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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 19-217/T1D-CP1Q2B6Y/3T

19-217/T1D-CP1Q2B6Y/3T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 9:37:16 查看 閱讀�37

19-217/T1D-CP1Q2B6Y/3T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻�(yīng)用中保持高效的性能表現(xiàn)�
  這款器件通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),提升了熱性能和電流承載能�,同�(shí)具備出色的可靠性和�(wěn)定性,能夠滿足工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用的�(yán)格要��

參數(shù)

型號(hào)�19-217/T1D-CP1Q2B6Y/3T
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):15A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
  柵極電荷(Qg):45nC
  開關(guān)頻率:高�(dá)500kHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

19-217/T1D-CP1Q2B6Y/3T 芯片的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高效率性能。它的典型導(dǎo)通電阻僅�2.5mΩ,這有助于顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  此外,該芯片支持高達(dá)15A的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)�。由于其�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和內(nèi)部結(jié)�(gòu),它還提供了良好的散熱性能,可有效延長(zhǎng)器件壽命�
  該芯片的開關(guān)速度非常�,能夠支持高�(dá)500kHz的開�(guān)頻率,非常適合高頻開�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)。同�(shí),其工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行需��

�(yīng)�

19-217/T1D-CP1Q2B6Y/3T 主要用于以下�(lǐng)域:
  - 開關(guān)電源 (SMPS)
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  - 汽車電子中的�(fù)載切�
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管�
  - LED照明�(qū)�(dòng)電路
  - 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
  - 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  其強(qiáng)大的電流承載能力和高效性能使其成為眾多電力電子�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRF540N
  STP16NF06
  FDP5570
  AO3400

19-217/t1d-cp1q2b6y/3t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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