時間：2025/5/13 13:06:22
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1N5349B是一種常見的硅雪崩擊穿二極管（Silicon Avalanche Diode），主要用于電壓箝位和瞬態(tài)電壓抑制（TVS）應用。它能夠有效地保護電路免受過電壓瞬變的影響，例如由靜電放電（ESD）、感應負載開關(guān)或雷擊引起的瞬態(tài)現(xiàn)象。該器件具有快速響應時間、低電容以及高浪涌電流能力，使其非常適合于通信設備、計算機、家用電器和其他電子系統(tǒng)的保護電路中。
最大反向工作電壓：90V
擊穿電壓：96V
最大峰值脈沖電流：37.8A
鉗位電壓：148V
結(jié)電容：28pF
響應時間：1ns
功耗：500W
封裝形式：DO-41
1N5349B屬于單向TVS二極管，具備以下特點：
1. 高度可靠的電壓箝位性能，可有效限制瞬態(tài)電壓的幅度。
2. 快速響應時間（1ns），確保在瞬態(tài)事件發(fā)生時迅速啟動保護功能。
3. 較低的動態(tài)電阻，有助于降低箝位電壓并減少對被保護電路的干擾。
4. 高浪涌電流承受能力（37.8A），適合應用于需要承受較大能量沖擊的場合。
5. 穩(wěn)定的工作溫度范圍，通常為-55°C至+150°C，適應各種環(huán)境條件下的使用需求。
6. 小型化封裝設計，易于安裝在印刷電路板上，節(jié)省空間。
1N5349B廣泛用于多種領域中的電壓保護任務：
1. 電源線和信號線的過壓保護。
2. 數(shù)據(jù)通信接口（如RS-232、USB等）的瞬態(tài)抑制。
3. 工業(yè)控制設備中的直流電源輸入保護。
4. 家用電器和消費類電子產(chǎn)品中的雷擊防護。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的瞬態(tài)抑制應用。
6. 各種敏感半導體元件的保護，防止因過電壓而導致?lián)p壞。
1N5349BG, SMBJ90A, P6KE90CA
