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動態(tài)隨機存儲�
閱讀�7952時間�2011-04-13 18:06:18

  動態(tài)隨機存儲�(DRAM=Dynamic Random Access Memory),是計算機系�(tǒng)使用的隨機存取內(nèi)�(RAM)中的一種。它只能將數(shù)�(jù)保持很短的時�,為例保持數(shù)�(jù),它使用電容存儲。所�,必須一段時間刷新一�,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失�(�(guān)機就會丟失數(shù)�(jù))

微量分析

  動態(tài)隨機存儲�(微量)存放中的每一位數(shù)�(jù)在分開電容器之內(nèi)集成電路. 因為真正的電容器漏充�,信息最終退�,除非周期性地刷新電容器充�� 因此刷新要求,它是a 動態(tài) 記憶與相對SRAM并且其他靜態(tài)記憶�

  微量的好處是它的�(jié)�(gòu)樸素:僅一支晶體管和電容器每位在SRAM需�,與六支晶體管比�。這允許微量到達非常高 密度.象SRAM,它在類 易失性記� �(shè)�,因為它丟失它的�(shù)�(jù),當取消電源。然而不同于SRAM,數(shù)�(jù)也許在力量以后短時間仍然恢復�

特點

  1、隨機存�

  所謂“隨機存取�,指的是當存儲器中的消息被讀取或?qū)懭霑r,所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對的,讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(Sequential Access)存儲設(shè)備中的信息時,其所需要的時間與位置就會有�(guān)系(如磁帶)�

  2、易失�

  當電源關(guān)閉時RAM不能保留�(shù)�(jù)。如果需要保存數(shù)�(jù),就必須把它們寫入一個長期的存儲�(shè)備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比,兩者的區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)�(jù)會自動消�,而ROM不會�

  3、高訪問速度

  �(xiàn)代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的,取存延遲也和其他涉及機械運作的存儲�(shè)備相�,也顯得微不足道�

  4、需要刷�

  �(xiàn)代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲�(shù)�(jù)。電容器充滿電后代表1(二進制),未充電的代�0。由于電容器或多或少有漏電的情形,若不作特別處理,數(shù)�(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀�(tài),然后按照原來的狀�(tài)重新為電容器充電,彌補流失了的電�。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性�

  5、對靜電敏感

  正如其他精細的集成電路,隨機存取存儲器對�(huán)境的靜電荷非常敏�。靜電會干擾存儲器內(nèi)電容器的電荷,引致數(shù)�(jù)流失,甚至燒壞電�。故此觸碰隨機存取存儲器�,應(yīng)先用手觸摸金屬接地�

工作原理

  動態(tài) RAM 也是由許多基本存儲元按照行和列來組成�.

  3 管動�(tài) RAM 的工作原�

3 管動態(tài) RAM 的工作原理

  DRAM �(shù)�(jù)� 3 管動�(tài) RAM 的基本存儲電路如上圖所�.在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀 �(shù)�(jù)線和寫數(shù)�(jù)線也是分開的.

  寫操作時,寫選擇線�"1",所� Q1 導�,要寫入的�(shù)�(jù)通過 Q1 送到 Q2 的柵�,并通過柵極 電容在一定時間內(nèi)保持信息.讓我們看一下動�(tài)效果

  讀操作�,先通過公用的預充電� Q4 使讀�(shù)�(jù)線上的分布電� CD 充電,當讀選擇線為高電� 有效�,Q3 處于可導通的狀�(tài).若原來存�"1",� Q2 導�,讀�(shù)�(jù)線的分布電容 CD 通過 Q3,Q2 放電,此時讀得的信息�"0",正好和原存信息相�;若原存信息為"0",� Q3 盡管具備導通條�,� 因為 Q2 截止,所�,CD 上的電壓保持不變,因�,讀得的信息�"1".可見,對這樣的存儲電�,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相在送往 �(shù)�(jù)總線.

與靜�(tài)隨機存儲器的區(qū)�

  一般計算機系統(tǒng)使用的隨機存取內(nèi)�(RAM)可分動態(tài)(DRAM)與靜態(tài)隨機存取�(nèi)�(SRAM)兩種,差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷�,才能維系數(shù)�(jù)保存,SRAM的數(shù)�(jù)則不需要刷新過�,在上電期間,數(shù)�(jù)不會丟失�

  SRAM靜態(tài)的隨機存儲器�  特點是工作速度�,只要電源不撤除,寫入SRAM的信息就不會消失,不需要刷新電�,同時在讀出時不破壞原來存放的信息,一�(jīng)寫入可多次讀�,但集成度較�,功耗較�。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)�

  DRAM是動�(tài)隨機存儲�(Dynamic Random Access Memory)�  它是利用場效�(yīng)管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信�,以存儲電荷的多少,即電容端電壓的高低來表示�1”和�0�。DRAM每個存儲單元所需的場效應(yīng)管較�,常見的�4��3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高,功耗也較低,但缺點是保存在DRAM中的信息__場效�(yīng)管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失,一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息,必須每�1�2ms對其刷新一次。因�,采� DRAM的計算機必須配置動態(tài)刷新電路,防止信息丟�。DRAM一般用作計算機中的主存儲器�

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