20TDC22MYFB是一款基于MOSFET技�(shù)的功率晶體管,主要用于開�(guān)和放大應(yīng)�。該器件采用TO-252表面貼裝封裝形式,適合高密度電路板設(shè)�(jì)。其低導(dǎo)通電阻特性有助于降低功�,提高效率,廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及電源管理領(lǐng)域�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�41A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
總功耗:150W
工作溫度范圍�-55℃至175�
20TDC22MYFB具有較低的導(dǎo)通電�,能夠有效減少能量損��
同時(shí),其快速開�(guān)性能使其適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)��
具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�
該器件還擁有較高的電流承載能�,可滿足大功率需求的�(yīng)用場(chǎng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器
電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
�(fù)載切換模�
電池保護(hù)電路
DC-DC�(zhuǎn)換器
逆變器等需要高效功率管理的�(chǎng)�
20TDC22MY, IRF20N06L, FDP18N06