ITO � Indium Tin Oxide� �(dǎo)電膜是指采用磁控濺射的方法在透明有機(jī)薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO��(dǎo)電薄�鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技�(shù)�(chǎn)�。由于其�電阻�、高可見(jiàn)光透射�、與玻璃基體�(jié)合牢�、抗擦傷 , 良好的化�(xué)�(wěn)定性等�(yōu)�(diǎn) , 得到了越�(lái)越廣泛的�(yīng)��
金屬特�
金屬�(dǎo)電的原因:金屬鍵之鍵�(jié)力不�(qiáng),電子受到外加電位即可自由運(yùn)�(dòng),形成電子流�
金屬不透明的原因:光波被高密度之電子吸收與反射�
氧化物特�
氧化物絕緣的原因:氧化物為金屬與氧氣反應(yīng)形成共價(jià)�,鍵�(jié)中無(wú)自由電子,因此不�(dǎo)��
氧化物透明的原因:原子鍵結(jié)的空隙中�(wú)自由電子,故光波可穿透氧化物�(jié)�(gòu)�
透明�(dǎo)電氧化物
氧化物結(jié)�(gòu)中含有氧原子之缺�,使自由電子可在這些缺陷中運(yùn)�(dòng),因此可以導(dǎo)�,但由於自由電子之密度不高,因此�(dǎo)電率不如金屬�
由於自由電子之密度不�,因此可以透光,但透光率不如致密氧化物�
透光率與�(dǎo)電率之關(guān)�
ITO薄膜在可�(jiàn)光之范圍�(nèi),鍍膜之透光率與�(dǎo)電鍍率約成反比之�(guān)�;例如,�(dāng)鍍膜面電阻率�10Ω/sq以下�(shí),可�(jiàn)光透光率可�(dá)80%,但若透光率欲�(dá)�90%以上,則面電阻必須提高至100Ω/sq以上�
近年�(lái),ITO�(dǎo)電膜被廣泛應(yīng)用在LCD屏幕和觸控面�,ITO�(dǎo)電膜還被用作飛機(jī)座艙玻璃散射雷達(dá)波的隱身涂層 , 將雷�(dá)波散射到非有效空間方� , 從而縮減了飛機(jī)座艙的雷�(dá)散射截面 RCS.此外,在液晶顯示、氣體放�、電致發(fā)光器件以及太�(yáng)能電池、建筑玻璃等方面 , ITO�(dǎo)電膜也得到了�(yīng)��
用直流反�(yīng)磁控濺射法在�(wú)�(jī)玻璃上鍍� ITO 膜。濺射時(shí)基片不加� , 濺射后�(jìn)行空氣退火和真空退�。采用由J S - 450 型改造而成的濺射設(shè)� , 濺射室內(nèi)水平安裝直徑�300mm的圓形平面磁控濺射靶陰極 (在上方� 和放置基片的可旋�(zhuǎn)試樣�(tái) (在下方� .靶陰極與 d1c高壓電源的負(fù)極相�(lián) , 試樣�(tái)與正極相�(lián)并接地。In - Sn 合金靶由高純 In�991999 %In� 和高� Sn �991999 %Sn� 制成 , 成分� 92 %In (wt � + 8 %Sn (wt � , 靶片直徑 280mm.由于制備的試樣尺寸較� , 通過(guò)屏蔽的方法只允許直徑 170mm 的靶面工��
� 5mm厚的 K9 玻璃作基� , 尺寸� 30mm ×30mm2� 10mm ×2218mm2兩種。高純Ar作放電氣� , 高純 O2作為反應(yīng)氣體 , � ZZK - 1 型壓�(qiáng)自動(dòng)控制儀控制氣體總壓�(qiáng) ,用D07 型質(zhì)量流量計(jì)控制 O2濃度。濺射室總壓�(qiáng)� 110Pa , O2濃度變化范圍 9. 5 %~12.5 % , 濺射功率85W , 濺射�(shí)間根�(jù)�(duì)膜的厚度要求而定。通過(guò)輝光放電 , 使部分Ar 原子電離 , 還有較高功能� Ar 離子� In - Sn 合金靶表面的原子濺射下來(lái)。被濺射下來(lái)� In、Sn原子和處于激�(fā)狀�(tài)的氧離子�(fā)生反�(yīng) , 生成 In - Sn 氧化物膜 , � ITO �。本�(shí)�(yàn)由于基片不加� , 沉積速率� , 氧化反應(yīng)不充� , 生成的膜中含有黑色低�(jià)氧化� InO 和SnO.這時(shí) ITO 膜的透明性和�(dǎo)電性均不佳 , 必須�(jìn)行鍍后退� , 使其�(zhuǎn)化成透明性和�(dǎo)電性都很好的高�(jià)氧化� In2O3 - SnO2.
反應(yīng)濺射后分別在空氣中和真空中�(jìn)行退�。退火溫� 450~500 �� 保溫�(shí)� 1~115h.