101X15N270MV4E 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,主要用于高頻率和高效率的電力電子應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)和增�(qiáng)� GaN �(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)�(jì),能夠提供卓越的性能和可靠�。其 270mΩ 的導(dǎo)通電阻以及極低的柵極電荷特�,使其非常適合于高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源和其他要求高效率的應(yīng)用場(chǎng)��
此外�101X15N270MV4E 在設(shè)�(jì)上注�?zé)峁芾砗碗姎庑阅軆?yōu)�,確保了在各種嚴(yán)苛工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行�
型號(hào)�101X15N270MV4E
類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓:150V
�(dǎo)通電阻:270mΩ
連續(xù)漏極電流�4A
柵極電荷�3nC
輸入電容�980pF
輸出電容�30pF
反向傳輸電容�12pF
工作溫度范圍�-40� � +125�
101X15N270MV4E 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 增強(qiáng)� GaN 技�(shù)帶來(lái)更小的尺寸和更高的效��
2. 極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷使得開關(guān)損耗顯著降低�
3. 高速開�(guān)能力,支� MHz �(jí)別的開關(guān)頻率�
4. 出色的熱性能,確保高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
6. �(nèi)置保�(hù)�(jī)�,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),提升了整體系統(tǒng)的安全��
這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 開關(guān)電源(SMPS)�
3. LED �(qū)�(dòng)��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
5. 太陽(yáng)能微型逆變��
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電器和適配器�
7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
101X15N250MV4E
101X15N300MV4E