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CIGS薄膜太陽(yáng)能電�
閱讀�15610�(shí)間:2011-05-05 19:49:25

  CIGS薄膜太陽(yáng)電池自二十世紀(jì)七十年代起步以來(lái),就受到人們的普遍重視,發(fā)展非常迅�,已成為�(guó)際光伏界的研究熱�(diǎn),很有希望成為未�(lái)光伏電池的主流產(chǎn)品。由于它具有:禁帶寬度可�(diào)整范圍大、光吸收率高、制造成本低、抗輻射能力�(qiáng)、轉(zhuǎn)換效率高、電池性能�(wěn)定、無(wú)衰退性等�(yōu)�(diǎn),適合各種地面和空間�(yīng)�,尤其適用于航空�(lǐng)��

特點(diǎn)

  低成�

  CIGS電池采用了廉�(jià)的Na-Lime玻璃做襯�,采用濺射技�(shù)為制備的主要技�(shù),這樣Cu,In,Ga,Al,Zn的耗損量很�,對(duì)大規(guī)模工�(yè)生產(chǎn)而言,如能保持比較高的電池的效率,電池的�(jià)格以每瓦�(jì)算會(huì)比相�(yīng)的單晶硅和多晶硅電池的價(jià)格低得多�

  高效�

  禁帶寬度�1.1eV)適于太�(yáng)光的光電�(zhuǎn)�;容易形成固溶體以控制禁帶寬度的特點(diǎn),目前實(shí)�(yàn)室樣片效率達(dá)�18.8��

  可大�(guī)模生�(chǎn)

  近二十年的研究表明,CIGS電池的界面是化學(xué)�(wěn)定的;亞�(wěn)�(tài)缺陷�(duì)載流子有正面的影�;而Cu漂移是可逆的,它的漂移緩解了在材料中的化�(xué)�(shì)�(chǎn)生的缺陷梯度,這種適應(yīng)性使其有很好的抗輻照和抗污染能力,從而具備大�(guī)模生�(chǎn)的優(yōu)�(shì)�

CIGS薄膜電池的異�(zhì)�(jié)�(jī)�

  CIGS電池的實(shí)�(zhì):窗�-吸收體結(jié)�(gòu)的異�(zhì)p-n�(jié)太陽(yáng)能電�

CIGS薄膜電池的異質(zhì)結(jié)機(jī)理

�(yōu)�(diǎn)

  材料吸收率高,吸收系數(shù)高達(dá)105量級(jí),直接帶�,適合薄膜化,電池厚度可做到2~3微米,降低昂貴的材料成本�

  光學(xué)帶隙可調(diào),調(diào)制Ga/In�,可使帶隙�1.0~1.7eV間變�,可使吸收層帶隙與太陽(yáng)光譜獲得匹配�

  抗輻射能力強(qiáng),通過(guò)電子與質(zhì)子輻�、溫度交變、振�(dòng)、加速度沖擊等試�(yàn),光電�(zhuǎn)換效率幾乎不�.在空間電源方面有很強(qiáng)的競(jìng)�(zhēng)��

  �(wěn)定性好,不存在很多電池都有的光致衰退效應(yīng)�

  電池效率�,小面積可達(dá)19.9%,大面積組件可達(dá)14.2%�

  弱光特性好,對(duì)光照不理想的地區(qū)猶顯其優(yōu)異性能�

制備

  CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的底電極Mo和上電極n-ZnO一般采用磁控濺射的方法,工藝路線比較成熟�

  最�(guān)鍵的吸收層的制備有許多不同的方法,這些沉積制備方法包括:蒸發(fā)�、濺射后硒法、電化學(xué)沉積�、噴涂熱解法和絲�(wǎng)印刷法�

  襯底溫度保持在約350 ℃左�,真空蒸�(fā)In,Ga,Se三種元素,首先制備形�(In,Ga)Se�(yù)置層�

  將襯底溫度提高到550一580�,共蒸發(fā)Cu,Se,形成表面富Cu的CIGS薄��

  保持第二步的襯底溫度不變,在富Cu的薄膜表面再根據(jù)需要補(bǔ)充蒸�(fā)適量的In、Ga、Se,最終得到CuIn1-xGaxSe2的薄膜�

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

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