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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2N7002-7-F

2N7002-7-F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/6/28 13:58:14 查看 閱讀�532

2N7002-7-F是一�(gè)N溝道MOSFET晶體�,它是由ON Semiconductor公司制造的。這�(gè)器件在SOT-23封裝中提�,封裝非常小巧,適合在有限空間的�(yīng)用中使用�
  2N7002-7-F具有低導(dǎo)通電阻和低漏電流,使其適用于低功率應(yīng)�。該器件的導(dǎo)通電阻通常�5.0歐姆,漏電流通常�10nA。這些特性使其非常適合用作電源開�(guān)、模擬開�(guān)和電平轉(zhuǎn)換器�
  2N7002-7-F的最大耐壓�60V,最大漏電流�500mA。它的輸入電容很�,通常�15pF,這意味著它可以快速開�(guān),適用于高頻�(yīng)��
  此外�2N7002-7-F還具有溫度穩(wěn)定性好的優(yōu)�(diǎn),可以在-55°C�150°C的溫度范圍內(nèi)正常工作。這使得它非常適合在各種環(huán)境條件下使用�

參數(shù)和指�(biāo)

�(dǎo)通電阻:5.0歐姆
  最大耐壓�60V
  最大漏電流�500mA
  輸入電容�15pF
  工作溫度范圍�-55°C�150°C

組成�(jié)�(gòu)

2N7002-7-F由以下幾�(gè)主要組成部分�(gòu)成:
  襯底(Substrate):晶體管的基底,通常是p型硅襯底�
  接源區(qū)(Source Region):為n型材�,與襯底相連�
  接漏區(qū)(Drain Region):為n型材�,與襯底相隔一定距��
  門極(Gate):由金屬或多晶硅制�,與絕緣層隔雀�

工作原理

�(dāng)外加正向偏置電壓施加在晶體管的源極和漏極之間�(shí),形成一�(gè)正向電場,使得n型溝道區(qū)變窄,減小了溝道上的電阻,從而導(dǎo)通。當(dāng)外加�(fù)向偏置電壓施加在晶體管的源極和漏極之間時(shí),形成一�(gè)�(fù)向電場,使得溝道區(qū)變寬,增加了溝道上的電阻,從而截��

技�(shù)要點(diǎn)

低導(dǎo)通電阻和低漏電流�2N7002-7-F具有低導(dǎo)通電阻和低漏電流,適用于低功率應(yīng)��
  高耐壓:該器件的最大耐壓�60V,適用于高壓�(yīng)��
  溫度�(wěn)定性:2N7002-7-F具有良好的溫度穩(wěn)定性,可以在廣泛的溫度范圍�(nèi)正常工作�

�(shè)�(jì)流程

確定�(yīng)用需求:根據(jù)具體�(yīng)�,確定所需的電�、電流和頻率等參�(shù)�
  選擇合適的器件:根據(jù)需�,選擇適合的2N7002-7-F晶體�,考慮其參�(shù)和指�(biāo)�
  電路�(shè)�(jì):根�(jù)�(yīng)用需�,設(shè)�(jì)相應(yīng)的電路,包括源極、漏極和門極的連接方式以及外部元件的選擇�
  電路模擬和驗(yàn)證:使用電路仿真軟件對設(shè)�(jì)的電路�(jìn)行模擬和�(yàn)�,確保其性能和穩(wěn)定��
  原型制作和測試:根據(jù)�(shè)�(jì)�(jié)果,制作�(shí)際的電路原型,并�(jìn)行測試和�(diào)��
  �(yōu)化和改�(jìn):根�(jù)測試�(jié)�,對電路�(jìn)行優(yōu)化和改�(jìn),以提高性能和穩(wěn)定��

注意事項(xiàng)

適當(dāng)?shù)纳幔涸诟吖β�?yīng)用中�2N7002-7-F可能�(huì)�(chǎn)生較多的熱量,需要適�(dāng)?shù)纳岽胧�?br>  靜電保護(hù):在處理2N7002-7-F器件�(shí),應(yīng)注意靜電保護(hù),避免損壞器��
  適當(dāng)?shù)碾妷汉碗娏飨拗疲涸谑�?N7002-7-F�(shí),應(yīng)確保電壓和電流在器件的允許范圍內(nèi),避免損壞器��

2n7002-7-f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

2n7002-7-f資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

2n7002-7-f參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C115mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 歐姆 @ 50mA�5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱2N7002-FDITR