時(shí)間：2025/5/22 15:15:58
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1210N180G101CT 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT），適用于高頻和高功率應(yīng)用。該器件采用表面貼裝封裝，能夠提供出色的開關(guān)性能和效率，主要應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、射頻放大器和其他高性能電子設(shè)備中。
由于其材料特性和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，1210N180G101CT 具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的優(yōu)勢，使其在高頻工作條件下仍能保持高效運(yùn)行。
型號：1210N180G101CT
類型：GaN HEMT
封裝：SMD
最大漏源電壓(Vds)：180V
最大柵源電壓(Vgs)：±6V
連續(xù)漏極電流(Id)：12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：40mΩ
輸入電容(Ciss)：550pF
輸出電容(Coss)：35pF
反向傳輸電容(Crss)：8pF
開關(guān)頻率：高達(dá)5MHz
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
1210N180G101CT 的主要特點(diǎn)是采用了先進(jìn)的氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)，具備以下優(yōu)勢：
1. 高開關(guān)頻率：支持高達(dá)5MHz的操作，使得該器件非常適合高頻應(yīng)用，如DC-DC轉(zhuǎn)換器和無線充電設(shè)備。
2. 低導(dǎo)通電阻：僅為40mΩ，從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了整體系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)能力：具有短的開關(guān)時(shí)間和低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)，有助于減少開關(guān)損耗。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：能夠在高達(dá)+175℃的工作溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，適應(yīng)惡劣環(huán)境條件。
5. 小型化設(shè)計(jì)：SMD封裝形式使它易于集成到緊湊型電路板設(shè)計(jì)中。
該器件廣泛用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和高頻操作的應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 無線充電模塊
4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動
5. 通信基站中的射頻功率放大器
6. 汽車電子系統(tǒng)中的逆變器
7. 高效能源管理解決方案
1209P180G101CT, 1210N200G101CT
