晶�的直接原�,是�(dāng)代人工智�、自�(dòng)控制、信息處�、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)�器件的電子信息基�(chǔ)材料。被稱為“微電子大廈的基石��
�(xiàn)今多(單)晶硅是主要的光伏材�,其市場占有率在90%以�,而且在今后相�(dāng)長的一段時(shí)期也依然是太陽能電池的主流材�。多晶硅材料的生�(chǎn)技�(shù)長期以來掌握在美、日、德�3�(gè)國家7�(gè)公司�10家工廠手�,形成技�(shù)封鎖、市場壟斷的狀況�
它的需求主要來自于太陽能和半導(dǎo)體電�。按純度要求不同,分為電子級(jí)和太陽能�(jí)。其�,用于電子級(jí)多晶硅占55%左右,太陽能級(jí)多晶硅占45�,隨著光伏產(chǎn)�(yè)的迅猛發(fā)�,太陽能電池�(duì)多晶硅需求量的增長速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展。它的最終用途主要是生產(chǎn)集成電路、分立器件和太陽能電池片�
1、灰色金屬光澤�
2、密�2.32~2.34.熔點(diǎn)1410℃�
3、溶于氫氟酸和硝酸的混酸�,不溶于水、硝酸和鹽酸�
4、硬度介于鍺和石英之�,室溫下�(zhì)�,切割時(shí)易碎裂,加熱�800℃以上有彈��1300℃出�(xiàn)明顯形變�
5、常溫下不活�,高溫下與氧、氮、硫等反�(yīng)�
6、高溫熔融狀�(tài)�,具有較大的化學(xué)活潑�,能與幾乎任何材料作��
世界多晶硅主要生�(chǎn)企業(yè)有日本的Tokuyama、三�、住友公司、美國的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司,德國的Wacker公司�,其年產(chǎn)能絕大部分在1000噸以�,其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三�(gè)公司生產(chǎn)�(guī)�,年生產(chǎn)能力均在3000�5000��
�(jù)國外資料分析�(bào)�,世界多晶硅的產(chǎn)�2005年為28750噸,其中半導(dǎo)體級(jí)�20250�,太陽能�(jí)�8500�,半�(dǎo)體級(jí)需求量約為19000噸,略有過剩;太陽能�(jí)的需求量�15000�,供不應(yīng)求,�2006年開始太陽能�(jí)和半�(dǎo)體級(jí)多晶硅需求的均有缺口,其中太陽能�(jí)�(chǎn)能缺口更大�
近年�,我國在政府大力推廣新能源政策的支持�,江西省憑借粉石英(硅材料主要原料)儲(chǔ)量的資源�(yōu)�,出�(tái)多方面措施保障光伏產(chǎn)�(yè)�(fā)��
2008年江西省光伏�(chǎn)�(yè)�(fā)展迅�,實(shí)�(xiàn)銷售收入128.9億元。另外該省生�(chǎn)的多晶硅片已占全球總�(chǎn)量的四分之一,龍頭企�(yè)賽維2008年的�(chǎn)能超�1400MW�
高純多晶硅是電子工業(yè)和太陽能光伏�(chǎn)�(yè)的基�(chǔ)原料,在未來�50年里,還不可能有其他材料能夠替代硅材料而成為電子和光伏�(chǎn)�(yè)主要原材��
近年�,全球太陽能電池�(chǎn)量快速增�,直接拉�(dòng)了多晶硅需求的迅猛增長。全球多晶硅由供過于求轉(zhuǎn)向供不應(yīng)�。受此影響,作為太陽能電池主要原料的多晶硅價(jià)格快速上��
由于多晶硅需求量繼續(xù)加大,在市場缺口加大、價(jià)格不斷上�(yáng)的刺激�,國�(nèi)涌現(xiàn)出一股搭上多晶硅�(xiàng)目的熱潮。多晶硅�(xiàng)目的投資熱潮,可以說是太陽能電池市場迅猛�(fā)展的必然�(jié)�,但中國硅材料產(chǎn)�(yè)一定要慎重�(fā)展,不能一哄而上;關(guān)鍵是要掌握核心技�(shù),否則將難以擺脫受制于人的局��
作為高科技�(chǎn)�(yè),利用硅礦開�(fā)多晶硅,�(chǎn)�(yè)耗能�,電力需求高。目前電�(jià)已成為中國大多數(shù)硅礦企業(yè)亟待突破的瓶頸之一。因此中國大力發(fā)展多晶硅�(chǎn)�(yè),亟需在條件成熟的地方制定電價(jià)�(yōu)惠政�,降低成��
在多晶硅的生�(chǎn)過程中火�(zāi)、爆�、化�(xué)中毒是主要潛在危�(xiǎn)。在工藝、設(shè)備、設(shè)施和防護(hù)方面存在隱患和缺陷時(shí),非常容易發(fā)�,所以應(yīng)針對(duì)可能�(fā)生的原因,采取防范措施預(yù)以積極排�。對(duì)生產(chǎn)過程盡量采用自動(dòng)控制系統(tǒng),提高自�(dòng)控制水平;在氯氣、氯化氫、三氯氫�、鹽�、四氯化硅容易泄漏的部位,加�(qiáng)通風(fēng)并設(shè)置可燃、有毒氣體檢測報(bào)警裝�;為作業(yè)人員配發(fā)合格適宜的防毒、防�、防灼傷等防�(hù)用品,來避免多晶硅生�(chǎn)過程中可能帶來的危害�