最大漏源電壓：180V
　　最大漏極電流：4A
　　導(dǎo)通電阻：60mΩ
　　柵極電荷：30nC
　　輸入電容：700pF
　　輸出電容：300pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間：無(wú)（因GaN特性）
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃

1210N180G501CT 的主要優(yōu)勢(shì)在于其基于氮化鎵材料的優(yōu)異性能，相較于傳統(tǒng)的硅基MOSFET，它提供了更高的功率密度、更快的開(kāi)關(guān)速度以及更低的導(dǎo)通損耗。
　　其動(dòng)態(tài)性能優(yōu)越，能夠承受較高的dv/dt應(yīng)力，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。此外，由于采用了增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)，該器件在正常工作時(shí)需要正向柵極驅(qū)動(dòng)電壓才能開(kāi)啟，從而提高了系統(tǒng)的安全性。
　　GaN 技術(shù)還賦予了此器件更小的芯片尺寸和更高的集成度，非常適合于要求緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)合。
　　然而，需要注意的是，GaN 器件通常對(duì)靜電敏感，因此在存儲(chǔ)、運(yùn)輸及裝配過(guò)程中必須采取適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)措施以避免損壞。

1210N180G501CT 廣泛應(yīng)用于需要高效能和快速響應(yīng)的領(lǐng)域，如：
　　1. 射頻功率放大器：用于通信基站、衛(wèi)星通信和軍事雷達(dá)等設(shè)備中，提供穩(wěn)定的增益和輸出功率。
　　2. 無(wú)線充電系統(tǒng)：支持更高頻率和更大功率的非接觸式能量傳輸解決方案。
　　3. 能量轉(zhuǎn)換電路：例如DC-DC變換器中的同步整流部分或者逆變電源的核心開(kāi)關(guān)元件。
　　4. 激光雷達(dá)（LiDAR）驅(qū)動(dòng)：為自動(dòng)駕駛汽車中的探測(cè)與測(cè)距系統(tǒng)提供精確控制。
　　總之，任何涉及高頻操作、高效率需求以及小型化趨勢(shì)的電力電子裝置都可以考慮使用此類先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品。

1210N150G501CT, 1210N200G501CT