1N5349B是一種常見的硅雪崩擊穿二極管(Silicon Avalanche Diode�,主要用于電壓箝位和瞬態(tài)電壓抑制(TVS)應用。它能夠有效地保護電路免受過電壓瞬變的影�,例如由靜電放電(ESD)、感應負載開�(guān)或雷擊引起的瞬態(tài)�(xiàn)�。該器件具有快速響應時間、低電容以及高浪涌電流能�,使其非常適合于通信設備、計算機、家用電器和其他電子系統(tǒng)的保護電路中�
最大反向工作電壓:90V
擊穿電壓�96V
最大峰值脈沖電流:37.8A
鉗位電壓�148V
�(jié)電容�28pF
響應時間�1ns
功耗:500W
封裝形式:DO-41
1N5349B屬于單向TVS二極�,具備以下特點:
1. 高度可靠的電壓箝位性能,可有效限制瞬態(tài)電壓的幅��
2. 快速響應時間(1ns�,確保在瞬態(tài)事件�(fā)生時迅速啟動保護功��
3. 較低的動�(tài)電阻,有助于降低箝位電壓并減少對被保護電路的干擾�
4. 高浪涌電流承受能力(37.8A),適合應用于需要承受較大能量沖擊的場合�
5. �(wěn)定的工作溫度范圍,通常�-55°C�+150°C,適應各種環(huán)境條件下的使用需��
6. 小型化封裝設�,易于安裝在印刷電路板上,節(jié)省空��
1N5349B廣泛用于多種領域中的電壓保護任務�
1. 電源線和信號線的過壓保護�
2. �(shù)�(jù)通信接口(如RS-232、USB等)的瞬�(tài)抑制�
3. 工業(yè)控制設備中的直流電源輸入保護�
4. 家用電器和消費類電子�(chǎn)品中的雷擊防��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的瞬態(tài)抑制應用�
6. 各種敏感半導體元件的保護,防止因過電壓而導�?lián)p��
1N5349BG, SMBJ90A, P6KE90CA