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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 251R15S151GV4E

251R15S151GV4E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 19:54:31 查看 閱讀�26

251R15S151GV4E 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)模式電源等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而提升了效率并降低了功��
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型晶體管,其�(shè)�(jì)旨在�(mǎn)足高電流和高電壓�(yīng)用的需�,同�(shí)保持較高的可靠性和�(wěn)定��

參數(shù)

型號(hào)�251R15S151GV4E
  �(lèi)型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�650V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�15A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�150mΩ(典型�,在特定條件下)
  總功�(Ptot)�280W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

251R15S151GV4E 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá) 650V 的漏源電�,適合各種高壓應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為 150mΩ,有助于降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備高�(kāi)�(guān)速度,減少了�(kāi)�(guān)損�,尤其在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  4. 熱性能�(yōu)越:采用 TO-247 封裝,能夠有效散�,適用于大功率場(chǎng)��
  5. 寬工作溫度范圍:支持� -55°C � +175°C 的寬溫操作環(huán)境,適應(yīng)惡劣條件下的�(yīng)用需��
  6. 高可靠性:通過(guò)了嚴(yán)格的�(cè)試和�(yàn)證流程,確保�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

251R15S151GV4E 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS):如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于工業(yè)電機(jī)控制、家用電器馬�(dá)等�
  3. 逆變器:光伏逆變�、不間斷電源(UPS)��
  4. 功率�(diào)節(jié)系統(tǒng):用于電池充電器、LED �(qū)�(dòng)器等�
  5. 各類(lèi)工業(yè)電子�(shè)備:需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

IRFP260N
  FDP18N65
  STP15NF65

251r15s151gv4e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

251r15s151gv4e參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊RF Capacitor Modeling Software
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列S
  • 電容150pF
  • 電壓 - 額定250V
  • 容差±2%
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 額定�-
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 尺寸/尺寸0.080" L x 0.050" W�2.03mm x 1.27mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.046"�1.17mm�
  • 引線(xiàn)間隔-
  • 特點(diǎn)� Q �,低損�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線(xiàn)�-