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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 251R15S8R2DV4E

251R15S8R2DV4E 發(fā)布時間 時間�2025/4/25 16:07:10 查看 閱讀�35

251R15S8R2DV4E 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換器等領域。該芯片采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  其封裝形式為 TO-263(D2PAK�,適合高電流密度的應用場�。該器件通過�(yōu)化設�,能夠承受較高的工作電壓,并具備出色的熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�16A
  導通電阻:2.2mΩ
  柵極電荷�37nC
  輸入電容�1200pF
  開關速度:非?�?br>  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

251R15S8R2DV4E 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(2.2mΩ),有助于減少傳導損��
  2. 高速開關能�,適合高頻應用環(huán)境�
  3.電磁干擾�
  4. 強大的抗雪崩能力,增強在異常條件下的可靠��
  5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐熱性能,確保在高溫�(huán)境下. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�

應用

該芯片適用于多種工業(yè)和消費類電子領域,具體包括:
  1. 開關電源適配器及充電��
  2. DC-DC 轉換器與降壓/升壓電路�
  3. 電動工具中的電機驅動控制�
  4. LED 照明驅動電路�
  5. 太陽能逆變器和其他綠色能源解決方案�
  6. 汽車電子中的負載切換功能模塊�

替代型號

IRFR7904, FDP55N15E

251r15s8r2dv4e參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�RF Capacitor Modeling Software
  • 標準包裝4,000
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列S
  • 電容8.2pF
  • 電壓 - 額定250V
  • 容差±0.5pF
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 應用RF,微�,高�
  • 額定�-
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 尺寸/尺寸0.080" L x 0.050" W�2.03mm x 1.27mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.046"�1.17mm�
  • 引線間隔-
  • 特點� Q 值,低損�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線�-