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電容咪頭
閱讀�92649�(shí)間:2016-07-01 14:36:51

�(chǎn)品名�

  電容咪頭,是將聲音信�(hào)�(zhuǎn)換為電信�(hào)的能量轉(zhuǎn)換器�,是和喇叭正好相反的一�(gè)器件(電→聲�。是聲音�(shè)備的兩�(gè)終端,咪頭是輸入,喇叭是輸出。又名麥克風(fēng),話筒,傳聲��

�(jié)�(gòu)�(shuō)�

  以全向MIC,振膜式極�(huán)連接式為�

  1、防塵網(wǎng)�

  保護(hù)咪頭,防止灰塵落到振膜上,防止外部物體刺破振膜,還有短時(shí)間的防水作用�

  2、外殼:

  整�(gè)咪頭的支撐件,其它件封裝在外殼之�,是傳聲器的接地�(diǎn),還可以起到電磁屏蔽的作��

  3、振膜:是一�(gè)�-電轉(zhuǎn)換的主要零件,是一�(gè)繃緊的特氟窿塑料薄膜粘在一�(gè)金屬薄圓�(huán)�,薄膜與金屬環(huán)接觸的一面鍍有一層很薄的金屬�,薄膜可以充有電荷,也是組成一�(gè)可變電容的一�(gè)電極�,而且是可以振�(dòng)的極��

  4、墊片:

  支撐電容兩極板之間的距離,留有間隙,為振膜振�(dòng)提供一�(gè)空間,從而改變電容量�

  5、背極板�

  電容的另一�(gè)電極,并且連接到了FET(場(chǎng)效應(yīng)管)的G(柵)極��

  6、銅�(huán)�

  連接極板與FET(場(chǎng)效應(yīng)管)的G(柵)極,并且起到支撐作��

  7、腔體:

  固定極板和極�(huán),從而防止極板和極環(huán)�(duì)外殼短路(FET(場(chǎng)效應(yīng)管)的S(源極),G(柵)極短路��

  8、PCB組件�

  裝有FET,電容等器件,同�(shí)也起到固定其它件的作��

  9、PIN:有的傳聲器在PCB上帶有PIN(腳�,可以通過(guò)PIN與其他PCB焊接在一�,起連接另外前極�,背極式在結(jié)�(gòu)上也略有不同�

工作原理

  由靜電學(xué)可知,對(duì)于平行板電容�,有如下的關(guān)系式:C=εS/4πkd…①即電容的容量與介�(zhì)的介電常�(shù)成正�,與兩�(gè)極板的面積成正比,與兩�(gè)極板之間的距離成反比�

  另外,當(dāng)一�(gè)電容器充有Q量的電荷,那么電容器兩�(gè)極板要形成一定的電壓,有如下�(guān)系式:C=Q/V ……②

  �(duì)于一�(gè)駐極體咪�,內(nèi)部存在一�(gè)由振�,墊片和極板組成的電容器,因?yàn)槟て铣溆须�?,并且是一�(gè)塑料膜,因此�(dāng)膜片受到聲壓�(qiáng)的作�,膜片要�(chǎn)生振�(dòng),從而改變了膜片與極板之間的距離,從而改變了電容器兩�(gè)極板之間的距�,產(chǎn)生了一�(gè)Δd的變�,因此由公式①可�,必然要�(chǎn)生一�(gè)ΔC的變化,由公式②又知,由于ΔC的變化,充電電荷又是固定不變�,因此必然產(chǎn)生一�(gè)ΔV的變��

  這樣初步完成了一�(gè)由聲信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)��

  由于這�(gè)信號(hào)非常微弱,內(nèi)阻非常高,不能直接使�,因此還要�(jìn)行阻抗變換和放大�

  FET�(chǎng)效應(yīng)管是一�(gè)電壓控制元件,漏極的輸出電流受源極與柵極電壓的控��

  由于電容器的兩�(gè)極是接到FET的S極和G極的,因此相�(dāng)于FET的S極與G極之間加了一�(gè)Δv的變化量,F(xiàn)ET的漏極電流I就產(chǎn)生一�(gè)ΔID的變化量,因此這�(gè)電流的變化量就在電阻RL上產(chǎn)生一�(gè)ΔVD的變化量,這�(gè)電壓的變化量就可以通過(guò)電容C0輸出,這�(gè)電壓的變化量是由聲壓引起的,因此整�(gè)咪頭就完成了一�(gè)聲電的轉(zhuǎn)換過(guò)��

技�(shù)指標(biāo)

  咪頭的測(cè)試條�;MIC的使用應(yīng)�(guī)定其工作電壓和負(fù)載電�,不同的使用條�,其靈敏度的大小有很大的影�

  電壓 電阻

  1、消耗電流:即咪頭的工作電流

  主要是FET在VSG=0�(shí)的電�,根�(jù)FET的分�,可以做成不同工作電流的傳聲器。但是對(duì)于工作電壓低、負(fù)載電阻大的情況下,對(duì)于工作電流就有嚴(yán)格的要求,由電原理圖可知

  VS=VSD+ID×RL ID = (VS- VSD)/ RL

  式中 ID FET 在VSG等于零時(shí)的電�

  RL為負(fù)載電�

  VSD,即FET的S與D之間的電壓降

  VS為標(biāo)�(zhǔn)工作電壓

  總的要求 100μA〈IDS�500μA

  2、靈敏度�?jiǎn)挝宦晧簭?qiáng)下所能產(chǎn)生電壓大小的能力�

  單位:V/Pa � dBV/Pa 有的公司使用是dBV/μBar

  -40 dBV/Pa=-60dBV/μBar

  0 dBV/Pa=1V/Pa

  聲壓�(qiáng)Pa=1N/m2

  3、輸出阻抗:基本相當(dāng)于負(fù)載電阻RL(1-70%)之間�

  4、方向性及頻響特性曲線:

  a、全�: MIC的靈敏度是在相同的距離下在任何方向上相等,全向MIC的結(jié)�(gòu)是PCB上全部密�,因此,聲壓只有從MIC的音孔�(jìn)�,因此是屬于壓強(qiáng)型傳聲器�

  頻率特性圖�

  b、單� 單向MIC 具有方向�,如果MIC的音孔正�(duì)聲源�(shí)�0度,那么�0度時(shí)靈敏��180度時(shí)靈敏�,在全方位上呈心型圖,單向MIC的結(jié)�(gòu)與全向MIC不同,它是在PCB上開(kāi)有一些孔,聲音可以從音孔和PCB的開(kāi)孔�(jìn)入,而且MIC的內(nèi)部還裝有吸音材料,因此是介于壓強(qiáng)和壓差之間的MIC�

  頻率特性圖�

  c、消噪型:是屬于壓差式MIC,它與單向MIC不同之處在于�(nèi)部沒(méi)有吸音材�,它的方向型圖是一�(gè)8字型

  頻率特性:

  5、頻率范圍:

  全向� 50~12000Hz 20~16000Hz

  單向�100~12000Hz 100~16000Hz

  消噪�100~10000Hz

  6、聲壓級(jí):是指MIC的失真在3%�(shí)的聲壓級(jí),聲壓�(jí)定義:20μpa=0dBSPL

  MaxSPL�115dBSPLA SPL聲壓�(jí) A為A�(jì)�(quán)

  7、S/N信噪比:即MIC的靈敏度與在相同條件下傳聲器本身的噪聲之比,詳見(jiàn)�(chǎn)品手�(cè),噪聲主要是FET本身的噪�

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

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