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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 12507WR-H21L2B(BK)

12507WR-H21L2B(BK) 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:49:48 查看 閱讀�32

12507WR-H21L2B(BK) 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于大電流、高效率的開�(guān)�(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等場景�
  該型�(hào)中的 '12507' 表示其系列編�(hào)�'WR' 指代封裝形式�'H21L2B' 則表示具體的�(chǎn)品版本和性能參數(shù),� '(BK)' 則可能為廠商�(nèi)部標(biāo)�(shí)或批次信��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�120A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�35nC
  工作溫度范圍�-40� � +150�
  封裝形式:TO-247

特�

12507WR-H21L2B(BK) 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�。這使得它在高效能功率�(zhuǎn)換中表現(xiàn)出色。此�,它的快速開�(guān)特性和低柵極電荷能夠顯著減少開�(guān)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  該器件還具備良好的熱�(wěn)定性和抗浪涌能�,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持可靠�(yùn)��
  以下是具體特性:
  - 極低的導(dǎo)通電�,降低傳�(dǎo)損��
  - 高速開�(guān)能力,適用于高頻�(yīng)��
  - �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,提升電路性能�
  - 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種�(huán)境條��
  - 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無害�

�(yīng)�

12507WR-H21L2B(BK) 廣泛�(yīng)用于需要高效功率管理的場合,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - 開關(guān)電源 (SMPS) 中的核心功率元件�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
  - 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率控制模塊�
  - 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng) (BMS) 和逆變器�
  - 大功� LED �(qū)�(dòng)電路中的開關(guān)元件�
  - 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)部分�

替代型號(hào)

12507WR-H21L2A, IRF1407, AOT296L

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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