1808HC681KAT1A 是一款基于鐵電隨�(jī)存取存儲(chǔ)� (FRAM) 技�(shù)的非易失性存�(chǔ)芯片。該器件�(jié)合了RAM的速度和靈活性與ROM的非易失性特�,能夠在斷電后保存數(shù)�(jù)。它采用SOIC-8封裝形式,具有高讀�(xiě)耐久性和低功耗的特點(diǎn),適用于需要頻繁數(shù)�(jù)記錄和實(shí)�(shí)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)��
FRAM技�(shù)相比傳統(tǒng)EEPROM和閃存具有更快的�(xiě)入速度、更高的�(xiě)入次�(shù)以及更低的功�,因此在工業(yè)控制、數(shù)�(jù)記錄儀、醫(yī)療設(shè)備等�(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用�
封裝:SOIC-8
容量�256 x 8 bits (256字節(jié))
工作電壓�1.8V�3.6V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保留�(shí)間:超過(guò)10�
讀/�(xiě)周期�10^12�
接口�(lèi)型:并行接口
存取�(shí)間:70ns(典型值)
組織�(jié)�(gòu)�8位x32�(yè)
1808HC681KAT1A的核心特性在于其使用了FRAM技�(shù),使得其具備以下�(yōu)�(shì)�
1. 高速寫(xiě)入能力:FRAM�(wú)需擦除操作即可直接�(xiě)入數(shù)�(jù),大大提升了�(xiě)入速度,適合頻繁數(shù)�(jù)更新的場(chǎng)��
2. 超高耐用性:支持高達(dá)10^12次的讀�(xiě)周期,遠(yuǎn)�(yuǎn)超過(guò)傳統(tǒng)EEPROM和閃存的壽命限制�
3. 低功耗:FRAM的工作電流非常低,在�(xiě)入操作時(shí)尤其明顯,這使其非常適合電池供電設(shè)��
4. 快速恢�(fù):即使突然斷電,F(xiàn)RAM也能立即恢復(fù)到斷電前的狀�(tài),保證數(shù)�(jù)完整性�
5. 小型化設(shè)�(jì):SOIC-8封裝便于集成到空間受限的�(yīng)用中�
由于其卓越的性能�1808HC681KAT1A廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化:用于�(shù)�(jù)日志記錄、參�(shù)配置存儲(chǔ)等�
2. �(yī)療設(shè)備:如血糖儀、心率監(jiān)�(cè)儀等需要頻繁存�(chǔ)�(shù)�(jù)的場(chǎng)��
3. �(jì)量設(shè)備:例如智能儀表中的用電量、用水量記錄模塊�
4. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:如打印機(jī)緩存、數(shù)碼相�(jī)�(shè)置保存等�
5. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備:適用于需要長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行且�(duì)功耗敏感的IoT節(jié)�(diǎn)�
1808HC681KAT1B, MB85RC256V, FM25L04B