18125A123JAT2A 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率、該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度以及出色的熱性能,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
這款MOSFET適用于要求嚴(yán)格的工作環(huán)境,其封裝設(shè)計(jì)緊湊,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需求。
型號(hào):18125A123JAT2A
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):120V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ
柵極電荷(Qg):40nC
開(kāi)關(guān)速度:快速
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-247
18125A123JAT2A 的核心優(yōu)勢(shì)在于其低導(dǎo)通電阻和高效率。通過(guò)降低 Rds(on),可以減少在高負(fù)載情況下的功率損耗,從而提高系統(tǒng)效率并降低熱量生成。
此外,其快速的開(kāi)關(guān)特性和較低的柵極電荷使得該器件非常適合高頻應(yīng)用。其高耐壓能力(120V)確保了在各種復(fù)雜電路中具備良好的穩(wěn)定性。
該產(chǎn)品還具備出色的散熱性能,能夠在高溫環(huán)境下保持可靠運(yùn)行。同時(shí),其緊湊的封裝形式使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。
18125A123JAT2A 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景,例如:
- 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
- DC/DC 轉(zhuǎn)換器
- 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
- 太陽(yáng)能逆變器
- 電動(dòng)車控制器
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
由于其強(qiáng)大的性能,該芯片特別適合于需要大電流和高效率的場(chǎng)合。
18125A123JAT2B, IRFZ44N, FDP178N10ASL