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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2N7002

2N7002 發(fā)布時間 時間�2024/7/17 14:15:42 查看 閱讀�1428

2N7002是一種N溝道MOS場效應晶體管,具有低電阻、低電壓和高電流的特�。它是一種通用型的晶體管,被廣泛應用于各種電路��

主要參數(shù)

Drain-Source電阻(RDS(on)):2N7002的Drain-Source電阻很低,通常�0.7歐姆以下�
  額定電壓(VDS):額定電壓�60V,可以在這個電壓范圍內工作�
  最大電流(ID):最大電流為200mA,可以滿足大多數(shù)低功率電路的需��
  閾值電壓(VGS(th)):閾值電壓為2.5V,也就是說當Gate-Source電壓大于2.5V�,晶體管才開始導��
  動態(tài)電阻(rDS(on)):動態(tài)電阻很小,通常�0.5歐姆以下。這意味著它可以快速地開關,適用于高頻電路�

結構

它是一種表面貼裝型(SMD)晶體管,采用TO-236封裝。它的尺寸為3.05mm x 1.4mm x 0.95mm,重量為0.019g�

性能

低電阻:2N7002的Drain-Source電阻很小,可以提供低電壓降和高電流輸��
  高電流:2N7002的最大電流為200mA,可以滿足大多數(shù)低功率電路的需��
  高速開關:2N7002的動�(tài)電阻很小,可以快速地開關,適用于高頻電路�
  低電壓:2N7002的閾值電壓為2.5V,可以在低電壓下工作�
  低功耗:2N7002的低電阻和低電壓意味著它可以在低功耗電路中使用�

原理

2N7002是一種N溝道MOS場效應晶體管,它的工作原理基于場效應�
  2N7002由三個區(qū)域組成:源極(Source�、漏極(Drain)和柵極(Gate�。柵極與源極之間有一層絕緣層,稱為柵介質(Gate Oxide)�
  當Gate-Source電壓小于閾值電壓時,晶體管處于截止狀�(tài),Drain-Source之間沒有電流流過。當Gate-Source電壓大于閾值電壓時,柵介質中的電荷會被引入柵極,形成一個電場,使得漏極和源極之間形成一個導電通道,電流開始從Drain流向Source。當Gate-Source電壓繼續(xù)增加�,通道的電阻會減小,電流也會增加�

應用

邏輯開關:可用作�(shù)字邏輯門的開�,例如單�(wěn)�(tài)觸發(fā)器、計�(shù)器等�
  電源開關:可用作電源開關,例如用于智能家居中的燈光控��
  驅動器:可用作低功率電機驅動�,例如用于電動玩具中的馬達驅��
  放大器:可用作低功率信號放大�,例如用于音頻放大器中的前置放大器�

2n7002推薦供應� 更多>

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2n7002參數(shù)

  • 其它有關文件2N7002 View All Specifications
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C200mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds43pF @ 25V
  • 功率 - 最�350mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-3111-6