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10AS032H1F35I1HG 發(fā)布時間 時間:2025/5/13 16:20:51 查看 閱讀:24

10AS032H1F35I1HG 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。該器件采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
  該型號屬于 N 溝道增強型 MOSFET,適用于高頻率應(yīng)用場合,同時具有良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力。

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  持續(xù)漏極電流(Id):180A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,Vgs=10V時)
  柵極電荷(Qg):95nC
  總電容(Ciss):3760pF
  工作溫度范圍(Tj):-55℃至+175℃
  封裝形式:D2PAK

特性

10AS032H1F35I1HG 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有效降低功率損耗,提升整體效率。
  2. 快速開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)用場合,減少電磁干擾。
  3. 高電流承載能力,滿足大功率應(yīng)用需求。
  4. 良好的熱性能,確保在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運行。
  5. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管,優(yōu)化電路設(shè)計,減少額外元件使用。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合長期使用。
  這些特點使得該器件成為高效功率管理的理想選擇,特別適合工業(yè)和汽車領(lǐng)域中的復(fù)雜應(yīng)用場景。

應(yīng)用

10AS032H1F35I1HG 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動控制。
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  4. 電動汽車和混合動力汽車中的牽引逆變器及電池管理系統(tǒng)。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻功率轉(zhuǎn)換和負載切換。
  由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,這款 MOSFET 在需要高效率和高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

替代型號

IRF3205
  STP180N06LL
  FDP18N06L

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