251R15S8R2DV4E 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換器等領域。該芯片采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
其封裝形式為 TO-263(D2PAK�,適合高電流密度的應用場�。該器件通過�(yōu)化設�,能夠承受較高的工作電壓,并具備出色的熱性能�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�16A
導通電阻:2.2mΩ
柵極電荷�37nC
輸入電容�1200pF
開關速度:非?�?br> 工作溫度范圍�-55°C � +175°C
251R15S8R2DV4E 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(2.2mΩ),有助于減少傳導損��
2. 高速開關能�,適合高頻應用環(huán)境�
3.電磁干擾�
4. 強大的抗雪崩能力,增強在異常條件下的可靠��
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐熱性能,確保在高溫�(huán)境下. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
該芯片適用于多種工業(yè)和消費類電子領域,具體包括:
1. 開關電源適配器及充電��
2. DC-DC 轉換器與降壓/升壓電路�
3. 電動工具中的電機驅動控制�
4. LED 照明驅動電路�
5. 太陽能逆變器和其他綠色能源解決方案�
6. 汽車電子中的負載切換功能模塊�
IRFR7904, FDP55N15E