19-237/R6GHBHC-A04/2T 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于高效率電源轉�、電機驅動和負載切換等領域。該芯片采用先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和快速開關特性,能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提高整體性能�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,支持高頻操作,并且在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�28nC
開關速度:超�
工作溫度范圍�-55� � +175�
19-237/R6GHBHC-A04/2T 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開關能�,適合高頻應用場合,例如 DC-DC 轉換器和開關電源�
3. 高雪崩能量耐受能力,確保在異常條件下仍然可以可靠運��
4. 小尺寸封裝設計,便于 PCB 布局�(yōu)�,同時降低寄生電感影響�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛材料使��
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關模式電源 (SMPS) � AC-DC 轉換器中的同步整��
2. 工業(yè)自動化設備中的電機控制與驅動電路�
3. 汽車電子系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng) (BMS) 和車載充電器�
4. 可再生能源技術,例如太陽能微逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率級管��
5. 各類負載切換和保護電路設計�
IRF2807ZPBF
STP150N06LL
FDP15N60C