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肖特基勢(shì)�
閱讀�7497�(shí)間:2016-09-30 17:24:24

肖特基勢(shì)�是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)�接觸,就如同二極�具有整流特�。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域�
肖特基勢(shì)壘指一具有大的�(shì)壘高度(也就是ΦBn 或� ΦBp >> kT�,以及摻雜濃度比導(dǎo)帶或�(jià)帶上�(tài)密度低的金屬-半導(dǎo)體接觸(施敏, 半導(dǎo)體器�物理與工�, 第二�, 7.1.2��

基本概念

肖特基勢(shì)壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接�,就如同二極管具有整流特�。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域�
金屬與n型半�(dǎo)體形成的肖特基勢(shì)壘如�1所�。金屬—半�(dǎo)體作為一�(gè)整體在熱平衡�(shí)有同樣費(fèi)米能�(jí)。肖特基�(shì)壘相較于PN界面的區(qū)別在于具有較低的界面電壓,以及在金屬端具有相�(dāng)薄的(幾乎不存�)空乏區(qū)寬度。由半導(dǎo)體到金屬,電子需要克服勢(shì)�;而由金屬向半�(dǎo)�,電子受�(shì)壘阻�。在加正向偏置時(shí)半導(dǎo)體一�(cè)的勢(shì)壘下�;相反,在加反向偏置�(shí),半�(dǎo)體一�(cè)�(shì)壘增�。使得金�-半導(dǎo)體接觸具有整流作�(但不是一切金屬—半�(dǎo)體接觸均如此�。如果對(duì)于P型半�(dǎo)�,金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函�(shù),對(duì)于N型半�(dǎo)�,金屬的功函�(shù)小于半導(dǎo)體的功函�(shù),以及半�(dǎo)體雜�(zhì)濃度不小�10^19/立方厘米�(shù)量級(jí)�(shí)�(huì)出現(xiàn)歐姆接觸,它�(huì)因雜�(zhì)濃度高而發(fā)生隧道效�(yīng),以致勢(shì)壘不起整流作�。并非所有的金屬-半導(dǎo)體接面都是具有整流特性的,不具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接面則�(chēng)為歐姆接�。整流屬性決定于金屬的功�、固有半�(dǎo)體的能隙,以及半�(dǎo)體的摻雜�(lèi)型及濃度。在�(shè)�(jì)半導(dǎo)體器件時(shí)需要對(duì)肖特基效�(yīng)相當(dāng)熟悉,以確保不會(huì)在需�?dú)W姆接觸的地方意外地產(chǎn)生肖特基�(shì)壘。當(dāng)半導(dǎo)體均勻摻雜時(shí)肖特基勢(shì)壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N�(jié)的耗盡層寬度相一��

�(yōu)�(diǎn)

由于肖特基勢(shì)壘具有較低的界面電壓,可被應(yīng)用在某器件需要近似于一�(gè)理想二極管的地方。在電路�(shè)�(jì)�,它們也同時(shí)與一般的二極管及晶體管一起使�, 其主要的功能是利用其較低的界面電壓來(lái)保護(hù)電路上的其它器件�
然而,自始至終肖特基器件相較于其它半導(dǎo)體器件來(lái)�(shuō)能被�(yīng)用的�(lǐng)域并不廣�

器件

肖特基二極管,肖特基�(shì)壘自身作為器件即為肖特基二極��
肖特基勢(shì)壘碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET:金屬和碳納米管之間的接觸并不理想所以層�(cuò)�(dǎo)致肖特基�(shì)�,所以我們可以使用這一�(shì)壘來(lái)制作肖特基二極管或者晶體管等等�

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