2ED2181S06F是一種高電壓、高速功率MOSFET和IGBT�(qū)動器,具有獨(dú)立的高側(cè)和低�(cè)參考輸出通道?;谟w凌的soi技�(shù),在VS引腳(VCC = 15 V)的瞬�(tài)電壓下,具有�(yōu)異的堅固性和抗噪�,能夠在�(fù)電壓高達(dá)- 11 VDC的情況下保持�(yùn)行邏輯。器件中沒有任何寄生晶閘管結(jié)�(gòu),因此在所有溫度和電壓條件下都不會�(fā)生寄生鎖存。邏輯輸入兼容標(biāo)�(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低�3.3 V邏輯。輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級,設(shè)計用于最小的�(qū)動器交叉?zhèn)�?dǎo)。浮動通道可用于驅(qū)動高�(cè)配置的n通道功率MOSFET, SiC MOSFET或IGBT,其工作電壓可達(dá)650v�
工作電壓(VS節(jié)�)高達(dá) + 650 V
VS�(fù)瞬態(tài)抗擾 100 V
集成超快、低電阻自舉二極�, 減少了物料清單成�
浮動通道,用于自舉操�
最大電源電壓:25 V
兩個通道均具有獨(dú)立的欠壓鎖定(UVLO)
傳播延時�200 ns
HIN, LIN輸入邏輯
VS引腳的邏輯操作高�(dá)�11 V
輸入�(fù)電壓容差:�5 V
浮動通道可用于驅(qū)動采用高邊配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT
電動工具
電機(jī)控制和驅(qū)�-英飛�(Infineon)官網(wǎng)
電源
家用電器
商品分類 | 柵極�(qū)動IC | 品牌 | Infineon(英飛凌) |
封裝 | DSO-8 | 包裝 | 圓盤 |
2ED2181S06F原理�
2ED2181S06F引腳�
2ED2181S06F封裝