混頻二極�是一�肖特基勢壘二極管,與一般二極管相比,由于利用多數載流子工作,沒有少數載流子儲存效應,所以具有頻率高、噪聲低和反向電流小等特�,主要用�混頻��
混頻二極管是利用金屬和N型半導體相接觸所形成的金屬半導體結的原理而制成的。當金屬與半導體相接觸時,它們的交界面處會形成阻礙電子通過的肖特基勢壘,即表面勢壘。為了使半導體中的載流子容易地越過勢壘進入金屬,它必須采用電子逸出功(電子跑出半導體或金屬表面所需的能量)比金屬大得多的N型半導體。當二極管加上正向偏壓時,勢壘下�,多數載流子(電子)便從半導體進入金屬�
1、正向特�
這里以日立公司的1SS86/1SS87為例說明。它們的正向特性由�1所示,當正向電流IF�1mA��1SS86的正向壓降VF�0.2V�1SS87的VF�0.45V;當IF�10mA��1SS86的VF=0.4V�1SS87的VF=0.6V。另�,從�1中可�,國外混頻二極管的正向特性越做越好,主要表現在正向特性的一致性更�,有類似于變容管的配對特性,如在IF=10mA��1SS165的VF=520mV�600mV±5mV;HSM88S/SR與HSM88AS/ASR的VF分別�520mV�600mV±10mV�500mV�580mV±10mV,表明VF的偏差只�5mV�10mV�
2、反向特�
它們的反向特性由�2所�?;祛l二極管的反向漏電流較小,如在VR=2V��1SS86的IR�20μA�1SS87的IR�1μA;在VR=4V下,1SS86的IR�70μA�1SS87的IR�4μA,表�1SS87的反向特性比1SS86�。混頻器要求混頻二極管的反向漏電流小,這樣,混頻器的噪聲系數也��
3、結電容
它們的結電容與反向電壓的關系由�3所�。當VR=0V��1SS86/1SS87的結電容C都小�0.85pF;在VR=1V�,它們的電容C都小�0.7pF。由于混頻二極管的結電容較小,所以混頻器的頻率較�。另外,從表1可知,國外混頻二極管的結電容的偏差也越來越小,如在VR=0V時,1SS88/1SS165/1SS166的電容偏差ΔC均為±0.05pF;HSM88S/SR、HSM88AS/ASR和HSM88WA/WK的ΔC均為±0.1pF�
所謂二極管混頻器就是混頻器中的非線性器件采取混頻二極管的混頻器,它的電原理圖如�5所�。圖5中L1C1為輸入信號回�,調諧于輸入信號頻率fS;L2C2為輸出中頻回�,調諧于中頻頻率fi。輸出中頻回路直接與混頻二極管D、信號輸入電壓μS、本振電壓μO和偏置電源EO串聯在一�,輸出中頻電壓μi全部反作用到混頻二極管上。這種二極管混頻器具有電路簡單、噪聲小和工作頻率高等特點,但混頻電壓增益較�。這種電路在大信號混頻中使用時,混頻二極管在開關狀�(tài)工作,它能獲得較大的動態(tài)范圍,所以在微波電路中較廣泛地應用。若采用單個器件組成的混頻�,其非線性和動態(tài)范圍都不太理�?,F�,彩電電調諧器大多采用兩個或多個器件組成的平衡混頻器和差分對混頻器�,以提高混頻器的性能�
維庫電子�,電子知識,一查百��
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