晶體硅太陽能電池是利用晶體硅來進行光伏效應(yīng)從而發(fā)電的太陽能電�,晶體硅太陽能電池產(chǎn)�(yè)化生�(chǎn)技�(shù)日益成熟,實驗室的高效電池工藝技�(shù)也逐步運用于產(chǎn)�(yè)化大生產(chǎn)�
晶體硅的�(fā)電過程:P型晶體硅�(jīng)過摻雜磷可得N� �,形成P-N�(jié),當光線照射到硅晶體的表面時,一 部分光子被硅材料吸收,光子的能量傳遞給硅原子� 使電子發(fā)生躍�,成為自由電子,在P-N�(jié)兩側(cè)� �,產(chǎn)生電位差。當外部接通電路時,在該電壓的� 用下,將有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率�
體硅太陽能電池的�(fā)展可劃分為三個階段(如圖1所示),每一階段效率的提升都是因為新技�(shù)的引��
�1電池效率�(fā)展路程圖
1954年貝爾實驗室Chapin等人開發(fā)出效率為6%的單晶硅太陽能電池到1960年為�(fā)展階段,導致效率提升的主要技�(shù)是硅材料的制備工藝日趨完�、硅材料的質(zhì)量不斷提高使得電池效率穩(wěn)步上升,這一期間電池效率�15%�1972年到1985年是第二個發(fā)展階�,背電場電池(BSF)[1]技�(shù)、“淺�(jié)”結(jié)�(gòu)[2]、絨面技�(shù)、密柵金屬化是這一階段的代表技�(shù),電池效率提高到17%,電池成本大幅度下降�1985年后是電池發(fā)展的第三階段,光伏科學家探索了各種各樣的電池新技�(shù)、金屬化材料和結(jié)�(gòu)來改進電池性能提高其光電轉(zhuǎn)換效率:表面與體鈍化技�(shù)、Al/P吸雜技�(shù)、選擇性發(fā)射區(qū)技�(shù)、雙層減反射膜技�(shù)�。許多新�(jié)�(gòu)新技�(shù)的電池在此階段相繼出�(xiàn),如效率�24.4%鈍化�(fā)射極和背面點接觸(PERL)[3]電池。目前相當多的技�(shù)、材料和�(shè)備正在逐漸突破實驗室的限制而應(yīng)用到�(chǎn)�(yè)化生�(chǎn)當中�。目前已�(jīng)有多家國�(nèi)外公司對外宣稱到2008年年底其大規(guī)模產(chǎn)�(yè)化生�(chǎn)�(zhuǎn)換效率單晶將達到18%,多晶將超過17%�
1 單晶硅太陽能電池
硅系列太陽能電池�,單晶硅大陽能電池轉(zhuǎn)換效率,技�(shù)也最為成�。高性能單晶硅電池是建立在高�(zhì)量單晶硅材料和相�(guān)的成熱的加工處理工藝基礎(chǔ)上的?,F(xiàn)在單晶硅的電地工藝己近成熟,在電池制作中,一般都采用表面織構(gòu)�、發(fā)射區(qū)鈍化、分區(qū)摻雜等技�(shù),開�(fā)的電池主要有平面單晶硅電池和刻槽埋柵電極單晶硅電池。提高轉(zhuǎn)化效率主要是靠單晶硅表面微結(jié)�(gòu)處理和分區(qū)摻雜工藝。在此方�,德國夫朗霍費費萊堡太陽能系�(tǒng)研究所保持著水平。該研究所采用光刻照相技�(shù)將電池表面織�(gòu)�,制成倒金字塔�(jié)�(gòu)。并在表面把一13nm。厚的氧化物鈍化層與兩層減反射涂層相�(jié)合.通過改進了的電鍍過程增加柵極的寬度和高度的比率:通過以上制得的電池轉(zhuǎn)化效率超�23%,是大值可�23�3�。Kyocera公司制備的大面積�225cm2)單電晶太陽能電池轉(zhuǎn)換效率為19�44%,國�(nèi)北京太陽能研究所也積極進行高效晶體硅太陽能電池的研究和開發(fā),研制的平面高效單晶硅電池(2cm X 2cm)轉(zhuǎn)換效率達�19.79%,刻槽埋柵電極晶體硅電池�5cm X 5cm)轉(zhuǎn)換效率達8.6%�
單晶硅太陽能電池�(zhuǎn)換效率無疑是的,在大�(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中仍占據(jù)主導地位,但由于受單晶硅材料價格及相�(yīng)的繁瑣的電池工藝影響,致使單晶硅成本價格居高不下,要想大幅度降低其成本是非常困難的。為了節(jié)省高�(zhì)量材�,尋找單晶硅電池的替代產(chǎn)�,現(xiàn)在發(fā)展了薄膜太陽能電池,其中多晶硅薄膜太陽能電池和非晶硅薄膜太陽能電池就是典型代��
2 多晶硅薄膜太陽能電池
通常的晶體硅太陽能電池是在厚�350�450μm的高�(zhì)量硅片上制成�,這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實際消耗的硅材料更�。為了節(jié)省材�,人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜,但由于生長的硅膜晶粒大�,未能制成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄�,人們一直沒有停止過研究,并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學氣相沉積法,包括低壓化學氣相沉積(LPCVD)和等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝。此�,液相外延法(LPPE)和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池�
化學氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反�(yīng)氣體,在一定的保護氣氛下反�(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底�,襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4�。但研究�(fā)�(xiàn),在非硅襯底上很難形成較大的晶粒,并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先� LPCVD在襯底上沉熾一層較薄的非晶硅層,再將這層非晶硅層退�,得到較大的晶粒,然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜,因�,再�(jié)晶技�(shù)無疑是很重要的一個環(huán)節(jié),目前采用的技�(shù)主要有固相結(jié)晶法和中區(qū)熔再�(jié)晶法。多晶硅薄膜電池除采用了再結(jié)晶工藝外,另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技�(shù),這樣制得的太陽能電池�(zhuǎn)換效率明顯提�。德國費萊堡太陽能研究所采用區(qū)館再�(jié)晶技�(shù)在FZ Si襯底上制得的多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率為19�,日本三菱公司用該法制備電池,效率達16.42%�
液相外延(LPE)法的原理是通過將硅熔融在母體里,降低溫度析出硅�。美國Astropower公司采用LPE制備的電池效率達12�2�。中國光電發(fā)展技�(shù)中心的陳哲良采用液相外延法在冶金級硅片上生長出硅晶粒,并�(shè)計了一種類似于晶體硅薄膜太陽能電池的新型太陽能電池,稱之為“硅?!碧柲茈姵兀嘘P(guān)性能方面的報道還未見��
多晶硅薄膜電池由于所使用的硅遠較單晶硅少,又無效率衰退問題,并且有可能在廉價襯底材料上制備,其成本遠低于單晶硅電池,而效率高于非晶硅薄膜電池,因�,多晶硅薄膜電池不久將會在太陽能電地市場上占�(jù)主導地位�
1.1表面織構(gòu)
減少入射光學損失是提高電池效率最直接方法?;瘜W腐蝕工藝是最成熟的產(chǎn)�(yè)化生�(chǎn)技�(shù),也是行�(yè)�(nèi)最廣泛使用的技�(shù),工藝門檻低、產(chǎn)量大;但絨面�(zhì)量不易控�、不良率高,且減反射效果有限(腐蝕后的反射率一般仍�11%以上�,并�(chǎn)生大量的化學廢液和酸堿氣�,非�(huán)境友好型生產(chǎn)方式。反�(yīng)離子刻蝕技�(shù)(RIE)是最有發(fā)展前景的技�(shù),它首先在硅片表面形成一層MASK(掩膜)再顯影出表面織構(gòu)模型,然后再利用反應(yīng)離子刻蝕方法制備表面織構(gòu)。用這種方法制備出的減反射絨面非常完�,表面反射率可降�0.4�,單多晶技�(shù)�(tǒng)一,生�(chǎn)工藝與設(shè)備都可移植于IC工業(yè),如果生�(chǎn)成本能夠進一步降低可望取代化學腐蝕方法而大�(guī)模使用。京瓷產(chǎn)�(yè)�17.2%~17.7%的多晶硅電池就是采用等離子刻蝕工藝的一個成功典��
1.2�(fā)射區(qū)擴散
PN�(jié)特性決定了太陽能電池的性能!傳�(tǒng)工藝對太陽能電池表面均勻摻雜,且為了減少接觸電阻、提高電池帶負載能力表面摻雜濃度較高。但研究�(fā)�(xiàn)表面雜質(zhì)濃度過高導致擴散區(qū)能帶收縮、晶格畸�、缺陷增加、“死層”明�、電池短波響�(yīng)差。PN�(jié)技�(shù)是國際一流電池制造企�(yè)與國�(nèi)電池企業(yè)的主要技�(shù)差距。為了在提高電池的填充因子的同時避免表面“死層�,選擇性擴散發(fā)射極電池技�(shù)是最有望獲得�(chǎn)�(yè)化生�(chǎn)的低成本革命性高效電池技�(shù),其技�(shù)原理簡單且通過�(xiàn)有裝備已�(jīng)在實驗室實現(xiàn),但如何降低制造成本是該技�(shù)�(chǎn)�(yè)化過程中所面臨的主要挑�(zhàn)。目前國�(nèi)某些大公司對外宣傳的超過17.6%以上的高效電池其技�(shù)核心均來源于�,相信隨著配套裝備與輔助材料的及時解決近二年�(nèi)將會迅速普及與推廣�
在制造工藝上采用氮氣攜帶三氯氧磷管式高溫擴散是目前主流生�(chǎn)技�(shù),其特點是產(chǎn)量大、工藝成熟操作簡�。隨著電池向大尺�、超薄化方向�(fā)展以及低的表面雜�(zhì)濃度(表面方塊電�80�120Ω/口、均勻性�3%以內(nèi)�,減壓擴散技�(shù)(LYDOP)優(yōu)勢非常明�,工藝中低的雜質(zhì)源飽和蒸氣壓、提高了雜質(zhì)的分子自由程,它�156尺寸的硅片每批次�(chǎn)�400片的情況下其擴散均勻性仍�(yōu)于�3%,是高品�(zhì)擴散的與�(huán)境友好型的生�(chǎn)方式。鏈式擴散設(shè)備不僅適�(yīng)Inline自動化生�(chǎn)方式,而且處理硅片尺寸幾乎不受限制、碎片率大大降低而迅速受到重�,其工藝有噴涂磷酸水溶液擴散與絲�(wǎng)印刷磷漿料擴散二�。在鏈式擴散技�(shù)上,BTU、SCHMID以及中電集團�48所均已有長時間的研究及工業(yè)化應(yīng)用,只要能在擴散�(zhì)量上獲得突破其一定會取代目前管式擴散成為主流生產(chǎn)裝備與技�(shù)�
1.3去邊技�(shù)
�(chǎn)�(yè)化的周邊PN�(jié)去除方式是等離子體干法刻蝕,該方法技�(shù)成熟、產(chǎn)量大,但存在過刻、鉆刻及不均勻的�(xiàn)�,不僅影響電池的�(zhuǎn)換效�,而且導致電池片蹦�、色差與缺角等不良率上升。激光開槽隔離技�(shù)根據(jù)PN�(jié)深度而在硅片邊緣開一物理隔離�,但與國外情況相�,據(jù)國內(nèi)使用情況來看電池效率反而不及等離子體刻蝕技�(shù),因此該方法有待進一步研�。目前行�(yè)出現(xiàn)的另外一種技�(shù)——化學腐蝕去邊與背面腐蝕拋光技�(shù)集刻蝕與去PSG一體,背面絨面的拋光極大降低了入射光的透射損失、提高電池紅光響�(yīng)。該方法工藝簡單、易于實�(xiàn)inline自動化生�(chǎn),不存在“鉆刻”與刻蝕不均勻現(xiàn)�,工藝相對穩(wěn)�,因此盡管配套設(shè)備昂貴但仍引起業(yè)�(nèi)廣泛�(guān)注�
1.4表面減反射膜生長技�(shù)
早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對入射光的吸�,但該方法均需先單獨采用熱氧化方法生長一�10�20umSiO2使硅片表面非晶化、且對多晶效果不理想�
SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對硅的腐蝕抑制Ag的擴散速度從而使后續(xù)快燒工藝溫度范圍更寬易于�(diào)節(jié),而且致密的SixNy膜層是有害雜�(zhì)良好的阻擋層。同時生成的氫原子對硅片具有表面鈍化與體鈍化的雙重作�,可以很好地修復硅中的位�、表面懸掛鍵,提高了硅片中載流子的遷移率因而迅速成為高效電池生�(chǎn)的主流技�(shù)。雙層SiN減反射膜,通過控制各膜層中硅的富集率實�(xiàn)�5.5%[4]的反射率;而另一種SiN與SiO混合膜,其反射率更是低至4.4%,目前廣泛采用的單層SiN膜減反射率為10.4%�
在電池背面生長一�10�30nmSiN膜以期限度對電池進行鈍化與缺陷的修復從而提高電池的效率是目前的一個熱點課�,由于該技�(shù)牽涉到與后面的絲�(wǎng)印刷技�(shù)、電極漿料技�(shù)及燒�(jié)工藝的配合目前尚處于實驗研究階段,但它肯定是今后的一個發(fā)展趨勀�
匹配封裝材料對光譜的折射率定制減反射膜以獲得的實際使用效果是光伏企業(yè)技�(shù)實力的體�(xiàn)!如何減少電磁波對電池表面PN�(jié)輻射損傷以及損傷的有效修復是該工藝的核心技�(shù),處理不好往往導致電池效率一致性較�。裝備方面有連續(xù)式間接HF-PECVD、管式直接LF-PECVD�
1.5絲網(wǎng)印刷與金屬漿料技�(shù)
絲網(wǎng)印刷技�(shù)是低成本太陽能電池產(chǎn)�(yè)化生�(chǎn)的關(guān)鍵技�(shù),其主要技�(shù)進步與電極漿料及�(wǎng)版制版技�(shù)緊密相聯(lián)。電極漿料技�(shù)進步是提升電池效率的捷徑,也是一些實驗室技�(shù)向產(chǎn)�(yè)化轉(zhuǎn)換的�(guān)�。根�(jù)電池表面擴散薄層方塊電阻、擴散結(jié)深以及表面減反射膜厚度與密度等開�(fā)相對�(yīng)的漿料已�(jīng)成為國際一流光伏企�(yè)同行的一個有力武器:如摻P的正銀漿料實現(xiàn)低成本的選擇性發(fā)射極技�(shù);向漿料中添加添加劑實現(xiàn)80�100um細柵技�(shù);配合超薄片的低翹曲背鋁漿料等等�
硅片厚度不斷減薄、電池面積不斷增大,如何降低碎片率與電池片的翹曲度成為設(shè)備制造廠商與電池制造企�(yè)共同�(guān)注的焦點問題。設(shè)備方面已�(jīng)出現(xiàn)能適�(yīng)120um厚度硅片的全自動印刷�(shè)��
以硅片為載體的光伏電池制造技�(shù),其理論極限效率�29�。近年來由于一系列新技�(shù)的突破,硅太陽能電池�(zhuǎn)換效率產(chǎn)�(yè)化水平單�16%�18�、多�15%�17�,按目前的晶體硅電池效率路線圖與電池技�(shù),提升效率的難度已經(jīng)非常�。因此有人預言硅電池的市場生命周期,但�(chǎn)品市場生命力的決定因素是其性價�,就如半導體集成電路一樣近一個世紀了仍然離不開硅基,晶體硅太陽能電池作為光伏發(fā)電主要材料的�(xiàn)狀不會改變,市場主導地位將繼續(xù)延續(xù)!其特征將會是向著高效率、大尺寸、超薄化、長壽命方向�(fā)�。隨著我們對半導體材料與光伏技�(shù)研究的不斷深入,必將會不斷誕生一些突破性的技�(shù)來巔覆傳�(tǒng)、提升太陽能電池的效�、降低系�(tǒng)�(fā)電成�,實�(xiàn)光伏�(fā)電從補充能源向主流能源的躍�!只是以前這些技�(shù)都由國外企業(yè)與機�(gòu)�(chǎn)�。可以預見通過中國廣大“光伏人”的努力,今后這些革命性的技�(shù)突破將會在我們中國本土企�(yè)與科研機�(gòu)中產(chǎn)��
維庫電子�,電子知識,一查百��
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