SED的全稱是“Surface-conduction Electron-emitter Display”,譯成中文就是“表�?zhèn)�?dǎo)電子�(fā)�顯示��。其�(fā)光原理與傳統(tǒng)�CRT顯示器有相似之處,也是利用陰極發(fā)射電�,然后通過(guò)電場(chǎng)加�,使電子轟擊熒光粉發(fā)出亮��
SED顯示技�(shù)SED的基本顯示原理同CRT相同,都是由電子撞擊熒光材料而發(fā)�,但電子撞擊的方式卻不一�。CRT顯像管是將一�(gè)電子槍射出的電子束在偏轉(zhuǎn)線圈的強(qiáng)大磁�(chǎng)下偏離原�(lái)方向,依次去轟擊熒光材料。而SED則是將涂有熒光材料的玻璃板與鋪有大量微型電子�(fā)射器即電子槍的玻璃底板平行擺�,大量的微型電子�(fā)射器就像液晶或等離子顯示器的像素一�。SED顯示器的�(guān)鍵是微型電子�(fā)射器之間的縫隙,這�(gè)縫隙只有幾納米的寬度,在施加電壓的情況下�(huì)�(chǎn)生隧道效�(yīng),從而使�(fā)射器�(fā)射電�,電子在電壓的作用下撞擊熒光材料從而發(fā)�。由于SED顯示器不需要發(fā)射電子束,從而使厚度可以做得相當(dāng)薄,目前公開(kāi)的試�(yàn)�(jī)型的厚度比液晶和等離子顯示器都要��
?�?)由電子撞擊熒光粉發(fā)�,屬于自�(fā)光器�,不存在液晶顯示的可視角不夠和響�(yīng)�(shí)間過(guò)�(zhǎng)的問(wèn)��
�2)發(fā)光完全可�,不存在液晶顯示的背光泄漏或等離子顯示的�(yù)放電�(wèn)題,黑色表現(xiàn)力大大提��
?�?)發(fā)光效率可�(dá)5lm/W,使其耗電量只有同�(guī)格的等離子和液晶顯示器的一��
�4)由于采用與普通電視顯像管同樣的高壓熒光粉,可以達(dá)到優(yōu)于PDP和LCD的色彩飽和度及銳利的圖像�
�5)器件基本上是平面結(jié)�(gòu),可以完全采用印刷工藝生�(chǎn),使生產(chǎn)成本可以做到大大低于PDP和LCD�
同樣是利用帶電粒子轟擊熒光粉,但SED�(chǎn)生電子的原理與CRT顯示器有很大的不同。CRT的電子槍通過(guò)加熱金屬陰極,使它具有表面活�,生成活潑電子,然后利用�(yáng)極把電子從陰極上拉出�(lái),并利用偏轉(zhuǎn)線圈讓電子束在熒光屏的水平和垂直兩�(gè)方向上同�(shí)�(jìn)行掃�,生成一幅完整的�(huà)靀相比之�,SED不僅�(méi)有掃描裝�,而且�(chǎn)生電子的方式也不同。SED屏幕上的每�(gè)像素�(nèi)都有一�(gè)屬于自己的電子發(fā)射裝置(陰極�,這�(gè)電子�(fā)射裝置其�(shí)就是一�(gè)寬度約為5nm(納米)的碳納米間隙。由于間隙寬度極�,只要在間隙兩端施加10伏特左右的電壓便能產(chǎn)生電子流(這與閃存芯片中存�(chǔ)元的充放電原理相�,被稱作“F-N隧道效應(yīng)”)。此�(shí),如果給金屬背板(陽(yáng)極)施加一�(gè)正電�,與陰極之間形成一�(gè)電場(chǎng),電子流便會(huì)在電�(chǎng)力的作用下逃離間隙,奔向陽(yáng)極,轟擊熒光�,發(fā)出熒光�
具有CRT的畫(huà)面質(zhì)量和平板電視的厚度使得SED被認(rèn)為最有可能成為下一代顯示器。佳能和東芝投巨資組建SED公司也預(yù)示著SED的美好前�。兩家公司希望在2005年SED�(chǎn)品的月生�(chǎn)量達(dá)�3000塊,并在2008年時(shí)提高�180�(wàn)�/�,到2010年達(dá)�300�(wàn)�/��2007年的收入�(yù)�(jì)可達(dá)�300億日元,并在2010年提高到2000億日�。DisplaySearch市場(chǎng)�(diào)查公司的�(diào)查預(yù)�(jì)�2008年平板顯示器市場(chǎng)的收入將�2003年的427億美元提高到972億美�。盡管在理論和樣�(jī)上SED表現(xiàn)出來(lái)的影像要比液晶和等離子更清晰,但目前還很難說(shuō)SED已經(jīng)完全�(dá)到了投產(chǎn)水平。而且液晶在中小尺寸市�(chǎng)、等離子在大尺寸市場(chǎng)上正在逐步�(wěn)固各自的地位。同�(shí)液晶與等離子的價(jià)格正在急速下�,SED能否得到普及,要看它是否有足夠的能力與前兩者相抗衡�
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