1206N122G251CT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),屬于增強(qiáng)型 GaN FET。該器件采用了先進(jìn)的 1206 封裝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適用于高頻、高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。此型號(hào)通常用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無(wú)線(xiàn)充電設(shè)備以及各種工業(yè)與消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中。
由于其出色的性能表現(xiàn),1206N122G251CT 成為傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想替代品,在效率、尺寸和散熱方面提供了顯著優(yōu)勢(shì)。
額定電壓:120V
導(dǎo)通電阻:22mΩ
最大電流:25A
柵極電荷:45nC
反向恢復(fù)時(shí)間:無(wú)(零反向恢復(fù))
封裝類(lèi)型:1206
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
1206N122G251CT 的主要特性包括:高開(kāi)關(guān)頻率支持,使得設(shè)計(jì)更加緊湊且高效;低導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率;零反向恢復(fù)電荷使其非常適合硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)�;此外,該器件具備�?qiáng)大的短路耐受能力,并在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。
得益于氮化鎵技術(shù),此器件還擁有更小的芯片面積,能夠簡(jiǎn)化 PCB 布局并降低寄生效應(yīng)的影響。同時(shí),其堅(jiān)固的封裝形式增強(qiáng)了機(jī)械可靠性和電氣連接性。
1206N122G251CT 廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,例如:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)控制。
2. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),特別是半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
3. 電動(dòng)汽車(chē)充電樁和車(chē)載充電器的核心組件。
4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及太陽(yáng)能微型逆變器中的功率調(diào)節(jié)單元。
5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、智能手機(jī)快充模塊等。
1206N120G250CT, 1206N100G280CT