HIT太陽能電池是采用HIT結(jié)構(gòu)的硅太陽能電池，所謂HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)結(jié)構(gòu)就是在P型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄膜，采取該工藝措施后，改變了PN結(jié)的性能。因而使轉(zhuǎn)換效率達(dá)到20.7%，開路電壓達(dá)到719 mV，并且全部工藝可以在200℃以下實(shí)現(xiàn)。HIT太陽能電池按單位面積計算的發(fā)電量保持著水準(zhǔn)。HIT具有制備工藝溫度低、轉(zhuǎn)換效率高、高溫特性好等特點(diǎn)，是一種低價高效電池。HIT的轉(zhuǎn)化效率越高，意味著它更加具有可與傳統(tǒng)的硅晶太陽能電池相匹敵的優(yōu)勢。

　　低溫制備：成本優(yōu)勢

　　發(fā)射極很�。旱臀���

　　寬帶隙發(fā)射極：低吸收，高Voc

　　高Voc：高轉(zhuǎn)換效率

　　低溫度系數(shù)（轉(zhuǎn)換效率對溫度不敏感）：在溫度高地區(qū)使用

　　高耐輻射性能：可應(yīng)用在宇宙空間中

　　1.硅片清洗制絨

　　2.正面用PECVD制 備本征非晶硅薄膜 和P型非晶硅薄膜

　　3.背面用PECVD制備 本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜

　　4.在兩面用濺射法 沉積透明導(dǎo)電氧化 物薄膜

　　5.絲網(wǎng)印刷制備電 極

　　1 非晶硅太陽電池的研究，現(xiàn)在主要著重于改善非晶 硅膜本身性質(zhì)，以減少缺陷密度。嚴(yán)格控制a-Si/cSi界面質(zhì)量，不斷降低缺陷態(tài)密度。

　　2 優(yōu)化光陷，降低反射率。

　　3 提高透明導(dǎo)電膜的電導(dǎo)率，透射率。

　　4 降低金屬柵線的接觸電阻。