国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

FDSOI
閱讀�5177�(shí)間:2011-03-22 09:22:35

  FDSOI技�(shù)即全耗盡型SOI技�(shù),有些文�(xiàn)上也寫成ETSOI即超薄型SOI,具有非常強(qiáng)的競(jìng)�(zhēng)�,適�20nm及更別制程的移動(dòng)/消費(fèi)電子�(chǎn)品使��

技�(shù)背景

  FD-SOI是下一代晶體管�(jié)�(gòu)的熱門技�(shù)之一。目前制造晶體管的主流技�(shù)是采用體硅技�(shù)制作�32/28nm制程平面型晶體管�

  AMD,IBM以及其它部分廠商目前則在使用基于部分耗盡型SOI技�(shù)的平面型晶體管制造自己的處理器產(chǎn)�。相比之�,Intel公司過去則放棄了SOI的有�(guān)技�(shù),稱他們不需要這種技�(shù)�

  �(duì)22/16nm�(jí)別制程而言,人們有多種晶體管結(jié)�(gòu)可供選擇,包括III-V族溝道技�(shù),體硅技�(shù),F(xiàn)inFET立體晶體管技�(shù),F(xiàn)D-SOI全耗盡型平面晶體管技�(shù),多柵立體晶體管技�(shù)等等,不過目前為止還沒有哪種技�(shù)呈現(xiàn)出之��

  Intel公司�(fù)�(zé)制程技�(shù)的高管Mark Bohr最近表示,Intel公司正在�(píng)�(jià)超薄SOI技�(shù)(即FD-SOI�。有些消息來源認(rèn)為Intel�22�15nm節(jié)�(diǎn)制程可能�(huì)選擇�(zhuǎn)向三柵極晶體管技�(shù),不過Bohr拒絕就Intel的未來走向發(fā)表意��

  IBM公司半導(dǎo)體研�(fā)中心的副總裁Gary Patton最近則表示FD-SOI�22nm制程節(jié)�(diǎn)的強(qiáng)�(shì)候選技�(shù)。不過部分芯片制造業(yè)的巨頭如Globalfoundries,三星以及臺(tái)積電則已�(jīng)放出消息稱他�?cè)?0nm節(jié)�(diǎn)�(huì)選擇走體硅制程的道路,理由則是研�(fā)成本問題�

  不過也有很多高性能�(yīng)用中可能�(huì)需要使用FD-SOI技�(shù)。SOI指的是在IC的制造過程中采用�+絕緣�+硅的硅基體結(jié)�(gòu)方式,這種�(jié)�(gòu)方式的優(yōu)�(shì)是可以減小器件的寄生電容并改善器件的性能�

  到FD-SOI,SOI中位于頂層的硅層厚度�(huì)減薄�5-20nm,這樣器件工作�(shí)柵極下面溝道位置下方的耗盡層便可充滿整�(gè)硅薄膜層,如此便可消除在PD-SOI中常見的浮體效應(yīng)�

  在部分耗盡型SOI�(jié)�(gòu)中,SOI中頂層硅層的厚度�50-90nm,因此溝道下方的硅層中僅有部分被耗盡層占�(jù),由此可�(dǎo)致電荷在耗盡層以下的電中性區(qū)域中累積,造成所謂的浮體效應(yīng)�

在移�(dòng)�(lǐng)域的�(yīng)�

  FDSOI如何克服SOI的弱�(diǎn)

  SOI令人頭疼的一�(gè)問題是這種技�(shù)是否適合在移�(dòng)�(shè)備市�(chǎng)使用,人們對(duì)SOI晶體管的所謂“歷史效�(yīng)”和尺寸可微縮空間保持懷疑的�(tài)�,因此多年來,SOI技�(shù)一直只在桌面型處理器和其它高性能�(yīng)用中才有使用(編者按:SOI中熱的不良導(dǎo)體BOX層(埋入式氧化物層)所�(dǎo)致的散熱劣勢(shì)�(yīng)該也是其原因之一��

  如今,SOI�(lián)盟的成員終于將這項(xiàng)技�(shù)推�(jìn)到了移動(dòng)�(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域。在去年的SemicON Wes商業(yè)�(huì)展儀式上,負(fù)�(zé)生產(chǎn)SOI基體晶圓的大腕級(jí)公司法國(guó)Soitec集團(tuán)表示他們已�(jīng)將自己的超薄埋入式時(shí)氧化物技�(shù) (UTBOX)拓展到了面向移動(dòng)�(shè)備用的超薄SOI平臺(tái)(即FD-SOI平臺(tái))�

  Soitec生產(chǎn)的這些SOI硅晶圓頂層硅膜的厚度精度可以控制在�0.5nm之間,埋入式氧化物層的厚度則可達(dá)�10nm的水平,Soitec公司稱這種晶圓可以滿足其客戶的要求。而且Soitec在法�(guó)和新加坡的工廠也已經(jīng)具備量產(chǎn)這種晶圓的產(chǎn)能實(shí)��

  2008�,IBM公司屬下的微電子集團(tuán)推出�45nm SOI�(chǎn)品的代工服務(wù)�(xiàng)�,不過目前還不清楚IBM�(huì)不會(huì)繼續(xù)提供基于FD-SOI技�(shù)的代工服�(wù)�

  同時(shí),Soitec搶在去年就宣布完成FD-SOI晶圓的生�(chǎn)�(zhǔn)備也可能有點(diǎn)操之過急了。畢竟目前各大芯片廠商在下一代制程節(jié)�(diǎn)上是否會(huì)選擇FD-SOI技�(shù)方面的表�(tài)還不夠明�。也許芯片廠商還在為將FD-SOI技�(shù)�(yīng)用到移動(dòng)�(lǐng)域的有關(guān)�(shè)�(jì)問題感到�(dān)憂�

  �(xiàn)�,SOI�(lián)盟的成員終于開始明確表態(tài)支持FD-SOI技�(shù)在移�(dòng)�(lǐng)域的�(yīng)用。SOI工業(yè)�(lián)盟的�(zhí)行主席Horacio Mendez表示:“FD-SOI是改變移�(dòng)�(shè)備市�(chǎng)的偉大技�(shù),這種技�(shù)可以提升移動(dòng)�(shè)備在功�,頻�,可制造性以及成本費(fèi)效等方面的性能?!彼€表示FD-SOI技�(shù)在尺寸微縮方面具備優(yōu)�(shì),而且還可以與體硅技�(shù)兼容,同�(shí)還可以消除PD-SOI中的“歷史效�(yīng)��

  針對(duì)FD-SOI技�(shù)的初步測(cè)試顯�,這種技�(shù)可以減小SRAM的工作電�100-150mV左右,如此便可減小存�(chǔ)器件的功�40%左右,同�(shí)又可以保證SRAM工作的穩(wěn)定��

  按照傳統(tǒng)的理念,面向低功耗設(shè)備的新舊兩代制程技�(shù)在性能方面的提升幅度一般在20-30%左右,而據(jù)SOI�(lián)盟發(fā)布的*估結(jié)果則顯示使用FD-SOI技�(shù)制作的產(chǎn)品要比上一代PD-SOI技�(shù)提升80%的性能,超過了傳統(tǒng)的性能增幅�

  該聯(lián)盟還表示,由于FD-SOI技�(shù)所使用的基體晶圓制作等�(jí)較高,因此后�(xù)的晶體管制造過程中,由于可以省去相�(dāng)�(shù)量的掩模保護(hù)層制作過程,因此�(duì)于芯片制造商而言�(huì)相對(duì)�(jiǎn)�,廠商今后�(jìn)一步縮減晶體管尺寸�(shí)的制造成本費(fèi)效比也會(huì)相對(duì)較低�

�(fā)展前�

  體硅CMOS技�(shù)走到22nm之后,特征尺寸已很難繼續(xù)微縮,急需革新技�(shù)來維持�(jìn)一步發(fā)�。在候選技�(shù)之中,F(xiàn)DSOI(Fully Depleted SOI,全耗盡SOI)技�(shù)極具�(jìng)�(zhēng)�。對(duì)于FDSOI晶體管,硅薄膜自然地限定了源漏結(jié)�,同�(shí)也限定了源漏�(jié)耗盡區(qū),從而可改善DIBL(Drain Induced Barrier Lowering,漏致勢(shì)壘降�)等短溝道效應(yīng),改善器件的亞閾特�,降低電路的靜態(tài)功�。此�,F(xiàn)DSOI晶體管無需溝道摻雜,可以避免RDF(Random Dopants Fluctuation,隨�(jī)摻雜漲落)等效�(yīng),從而保持穩(wěn)定的閾值電�,同�(shí)還可以避免因摻雜而引起的遷移率退化�

  SOI晶圓制備技�(shù)的發(fā)展也為FDSOI投入�(yīng)用提供了良好的支�。為了使晶體管獲得理想的性能,F(xiàn)DSOI晶圓的頂層硅膜和隱埋氧化�(Buried Oxide,BOX)須非常薄。目前市�(chǎng)上已出現(xiàn)相應(yīng)的產(chǎn)�,可滿足�(xiàn)階段的應(yīng)用需��

  SOI技�(shù)的發(fā)展環(huán)境也日益改善。自2007年SOI�(lián)�(SOI Consortium)成立以來,越來越多的公司和機(jī)�(gòu)開始�(guān)注SOI技�(shù),并加入到推廣SOI技�(shù)的隊(duì)伍中。目前SOI�(lián)盟已有會(huì)�30�(gè),包括科研機(jī)�(gòu)、材料商、設(shè)備商、集成芯片制造商、芯片設(shè)�(jì)�、芯片代工商、EDA供應(yīng)商等,貫穿整�(gè)�(chǎn)�(yè)鏈。在這些廠商的努力下,產(chǎn)�(yè)�(duì)SOI的認(rèn)�(shí)變得更為全面、準(zhǔn)確和深入�

  綜上所�,F(xiàn)DSOI走向大規(guī)模應(yīng)用的�(shí)�(jī)已經(jīng)到來,如能成功地縱身一�,將完成SOI技�(shù)�(fā)展史上最華麗的篇章�

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

已收錄詞�162542�(gè)