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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2ED2181S06F

2ED2181S06F 發(fā)布時間 時間�2024/3/28 16:56:04 查看 閱讀�305

2ED2181S06F是一種高電壓、高速功率MOSFET和IGBT�(qū)動器,具有獨(dú)立的高側(cè)和低�(cè)參考輸出通道?;谟w凌的soi技�(shù),在VS引腳(VCC = 15 V)的瞬�(tài)電壓下,具有�(yōu)異的堅固性和抗噪�,能夠在�(fù)電壓高達(dá)- 11 VDC的情況下保持�(yùn)行邏輯。器件中沒有任何寄生晶閘管結(jié)�(gòu),因此在所有溫度和電壓條件下都不會�(fā)生寄生鎖存。邏輯輸入兼容標(biāo)�(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低�3.3 V邏輯。輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級,設(shè)計用于最小的�(qū)動器交叉?zhèn)�?dǎo)。浮動通道可用于驅(qū)動高�(cè)配置的n通道功率MOSFET, SiC MOSFET或IGBT,其工作電壓可達(dá)650v�

基礎(chǔ)介紹

  廠商型號�2ED2181S06F

  品牌名稱:Infineon(英飛�)

  元件類別:柵極驅(qū)動IC

  封裝�(guī)格:DSO-8

  型號介紹�650 V

特點

  工作電壓(VS節(jié)�)高達(dá) + 650 V

  VS�(fù)瞬態(tài)抗擾 100 V

  集成超快、低電阻自舉二極�, 減少了物料清單成�

  浮動通道,用于自舉操�

  最大電源電壓:25 V

  兩個通道均具有獨(dú)立的欠壓鎖定(UVLO)

  傳播延時�200 ns

  HIN, LIN輸入邏輯

  VS引腳的邏輯操作高�(dá)�11 V

  輸入�(fù)電壓容差:�5 V

  浮動通道可用于驅(qū)動采用高邊配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT

�(yīng)用領(lǐng)�

  電動工具

  電機(jī)控制和驅(qū)�-英飛�(Infineon)官網(wǎng)

  電源

  家用電器

中文參數(shù)

商品分類柵極�(qū)動IC品牌Infineon(英飛凌)
封裝DSO-8包裝圓盤

原理�

2ED2181S06F原理圖

2ED2181S06F原理�

引腳

2ED2181S06F原理圖

2ED2181S06F引腳�

封裝

2ED2181S06F封裝圖

2ED2181S06F封裝

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