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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 1EDI60N12AF

1EDI60N12AF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:45:39 查看 閱讀�41

1EDI60N12AF是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體管。該器件采用DPAK封裝,適用于高效率的開關(guān)�(yīng)�,具有低�(dǎo)通電阻和高切換速度的特�(diǎn)。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了熱性能和電氣性能,適合在汽車電子、工�(yè)控制及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中使用�
  該型�(hào)屬于CoolMOS系列,利用先�(jìn)的超�(jié)技�(shù)�(shí)�(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn),特別適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�60A
  �(dǎo)通電阻:9.5mΩ
  柵極電荷�38nC
  開關(guān)頻率:高�(dá)500kHz
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

1EDI60N12AF采用了先�(jìn)的超�(jié)技�(shù),具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效降低功��
  2. 高電流處理能力,支持高達(dá)60A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)特�,可�(shí)�(xiàn)高頻操作,減少磁性元件的體積和成本�
  4. 出色的熱性能,確保在高溫�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  5. 符合AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn),適合汽車級(jí)�(yīng)用�
  6. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,提高整體系�(tǒng)效率�
  這些特性使得該MOSFET非常適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

1EDI60N12AF廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域:
  1. 汽車電子中的DC-DC�(zhuǎn)換器和啟�(dòng)停止系統(tǒng)�
  2. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和伺服�(qū)�(dòng)�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器�
  4. LED照明�(qū)�(dòng)電路�
  5. 開關(guān)電源(SMPS)和其他高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
  由于其出色的性能和可靠�,這款MOSFET是許多工程師在設(shè)�(jì)高性能功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)�(shí)的理想選擇�

替代型號(hào)

1EDI60N12AD, 1EDI60N12AH, IRFB4110TRPBF

1edi60n12af推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)